【課題】高品質な１３族窒化物結晶、及び１３族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶１９は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＴｌからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の１３族窒化物結晶であって、ｃ軸を横切る断面の内側に設けられた第１領域２１と、第１領域２１の外周の少なくとも一部を覆うように設けられ、厚みが第１領域２１の最大径より大きく、且つ第１領域２１よりキャリア濃度の高い第２領域２７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高品質な１３族窒化物結晶、及び１３族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶２５は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＴｌからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の１３族窒化物結晶であって、ｃ軸を横切る断面の内側に設けられた第１領域２５ａと、該断面の最外側に設けられ第１領域２５ａと結晶特性の異なる第３領域２５ｄと、該断面における第１領域２５ａと第３領域２５ｄとの間の少なくとも一部の領域に設けられた結晶成長の遷移領域であり、該第１領域２５ａ及び該第３領域２５ｄと結晶特性の異なる第２領域２５ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】一般に入手可能な鉱化剤を用いながら、酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶を低コストで効率良く安全に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用の反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、鉱化剤を昇華させた後に析出させる鉱化剤昇華精製工程と、反応容器１内にて、溶媒と精製した鉱化剤の存在下で、ソルボサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料８から窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。
【解決手段】具体的には、結晶は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅１０μｍであり、半極性方位を有し、 該結晶はｘ線回折により測定される半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．５５°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有するウェーハ、結晶成長方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、ベース層と、下地層と、中間層と、機能部と、を備えたウェーハが提供される。前記ベース層は、前記基板の主面上に設けられシリコン化合物を含む。前記下地層は、前記ベース層の上に設けられＧａＮを含む。前記中間層は、前記下地層の上に設けられＡｌＮを含む層を含む。前記機能部は、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記下地層の前記ベース層の側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高い。前記下地層は、前記第１領域に設けられた複数の空隙を有する。 （もっと読む）

【課題】原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、（１１−２０）面を主方位面とするＧａＮであり、らせん成分を含む貫通転位１０４の密度は１×１０^５ｃｍ^−２であった。該基板上に複数の開口部１０３（１辺が２０ミクロンの正方形）を有するマスク材１０２（酸化シリコン薄膜、厚さ１００ｎｍ）が形成されている。該開口部には、ｎ型ＧａＮ層１０６ａ、アンドープＡｌＮ層１０６ｂ、アンドープＧａＮ層１０６ｃ、アンドープＡｌＮ層１０６ｄ、および、ｎ型ＧａＮ層１０６ｅが順次形成されている。様々な条件下で貫通転位１０４の密度と開口部１０３の面積との関係を検討すると、貫通転位密度がＮｃｍ^−２である場合、各開口部１０３の面積が１／Ｎｃｍ^２以下であれば各開口部１０３内に形成した窒化物半導体多層薄膜の少なくとも一つの界面が平坦になることを見出した。 （もっと読む）

【課題】結晶構造が劣化していない、低抵抗の六方晶窒化ホウ素構造とその熱処理方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１１と、該絶縁性基板上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素１２とを有する六方晶窒化ホウ素構造であって、不純物としてシリコン、マグネシウム、ベリリウム、またはイオウを含み、そのドーピング濃度は、１×１０¹⁶から１×１０²⁰ｃｍ^-3の範囲であることを特徴とする。単結晶六方晶窒化ホウ素は、基板温度９００℃以上で熱処理してもよい。 （もっと読む）

【課題】経済的に安価であり、大面積化およびへき開が可能な六方晶窒化ホウ素構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素構造は、サファイア単結晶基板４１と、基板４１上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素４２を有する。また、Ｖ族原料であるアンモニアと、III族原料であるトリエチルボロン、トリメチルボロン、ジボラン、三塩化ホウ素、または三フッ化ホウ素とを用いる気相成長法により、サファイア単結晶基板４１上に単結晶六方晶窒化ホウ素４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造３００は、ｃ軸の格子定数が６．６６オングストローム未満であるウルツ鉱型の結晶構造を有する基板３０１であって、主方位面３０１Ａが（０００１）面から±１０度以内のオフ角であり、基板３０１の主方位面３０１Ａ上に複数の穴３０１Ｂを有する基板３０１と、基板３０１の主方位面３０１Ａの複数の穴３０１Ｂを除く部分を覆うアモルファス構造のマスク３０２と、マスク３０２上のウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜３０３であって、基板３０１の複数の穴３０１Ｂを充填する単結晶薄膜３０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面モフォロジと光学特性に優れた高品質の窒化物半導体を得るための結晶成長技術を提供すること。
【解決手段】エピタキシャル成長用の基体として、少なくとも一方の主面が窒化物である基体を準備し、この基体を、エピタキシャル成長用反応炉内のサセプタ上に載置して所定の温度まで昇温する（工程Ａ）。このとき、反応炉内に不活性ガスである窒素ガスを供給しながら昇温を開始し、活性ガスであるＮＨ_３ガスの供給を行う。続いて、基体の窒化物主面を熱的にクリーニングする工程を設けずに、第１の窒化物半導体層の成長工程（工程Ｂ）に移行する。この工程Ｂでは、基体の窒化物主面上にＳｉ原料が供給されない環境下で第１の窒化物半導体層がエピタキシャル成長される。そして、この第１の窒化物半導体層の上に、ｎ型ドーパント原料を供給しながら、比較的厚い層である第２の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる（工程Ｃ）。 （もっと読む）

【課題】 不純物の影響を全く受けない、固有の特性を反映した高輝度短波長紫外線発光する六方晶窒化ホウ素単結晶を提供し、前記単結晶を使用することによって、高輝度紫外線発光する素子を提供しようというものである。
【解決手段】 本発明の六方晶窒化ホウ素単結晶は、少なくとも室温において波長２１５ｎｍに最大発光強度を有する紫外線発光を有してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クラックを生じさせることなく良質な結晶を歩留まりよく製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板１上に第１の薄膜２を製膜して第１の薄膜２表面を摩擦することにより摩擦配向層３を形成し、さらに摩擦配向層３の上に第２の薄膜を堆積することにより堆積配向層４を形成し、その上に結晶を成長させる。単結晶基板１はＳｉ基板とし、その面方位は（１１１）とする。また、摩擦配向層３の厚さは１〜２０ｍｍとし、その形成工程において、第１の薄膜２をダイアモンド、サファイアまたはＳｉＣで摩擦する。 （もっと読む）

【課題】品質が向上し、かつ製造プロセスの簡易化を図ることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層およびそれを用いた基板を提供する。
【解決手段】成長用基体１０上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈより大きくなるように第１の成長層２１を成長させる。次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが表面の突部において横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝播される転位Ｄの密度が大きく低減され、１０⁶ 個／ｃｍ² オーダーとなる。 （もっと読む）

【課題】深紫外発光に適し、かつ、大面積の六方晶窒化ホウ素結晶体を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】あらかじめ脱酸素処理をおこなった窒化ホウ素原料と遷移金属からなる金属溶媒とを混合する混合工程と、混合工程によって得られた混合物を加熱して溶融する溶融工程と、溶融工程によって得られた溶融物を常圧で冷却するか、または、前記溶融物に温度勾配を設けるかのいずれかにより再結晶する再結晶工程と、再結晶工程の後に、塩酸および硝酸を含む溶液を用いて前記金属溶媒を除去する工程を包含する。 （もっと読む）

故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体薄膜の成長を改良する方法である。具体的には、該方法は、基板を故意にミスカットするステップと、基板を反応装置内に装填するステップと、窒素および／または水素および／またはアンモニアの流れのもとで該基板を加熱するステップと、該加熱された基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの核生成層を成膜するステップと、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核生成層上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップと、該基板を窒素過圧のもとで冷却するステップとを備える。
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【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶を安定して結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する坩堝１０は、内部反応容器２０内に配置される。外部反応容器３００は、内部反応容器２０の周囲を覆う。抑制／導入栓６０は、坩堝１０と内部反応容器２０との連結部よりも下側の配管３０内に固定され、金属融液１９０の表面張力によって金属融液１９０を保持するとともに、配管３０内の窒素ガスを金属融液１９０を介して空間２３内へ供給する。ガスボンベ１４０は、圧力調整器１３０を介して窒素ガスを配管３０へ供給する。支持装置５０は、種結晶５を混合融液２９０に常時接触させる。制御装置３７０は、空間２３の圧力Ｐｉｎと外部反応容器３００内の圧力Ｐｏｕｔとの圧力差を結晶成長装置１００が異常と判定される所定値よりも小さい値に設定する。 （もっと読む）

【課題】結晶サイズが大きいＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する。外部反応容器２０は、反応容器１０の周囲を覆う。配管３０は、反応容器１０の下側において外部反応容器２０に連結される。抑制／導入栓６０は、反応容器１０と外部反応容器２０との連結部よりも下側の配管３０内に固定される。抑制／導入栓６０および金属融液１９０は、混合融液２９０から蒸発した金属Ｎａ蒸気の配管３０内への拡散を防止するとともに、空間２３内の圧力と空間３１内の圧力との差圧によって配管３０内の窒素ガスを空間２３内へ供給する。支持装置５０は、種結晶５を混合融液２９０に浸漬または接触させる。そして、種結晶５が混合融液２９０によってエッチングされた後、ＧａＮ結晶が種結晶５から結晶成長する。 （もっと読む）

【課題】 深い凖位への遷移による発光が抑制されてバンド端発光が支配的となり、室温付近でも高効率発光する、結晶欠陥、結晶転位が生じ難く、かつ立方晶ＢＮの混在が極めて少ない六方晶ＢＮ膜を有する半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】 面方位が（１１１）面、および（１１１）面からのずれが±２度以下の面のいずれかの面を主方位面とするニッケル単結晶基板５上に、ｐ型単結晶六方晶窒化ホウ素層６、ｎ型単結晶六方晶窒化ホウ素層８、ニッケル薄膜９の順に形成された構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ金属の外部への蒸発を抑制してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 反応容器２１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液１８０を保持する。外部反応容器２２０は、反応容器２１０の周囲を覆う。逆流防止装置２４０は、反応容器２１０と外部反応容器２２０との間に配置され、１対のガイド２４１と、逆流防止弁２４２とを含む。配管２７０は、外部反応容器２３０を介して逆流防止装置２４０に連結される。ガスボンベ３４０は、圧力調整器３３０を介して窒素ガスを配管２７０へ供給する。逆流防止弁２４２は、混合融液１８０から蒸発した金属Ｎａ蒸気の配管２７０内への拡散を防止するとともに、空間２１３，２２１内の圧力と空間２７１内の圧力との差圧によって配管２７０内の窒素ガスを空間２１３，２２１内へ供給する。 （もっと読む）

本発明は、ナノ粒子（４０）を有する層（１１０）を基板（１００）上に製造するための方法に関する。本発明の課題は、特別簡単に実施でき、かつ製造すべき層の構成および組成に関し極めて大きな裁量の余地を提供する、ナノ粒子を含有する層を製造するための方法を提供することである。この課題は、第１プロセス室（１０）内でナノ粒子（４０）を遊離させ、ナノ粒子流（５０）を生成し、該ナノ粒子流（５０）を第２プロセス室（８０）内に誘導し、ナノ粒子（４０）を第２プロセス室（８０）内で基板（１００）上に堆積させることによって解決される。
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