本発明はPV太陽電池用の珪素（シリコン）ウェファを製造するために指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造する珪素供給原料に関し、該珪素供給原料はこれに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と０.1〜10ppmaのリンとを含有する。本発明は更にインゴットに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と0.1〜10ppmaのリンとを含有する、太陽電池用ウェファを形成するための指向的に凝固した珪素インゴット又は珪素薄板又はリボンに関し、該珪素インゴットはインゴット高さ又はシート又はリボンの厚さの40〜99％の地点でp−型からn−型へ又はn−型からp−型への型式変化を有し且つ0.4〜10 ohm cmの開始値を有する指数曲線によって表わした抵抗率分布を有し、その際抵抗率値は型式の変化点に向かって増大する。最後に、本発明はPV太陽電池用の珪素ウェファ生産用の指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造するための珪素供給原料の製造方法に関する。
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本発明は、太陽電池グレード（ＳＧ）のケイ素を生産するための、冶金グレード（ＭＧ）のケイ素から不純物、特にリンを除去する方法に関する。特に本発明によれば、従来法によって一般的に実施されている溶融状態よりはむしろ固体状態で、冶金グレードのケイ素を処理する。冶金グレードのケイ素は、反応を通じて固体状態を維持する。 （もっと読む）

本発明は、揮発化合物を熱分解し、次に形成された粒子を析出するための装置に関し、この場合この装置は、少なくとも次の特徴、圧力容器（１）、少なくとも１個の反応管（２）、この場合この反応管の開放端部（２ｃ）は、圧力容器中に延び、前記開放端部の他の端部は、圧力容器の外側に位置し、ガス供給管（３）を備えており、反応管の長手方向の軸線は、重力方向に配向され、圧力容器の長手方向の軸線（１ｄ）と平行に配向されており、反応管は、ガス入口側（２ａ）で加熱されることができ、ガス出口側（２ｂ）で冷却されることができること、圧力容器（１）、この場合この圧力容器の下部に捕集円錐部（１ａ）を備え、反応管（２ｃ）の開放端部は、捕集円錐部（１ｂ）のガス空間内に延びていること、捕集円錐部（１ａ）は、粒子（Ｐ）のための出口型締部（６）に接続されていること、およびガス出口単位装置（７）、この場合このガス出口単位装置は、ガス案内部材（７ａ）を備えており、前記ガス出口単位装置のガス入口部（７ｂ）は、捕集円錐部（１ａ）のガス空間（１ｂ）、フィルター系（８）および圧力容器の外側に位置しているガス出口（９）と通じていることを含む。
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本発明は、プラズマ処理と、プラズマ処理済み粉末に対する超音波処理と、を組み合わせたような、粉末の球状化焼鈍や高密度化や精製のためのプロセスに関するものである。超音波処理により、プラズマによって溶融して部分的に蒸発した粉末から、『煤塵』とも称されるような、ナノサイズの凝結粉末を分離することができる。また、このプロセスを使用することにより、ナノ粉末を合成することができる。この場合、供給材料を部分的に蒸発させ、その後に、蒸気クラウドの迅速な凝縮を行い、これにより、ナノ粉末からなる微細エアロゾルを生じさせる。後者の場合、超音波処理ステップは、部分的に蒸発した材料から、形成されたナノ粉末を分離するように作用する。
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反応容器の構成部材に過剰な温度負荷をかけることなく、生成したシリコンをスムーズに落下回収し、また、工業的に大規模な製造設備にスケールアップしてもシリコン析出用原料ガスを効率よく反応させ、かつシリコン微粉やシラン類オリゴマー成分の発生も抑制し、長期間にわたって工業的にシリコンの製造が可能な反応容器を提供する。
上下方向に延在する壁により囲まれた空間を形成した管型反応容器であり、上部にシリコン析出用原料ガス流入口と、下端に析出シリコン排出口とを備え、前記管型反応容器の原料ガスと接触する壁面に流通抵抗増加部位が形成されていることを特徴とする管型反応容器。流通抵抗増加部位が、突起、凹部、または傾斜から選ばれる少なくとも１種である。 （もっと読む）

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）