キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）

本発明は、次の各段階；シード（６）が、第１の物質の基体（２）上に炭素を分解させるように適合させた触媒を生成させる段階；カーボンナノチューブ（８）を該シード（６）から成長させる段階；そしてシード（６）から方位付けされる少なくとも１つの単結晶領域（１２）を含む第２の物質の層を生成させる段階：を含む結晶性物質の合成方法を提供する。本発明は、該方法によって得られる物質をも提供する。本発明はまた、ガラス基体上にポリ結晶シリコンを適用する。
（もっと読む）

シリコンエピタキシャルウェーハの主裏面に微少な凹凸が生じるのを抑制でき、主裏面全体のヘイズレベルを５０ｐｐｍ以下にするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
反応容器内に、シリコン単結晶基板を載置可能なサセプタが配設され、サセプタに載置されたシリコン単結晶基板に、水素雰囲気中で熱処理を施す水素熱処理工程と、水素熱処理工程後に、シリコンエピタキシャル層を気相成長する気相成長工程とを備えるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、水素熱処理工程中に、シリコン単結晶基板をサセプタから離間させ、気相成長工程の間は、シリコン単結晶基板をサセプタに載置する。
（もっと読む）

【課題】原料の落下による坩堝の破損を防止することが可能な原料供給装置を提供する。
【解決手段】原料供給装置２０は円筒状のフィーダ２１を備え、チャンバ２の開口部３ａにフィーダ２１を挿通する。フィーダ２１は、チャンバ２の上部からワイヤ２３により吊下げられており、上下方向に昇降可能である。そのため、ピース２５を供給する際に、フィーダ２１の先端は坩堝５の近くまで移動することが可能である。また、フィーダ２１は、ピース２５の汚染を防ぐとともに、高熱に耐えることができるように石英で構成されている。フィーダ２１の内部には、そのフィーダ２１の内径より若干小さい径の円板状のピース２５が複数積層された状態で装填されている。フィーダ２１には投入機構が配設されており、その投入機構によりピース２５を１つずつ坩堝５内の融液に投入する。 （もっと読む）

【課題】 アニール処理を不要としたカットロッドの加工方法を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコンロッドの外周部分または外周部分の一部を取り除き、残した中央部分に加工を施すことを特徴とする加工方法であって、好ましくは、直径の１０〜６０％に相当する外周部分を研削して取り除いた後に溝加工などを施す加工方法およびこの加工を施した多結晶シリコンロッド。 （もっと読む）