圧電単結晶及びその製造方法、及びその圧電単結晶を利用した圧電及び誘電応用部品を提供する。本発明による圧電単結晶は、高誘電率Ｋ₃^T、高圧電定数ｄ₃₃、ｋ₃₃、高い相転移温度（キュリー温度、Ｔｃ）、高い抗電界Ｅｃ、及び向上した機械的特性を併せ持つため、かかる優れた特性の圧電単結晶を広い温度領域と広い使用電圧条件下で使用することができる。また、単結晶の量産に適合した固相単結晶成長法を用いて圧電単結晶を製造し、高価な原料を含まない単結晶組成を開発して圧電単結晶の商用化を可能にする。これにより、優れた特性の圧電単結晶を利用した圧電応用部品及び誘電応用部品を広い温度領域で製造し、使用することを可能にする。
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【課題】圧電体、圧電素子、圧電素子を用いた液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置を提供する。
【解決手段】圧電体が、
Ｐｂ（Ｚｒ_xＴｉ_1-x）Ｏ₃ （１）
（式中、ｘは、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を表す。）
で表されるペロブスカイト型構造を有するジルコン酸チタン酸鉛を主成分とし、かつ該圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が１．０５以上であり、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が０．５以上０．８以下であり、かつ該圧電体が少なくとも単斜晶系のペロブスカイト型構造を有することを特徴とする圧電体。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の単結晶シリコン層を短時間で加熱して単結晶炭化シリコンに変成させる。
【解決手段】 基板１００を複合炭素からなるカーボンサセプタ４２０上に置き、炭素源ガスを供給しつつ基板１００の表面に赤外線ランプ４００からの赤外線を照射して表面の単結晶シリコン薄膜を炭化シリコンに変成させる。 （もっと読む）

本発明はシリコンウエハ（１）上に炭化ケイ素（３，４）の層を形成する方法に関する。本発明は、本質的なチェック模様を用いてウエハ上に浸炭防止マスク（２）を積層し、残存ストレスがそれぞれ膨張と圧縮の形態をとるような条件で浸炭工程を実行し、前記マスクを取り除き、残存ストレスがそれぞれ圧縮と膨張の形態をとるような条件で浸炭工程を実行する工程を含むことを特徴とする。
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【課題】 簡単な手段によって、高温実験用微小反応管や種々の一次元ナノ構造物を製造するための鋳型等として有用な単結晶α−アルミナナノチューブとその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ₄Ｏ₄Ｃナノワイヤーを減圧雰囲気下で加熱してＣ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｃナノチューブを形成する第１工程と、この形成したＣ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｃナノチューブを空気雰囲気中で加熱する第２工程とを有することとする。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜を有する窒化アルミニウム積層基板を提供する。
【解決手段】 サファイア等の単結晶α−アルミナ基板を、窒素、カーボンおよび一酸化炭素の存在下に加熱、窒化処理して結晶性窒化アルミニウム膜を同基板上に積層するとともに、同一工程で同時に該α−アルミナ基板と結晶性窒化アルミニウム膜層との界面に気孔を不規則に点在せしめることを特徴とする結晶性窒化アルミニウム積層基板の製法と当該積層基板。 （もっと読む）

【課題】実用可能性のある大きさを備えた窒化アルミニウム単結晶を、低コストで短時間に得ることができ、かつ、生産性・汎用性が高い窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウム及び／又は加熱により酸化アルミニウムに変換される酸化アルミニウム前駆体と、窒化アルミニウム及び／又は加熱により窒化アルミニウムに変換される窒化アルミニウム前駆体とを含む原料組成物を、１６００〜２４００℃の温度で加熱することにより窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス分野に応用が期待されてい
る単結晶の窒化インジウムナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウム粉末とカーボンナノチューブの混合物を横型石英管状炉など
の反応炉中で、減圧にした後、窒素ガスを流しながら、1100±50℃に1.5〜2時間加熱する
ことにより、ウルツ鉱型六方晶系の単結晶の窒化インジウムナノチューブを製造する。こ
のとき、酸化インジウム粉末とカーボンナノチューブの重量比は10:1〜9:1の範囲が好ま
しい。 （もっと読む）