【課題】人工水晶育成時の結晶の成長速度が大幅に向上するとともに、不純物及びインクルージョン含有量の少ない高品質の水晶を低原価で製造することができる人工水晶の製造装置を提供する。
【解決手段】人工水晶育成炉本体容器２１の下部領域２１ｂにおいてアルカリ溶液で溶融した原料水晶３０を、また、該本体容器２１の上部領域２１ａにおいて育成枠８に配設した種子水晶３に原料水晶３０を再結晶させて人工水晶を育成する人工水晶の製造方法及び装置２０において、該種子水晶３を前記容器２１の鉛直線を中心として所定角度傾け、かつ、反時計回り、または時計回りに回転らせん状に配設し、さらに前記種子水晶３を製品用種子水晶と、該製品用種子水晶と異なるカットの種子水晶から構成して、同じ前記人工水晶育成炉本体容器２１内に同時に配置して人工水晶を育成することを特徴とする人工水晶の製造方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】高温での熱収縮の小さい断熱材を提供すること。
【解決手段】シリカを含む第一の無機化合物からなる複数の小粒子Ｓと、石英の結晶構造を有する第二の無機化合物からなり、小粒子Ｓよりも粒子径が大きい複数の大粒子Ｌと、を備える断熱材。 （もっと読む）

【課題】混合ガスの分離、ガスの保存、メンブレイン、化学反応触媒の担体及び悪臭除去などに使われるハイブリッド多孔性物質及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メソポーラスシリカ、ゼオライト、金属酸化物、多孔質粘土（ｐｏｒｏｕｓ ｃｌａｙ）及び活性炭などと、新たな多孔性物質である金属元素及び有機リガンドを含むＭＯＦ（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｆｒａｍｅｗｏｒｋ）を互いに化学的に結合して、物質種の互いに異なる少なくとも２種の多孔性物質部１１，１２を含むハイブリッド多孔性物質１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】難燃性が高く、ワイヤー流れ量が小さい良好な成形性を有する樹脂組成物、特に半導体封止材を提供する。また、そのような樹脂組成物を調製するのに好適な非晶質シリカ質粉末と、非晶質シリカ質粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５μｍ以上６０μｍ以下、最大粒子径が７５μｍ以下、相対密度が８５％以上であり、粒子径３０μｍ以上７５μｍ以下の粒子における、粒子内部に粒子径の３０％以下の径の空隙を含有する粒子の割合が１０％以上である非晶質シリカ質粉末。シリカ質原料粉末を、シリカ質原料粉末１ｋｇあたりの熱量を１５ＭＪ／ｋｇ以上２５ＭＪ／ｋｇ以下としたプロパンガスと酸素ガスとで形成した火炎中に噴射して溶融、非晶質化した後、さらに同様の熱量でもう一度溶融し、粒子融着指数を３．０以上７．０以下とし、溶融後の粉末を７５μｍ以下の目開きの網で篩うことを特徴とする非晶質シリカ質粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高密度半導体の成形不良率を低減、特に、ワイヤー流れ量を低減させた半導体封止材を調製することのできるシリカ質粉末と、それを含有してなる組成物を提供する。
【解決手段】粒子径２５μｍ以上６３μｍ未満の粒子含有率が３０質量％以上８５質量％以下であり、粒子径２５μｍ以上６３μｍ未満の粒子について、平均包絡度が０．９０以上、包絡度０．８５未満の粒子の割合が１５％以下、包絡度０．７５未満の粒子の割合が５％以下であるシリカ質粉末。シリカ質原料粉末を火炎中に噴射して溶融、非晶質化した後、シリカ質粉末を目開き３０〜７５μｍの網を用い、水平方向の振幅を８〜１５ｍｍ、粉末１ｋｇあたりの篩い分け時間を５〜１５秒／ｋｇ・ｍ^２として篩い分けた篩下の粉末を、さらに同様の条件で１回以上篩い分けるシリカ質粉末の製造方法。シリカ質粉末を含有してなる樹脂組成物及び樹脂組成物を用いた半導体封止材。 （もっと読む）

【課題】５７３°Ｋ〜８７３°Ｋの範囲で、ＭｏとＳｉの同時酸化が起こり、さらにＭｏ酸化物の蒸発減少が伴うという、ペスト（粉化現象）を効果的に防止できるＭｏＳｉ_２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法の提供。
【解決手段】ＭｏＳｉ_２粉末を酸化性の酸又は酸化剤を含む酸で洗浄し、ＭｏＳｉ_２粉末の比表面積が０．２ｍ^２／ｇ以上であり、かつ表面に酸化皮膜を備え、また酸素含有量が２０００ｐｐｍ以上であるＭｏＳｉ_２粉末とし、さらに、該粉末を用いてペスト（粉化現象）を効果的に防止できるＭｏＳｉ_２粉末を主成分とする発熱体を得る。 （もっと読む）

【課題】シリコンブロックを該ルツボから脱型する際、保護膜とシリコンブロックとの付着に伴うシリコンブロックのカケや割れの発生を、保護膜自身が壊れることによって抑制することができる離型性に優れた保護膜を備えたシリコン溶融ルツボやそれに用いられる離型材を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン溶融ルツボは、耐熱性部材からなるルツボ本体１の少なくとも内表面１ａ上に保護膜２が設けられたシリコン溶融ルツボであって、保護膜２は、少なくとも表面がＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ（Ｘ＞０、Ｙ＞０）組成を有する第１の固体粒子と、前記第１の固体粒子よりも粒径が小さいＳｉＯ_２組成を有する第２の固体粒子とを含有してなり、前記第２の固体粒子は、前記第１の固体粒子間の界面の一部で前記第１の固体粒子同士を連結させている。 （もっと読む）

【課題】熱対流を用いた水熱合成法によって、容易にかつ育成期間の長期化を避けながら不純物の低減化を図ることができ、光学部材として好適な人工水晶を得ることのできる人工水晶の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの含有量を２．７ｐｐｍ以下、ナトリウムの含有量を１．１ｐｐｍ以下、カルシウムの含有量を０．１ｐｐｍ以下、鉄の含有量を０．０４ｐｐｍ以下、リチウムの含有量を０．８ｐｐｍ以下に抑えた育成用原料を用い、そして水晶種子のＺ方向への成長速度を０．１ｍｍ／日以上０．３ｍｍ／日以下に設定して育成することにより、アルミニウム、ナトリウム、カルシウム、鉄、リチウムの量が、夫々０．０４２ｐｐｍ以下、０．００２１ｐｐｍ以下、０．０００５ｐｐｍ以下、０．０００４ｐｐｍ以下、０．０１１ｐｐｍ以下の光学部材用人工水晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、陰極にシリコンを用いた二酸化ケイ素の電解還元により、陰極由来の不純物の混入がないシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを主とする材料から構成される陰極を用いて溶融塩中で電解還元するシリコンの製造方法であって、該陰極にケイ素酸化物を接触させシリコンを製造する。 （もっと読む）

【課題】人工水晶を育成する水熱合成法を実施する際に、アルカリ水溶液に添加材として水酸化アルミニウムもしくは炭酸アルミニウムを加えることにより、結晶中のＳｉをＡｌに置換する手法では、水晶結晶中に充分な量のＡｌを含有させることができない。
【解決手段】石英又は珪酸ソーダの粉末とアルミニウムを含む化合物の粉末とを混合する混合工程と、混合したものを加熱融解する加熱融解工程と、加熱融解したものを徐冷して石英ガラスを得る冷却工程と、前記石英ガラスに水熱処理を施して多結晶水晶体を得る水熱処理工程とを備えたことを特徴とする多結晶水晶体の製造方法である。これにより水晶結晶中に固体電解質として望ましい数％オーダーのＡｌを含有させることが可能となる。 （もっと読む）