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Fターム[4G072HH50]の内容

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Fターム[4G072HH50]に分類される特許

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【課題】新規エレクトロニクス材料として期待されるシリコンクラスターは、従来、金属原子を内包するシリコンクラスターの合成が報告されていた。しかし、金属イオンの生成効率が極めて低いために、シリコンクラスターを大量生産することができなかった。
【解決手段】ガス原子とシリコンを反応させることによりガス原子内包シリコンクラスターを合成した。金属イオンに比べガスイオンは、生成が容易で、イオン生成効率も高い。シリコンクラスターの大量生産が可能になった。 (もっと読む)


【課題】溶融した半導体材料を溶融ルツボの底部より吐出させ、落下管中を落下させながら冷却・凝固させ、落下管の下部に配置されたシリコーンオイル中に粒状半導体を回収する粒状半導体の製造方法において、不純物の混入がなくまた品質が均一な粒状半導体の製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】溶融半導体を落下させる落下管水平断面にガス供給ノズルユニット5を設置し、ガス導入ノズルの中心軸を、落下管の水平断面に対して成す角θが下方向へ0°を超え60°迄の角度を成し、且つ、ノズル開口中心と同心円中心を結ぶ線分に対して成す角φが0°を超え45°迄の角度になるように設置することにより、導入されるガスは落下管の垂直中心軸に対して螺旋状になって回収装置へ向かって進行し、シリコーンオイルの分解物及び蒸発物は、導入したガス流及び排気ポンプの引力で落下管の上部へ流れることはなく、排気口から回収装置の外へ排気される。 (もっと読む)


【課題】 珪素含有原料化合物の高い転化率、低いエネルギー要求量及び安価な原料化合物を使用することを特徴とする、高純度の珪素を製造する方法の提供。
【解決手段】 この課題は、ハロゲン化シランから珪素を製造する方法において、第一段階でハロゲン化シランをプラズマ放電の発生下にハロゲン化ポリシランに転化し、これを次いで第二段階で加熱下に珪素に分解することを特徴とする、上記方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】吸着性能が優れ、しかも使用後の固液分離工程において濾材の目詰りを生じることのない、吸着材として好適な薄板状シリカ多孔体を安定した品質で、かつ効率よく提供する。
【解決手段】平均粒子径10μm以下のケイ酸原料粉末と石灰原料粉末とを、それぞれSiO2及びCaOに換算したときのモル比CaO/SiO2が1.0〜4.0になる割合で混合し、水又は水酸化アルカリ水溶液の中で水熱反応を行わせて、薄板状ケイ酸カルシウム含有スラリーを調製したのち、これに酸性物質を導入し、この中の酸化カルシウムを溶解除去し、薄板状シリカ多孔体を形成させるに当り、上記水熱反応を薄板状ケイ酸カルシウム種結晶の存在下で行う。 (もっと読む)


【課題】 生体組織に対して良好な親和性を有し、吸着性能、分離性能が優れ、しかも使用後の固液分離工程において濾材として目詰りを生じることのない吸着材、あるいは生体組織との親和性を必要とする化粧料基材として好適な新規なシリカ多孔体材料を提供する。
【解決手段】 長さ0.3〜50μm、幅0.1〜20μm、厚さ0.05〜1.5μm、長さと厚さのアスペクト比5〜300、平均細孔径1〜30nm、全細孔体積0.1〜1.5ml/g、BET比表面積50〜800m2/gを有し、かつX線回折スペクトルにおいて、ヒドロキシアパタイト固有の26°付近及び32°付近に2θのピークが存在するヒドロキシアパタイト被覆シリカ多孔体とする。 (もっと読む)


【課題】 微細パターンを精度よく形成することのできる樹脂板およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる樹脂板100の形成方法は、インク転写部を有する樹脂板の形成方法であって、(a)シロキサン結合を有するケイ素樹脂膜に高エネルギー線を照射することにより、前記ケイ素樹脂膜12を酸化ケイ素膜14にかえる工程を含む。 (もっと読む)


【課題】 組織化されたメソ細孔構造およびミクロ結晶骨格の両方の利点を有するアルミノケイ酸塩材料を提供する。
【解決手段】 階層的な多孔度を有する材料が記載され、この材料は、少なくとも2つの球状基本粒子によって構成され、該球状粒子のそれぞれは、細孔サイズが0.2〜2nmであるゼオライトナノ結晶と、ケイ素酸化物をベースとするマトリクスを含み、該マトリクスは、メソ構造化され、かつ、細孔サイズが1.5〜30nmであり、厚さ1〜20nmの非晶質壁を有し、該球状基本粒子は、10μmの最大直径を有する。ケイ素酸化物をベースとするマトリクスは、アルミニウムを含んでもよい。前記材料の製造も記載される。 (もっと読む)


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