【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ファラデー回転子としたときの光透過性やファラデー回転能の劣化が見られないビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
（ＢｉＲ）_３−ａＭ１_ａＦｅ_{５−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ｂＰｔ_ｃＭ２_ｄＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１：Ｃａ及びＳｒから選択される一種または二種の元素、
Ｍ２：Ｇｅ及びＳｉから選択される一種または二種の元素、
０．０１＜ａ＜０．１，０．１５≦ｂ＋ｄ≦０．６，０．０１≦ｃ≦０．０４，ａ＝ｃ＋ｄ）
で表されるものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Ｂｉと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、ＲＩＧ膜と略記する)が選択された場合、得られるＲＩＧ膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けＲＩＧ膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】ＲＩＧ膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてＲＩＧ膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が２００μｍ以上３５０μｍ以下、ＲＩＧ膜の膜厚が１００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をＴ(μｍ)、ＲＩＧ膜の膜厚をｔ(μｍ)としたとき、上記要件に加えて、下記(数１)を満たすことを特徴とする。
-２Ｔ＋７００（μｍ） ≦ ｔ ≦ -４Ｔ＋１５００（μｍ） （数１） （もっと読む）

【課題】挿入損失で０．６ｄＢを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示され、ｘとｙが１．２０≦ｘ≦１．５６、０．８０≦ｙ≦１．１９であることを特徴とする。化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示される本発明のＲＩＧは、従来のＲＩＧと比較して挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で０．６ｄＢを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ｃｅ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示され、ｘとｙが１．２０≦ｘ≦１．５８、０．８０≦ｙ≦１．１９であることを特徴とする。化学式Ｃｅ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示される本発明のＲＩＧは、従来のＲＩＧと比較して挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で0.6dBを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Gd₃(ScGa)₅O₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に、液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜であって、化学式Gd_3-x-yBi_xR_yFe₅O₁₂（RはLa、Ce、Pr、Ndから選択される二種以上の希土類元素群、0<x、0<y）で示され、上記R、GdおよびBiの組成割合が、R-Gd-Bi三元系組成図上において、組成点A、B、C、Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有する。A：(R/0.15,Gd/1.66,Bi/1.19)、B：(R/0.92,Gd/0.89,Bi/1.19)、C：(R/1.31,Gd/0.89,Bi/0.80)、D：(R/0.32,Gd/1.88,Bi/0.80)。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で０．６ｄＢを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ｎｄ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示され、ｘとｙが０．８９≦ｘ≦１．４３、０．８５≦ｙ≦１．１９であることを特徴とする。化学式Ｎｄ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示される本発明のＲＩＧは、従来のＲＩＧと比較して挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で0.60dBを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（RIG）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜であって、化学式Ｌａ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂（但し、0<x<3、0<y<3）で示され、La、Gd、Biの組成割合が、La-Gd-Bi三元系組成図上において、組成点A、組成点B、組成点C、組成点Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とする。
組成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、組成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、
組成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、組成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。 （もっと読む）

【課題】白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下の挿入損失を可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】R_3-xBi_xFe_5-wA_wO₁₂（但し、前記Rは一種又は二種以上の希土類元素でGdを必ず含み、前記AはGa,Al,In等からなる一種又は二種以上の元素であり、前記xは0.7<x≦1.5、前記wは0<w≦1.5）で表される組成を有するBi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を含有し、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表し、[M]と[Pt]との関係式Δを


と表したときにΔを-0.34atppm以上2.87atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用されるＢｉ含有量が多いビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）の製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長法により非磁性ガーネット基板上にＲＩＧを育成させる方法で、育成温度におけるＲＩＧと基板との格子定数差Δａｇを０．０２０５Å以下とし、室温でのＲＩＧと基板との格子定数差Δａｒを０．００３Å以下とし、育成中における格子定数差（Δａｇ−Δａｒ）とＲＩＧに転位が発生する格子定数差Δａｄとの関係が数式（１）を満たすように調整し、かつ育成温度ＴｇをＲＩＧ育成に用いる原料融液中のＰｂＯとＢｉ_２Ｏ_３からなる混合酸化物の融点Ｔｍより９５℃以上高く設定することを特徴とする。（Δａｇ−Δａｒ）＜ Δａｄ＝−０．０１５６ｂ＋０．０４１５ （１）
［数式中、ｂはＲＩＧの単位格子中におけるＢｉ量を示す］ （もっと読む）

【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ルツボの損傷をさせることなく育成できるビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供する。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
Ｂｉ_３−ｘＲ_ｘＦｅ_{５−ｙ−ｚ}Ｍ１_ｙＭ２_ｚＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属（Ｅｕを除く）及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１:Ｇａ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｒから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ２：Ｖ、Ｎｂから選択される一種または二種の元素、
０．５＜ｘ＜２．５、０≦ｙ＜２．０、０＜ｚ≦０．０５）
で表されるものに、さらに２価の陽イオンとなる元素を含むものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、その含有量を2.54atppm以上4.0 atppm以下に設定し、且つ、Pt含有量を0.91atppm以上2.68atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】飽和磁界が低く、温度特性が優れたファラデー回転子の製法とそのファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃａを含んだ化学式Ｔｂ_ｙＧｄ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＡｌ_ｚＯ_１２（式中、０．１５≦ｙ/ｘ≦０．６５，０．３≦ｚ≦０．５，０．０４≦ｗ≦０．１）で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶からなるファラデー回転子において、製品形状での室温での飽和磁界が２００（Ｏｅ）以下、温度特性０．０７ｄｅｇ／℃以下が達成された。 （もっと読む）

【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表したとき、[M]と[Pt]との関係式Δ


の値を-0.31atppm以上2.08atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】温度特性が優れ、かつ角型ヒステリシスを示すファラデー回転子の製法とそのファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃａを含んだ化学式Ｔｂ_ｙＹｂ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２、または化学式Ｔｂ_ｙＨｏ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、金るつぼを使った液相エピタキシャル法にて育成することで、温度特性０．０７５ｄｅｇ／℃以下が達成された。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーフラックスを使用した液相エピタキシャル成長法による磁性ガーネット単結晶の製造方法を提。
【解決手段】フラックスとしてＢｉ₂Ｏ₃−Ｎａ₂ＣＯ₃を用いたメルト原料から液相エピタキシャル成長法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、一般式が（ＲＢｉ）₃Ｆｅ_5-x-y-zＩｎ_xＭ_yＰｔ_zＯ₁₂で表され、Ｒは、希土類から選択される１種以上の元素（但し、その他にＣａを含むことがある）、Ｍは、Ｇａ，Ａｌから選択される１種以上の元素であって、０＜ｘ≦０．１、０．７＜（ｘ＋ｙ＋ｚ）＜１．２、０＜ｚ＜０．０４を満たす。前記磁性ガーネット単結晶は、極少量のＰｔと共にＩｎを含有させた特定組成としたことにより、鉛フリーフラックスから育成された膜にもかかわらず、鉛含有フラックスから育成された膜と同等の飽和磁界温度依存性を発現させることができる。 （もっと読む）

【課題】フラックス成分に鉛を含まないＬＰＥ法にて、安定的に結晶育成が可能で量産性に富み、かつ挿入損失が低く、ファラデー効果の大きいビスマスを置換した希土類鉄ガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】鉛成分をフラックスとして用いない液相エピタキシャル法によって、非磁性ガーネット単結晶基板上に育成され、一般式 ： Ｒ_{３−ｘ−ｙ-ｗ}Ｂｉ_ｘＣａ_ｙＭ_ｗＦｅ_{５−ｚ−ｖ}Ａ_ｚＰｔ_ｖＯ_１２ （１）（式中、ＲはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｏ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる一種または二種以上の元素である。ＭはＮａまたはＫから選ばれる一種または二種以上の元素である。Ａは、ＧａまたはＡｌ、およびその両方の元素である。また、０．７＜ｘ＜１．４、０．０１＜ｙ＜０．１、ｚ＜１．０、ｗ＜０．０５、０．０１＜ｖ＜０．１である。）で示されるビスマスとカルシウムを置換した希土類鉄ガーネット単結晶。 （もっと読む）

【課題】波長が１．３μｍ〜１．６μｍ帯の光に対するファラデー回転能が４５°程度、かつ逆方向挿入損失が大きい値を有する磁気光学素子を提供する。
【解決手段】磁気光学素子は、ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶によって構成されたものであって、フラックスとして鉛化合物を用いない液相エピタキシャル法によって育成された厚さが３５０μｍ以上有するものであり、かつ白金を含み、白金の式量ｘが０．０２≦ｘ＜０．０４の関係を満たすものである。 （もっと読む）

【課題】ＴｂＢｉ系ガーネットが本質的に持っている波長約１.６μｍ以上での吸収を忌避するものであり、ＧｄＢｉ系ガーネットのθfの温度変化率の改善したビスマス置換型ガーネット厚膜材料及びその製造方法を提供し、更に、波長の中でも、約１.５μｍを越える波長帯域で使用できるファラデー回転素子を提供すること。
【解決手段】ガーネット基板上に、液相成長法により育成されたＧｄ，Ｙｂ，Ｂｉ，Ｆｅ及びＡｌを主成分とする光学用のガーネット厚膜であって、前記ガーネット厚膜の組成式が、Ｇｄ_3-x-yＹｂ_xＢｉ_yＦｅ_5-zＡｌ_zＯ₁₂、（ただし、０＜ｘ≦０.４５，０.８５≦ｙ≦１.５５，０＜ｚ≦０.９５で表わされるＧｄＢｉ系ガーネット厚膜材料。 （もっと読む）

【課題】液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）において、Ｎａを含む溶媒を用いて育成しても回転子の光損失を再現良く低減できる磁性ガーネット単結晶及びそれを用いたファラデー回転子を提供する。
【解決手段】化学式Ｂｉ_αＮａ_βＭ１_{３−α−β}Ｆｅ_５−γＭ２_γＯ_１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．６００＜α≦１．５００、０．００３≦β≦０．０５０、１．４５０≦３−α−β＜２．３９７、０．２０≦γ／（２β）≦０．８５）で示される磁性ガーネット単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により単結晶を育成する際に使用する単結晶育成用ルツボに関し、ガーネット単結晶を育成する際に変形しない金製の単結晶育成用ルツボを提供することを目的としている。
【解決手段】金又は金を含有する材質で形成され、ルツボ壁の厚さをｙ（ｍｍ）、ルツボの内径をｘ（ｍｍ）とすると、０．０１ｘ≦ｙ≦５．０、５０＜ｘ≦２００であることを特徴とする単結晶育成用ルツボである。 （もっと読む）