【課題】単結晶炭化珪素の製造に適したカーボン及びシリカの一次粒子を含むスラリ、球状二次粒子、及び単結晶炭化珪素の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン及びシリカを分散媒に添加して混合物とする混合工程、及び、得られた混合物を湿式ジェットミル処理する分散工程を含むカーボン・シリカ含有スラリの製造方法、引き続いて、得られたスラリを噴霧乾燥する噴霧工程を含むカーボン・シリカ含有略球状二次粒子の製造方法、引き続いて、高温雰囲気とした坩堝３２内に原料供給管３６、３６’を通して二次粒子を種結晶３４表面上に供給する結晶成長工程を含む単結晶炭化珪素の製造方法。 （もっと読む）

【課題】安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良された単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び単結晶ＳｉＣ９製造用原料を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ９製造用原料を不活性ガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣ９を成長させる工程を含み、単結晶ＳｉＣ９製造用原料が、ＳｉＯ粒子及びカーボン粒子である単結晶ＳｉＣ９の製造方法、及びこの製造方法により得られる単結晶ＳｉＣ９。 （もっと読む）

【課題】サファイア等単結晶α−Ａｌ_２Ｏ_３基板表面から内部に向かってアルミナ成分を窒化アルミニウムに変換して単結晶窒化アルミニウム膜を生成する単結晶窒化アルミニウム積層基板の製造方法においてその製造効率が改善される方法を提供する。
【解決手段】１６００〜１７５０℃の温度条件で単結晶α−Ａｌ_２Ｏ_３基板を窒化処理して単結晶窒化アルミニウム膜を生成し、単結晶窒化アルミニウム積層基板を製造する方法であって、窒化処理の前段階において８００〜１４００℃のＨ_２雰囲気下で単結晶α−Ａｌ_２Ｏ_３基板表面を活性化処理することを特徴とする。この活性化処理により、その後に行われる窒化反応の反応速度が著しく向上するため、単結晶窒化アルミニウム積層基板の製造効率を飛躍的に改善させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】真空や高エネルギーを必要とする特殊な装置や、高価で特殊な原料を使用することなく、低温でニオブ酸カリウムの薄膜を作製することのできる、ニオブ酸カリウムの低温製膜法を提供する。
【解決手段】Ｋ_２ＮｂＯ_３Ｆの単結晶を基板上で潮解させ、乾燥した。潮解させる際の湿度は、６０％以上であり、潮解させる際の温度は、０〜５０℃であることが好ましい。室温で高品位のニオブ酸カリウムの単結晶薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】長時間安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５並びに単結晶ＳｉＣ製造用原料であるＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、及び、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性キャリアガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料のＳｉＯ₂とＣの供給モル比が、ＳｉＯ₂：Ｃ＝１．０５：３．０〜２．０：３．０である単結晶ＳｉＣの製造方法、及びこの製造方法により製造された単結晶ＳｉＣ。 （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解および超電導物質の熱処理形成を行うに際して、効率よく、性能が改善された大面積の超電導材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を支持体上に塗布し、乾燥させる工程(1)、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程(2)、超電導物質への変換を行う本焼成工程(3)を経てエピタキシャル成長させた超電導コーティング材料を製造するに際し、工程(1)と工程(2)の間でレーザ光をさせて照射する際に、超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を塗布した面の反対側の面からレーザ光を照射することを特徴とする超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ種単結晶上に目詰まりすることなく良好に輸送可能な単結晶ＳｉＣ製造用原料と、その製造方法を提供し、また、その原料を用いて高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる方法、及び、その結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】シリカとカーボンの各１次粒子から実質的になる２次粒子であって、２次粒子形状が直径１〜９０μｍの略球形である単結晶ＳｉＣ製造用原料、並びに、シリカ粒子、カーボン粒子及び溶媒からなるスラリを製造する工程、及び、蒸発装置内でスラリを噴霧乾燥造粒させてシリカとカーボンを含有する２次粒子を製造するスプレードライ工程を含む、単結晶ＳｉＣ製造用原料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ペロブスカイト型構造を有する多結晶セラミック粉末を用いて製造可能であり、組成上の制約条件の少ない配向性セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】 多結晶セラミック粉末とを含むセラミックスラリーを得る工程と、前記セラミックスラリーを磁場中で成形してセラミック成形体を得る工程と、前記セラミック成形体を焼成する工程と、を有する配向性セラミックスの製造方法であって、前記多結晶セラミック粉末は、ペロブスカイト構造を有する主成分と前記主成分１００ｍｏｌに対して５ｍｏｌ以下（ただし０ｍｏｌを除く）の割合で含有される副成分とを含み、前記副成分は磁気モーメントが０ではない３ｄ遷移金属イオンまたは磁気モーメントが０ではない希土類遷移金属イオンからなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶表面の分解及び／又はエッチングを防止して、転位や多結晶の発生を防止しながら、マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な単結晶炭化珪素及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素種結晶４が固定されたサセプタ５及び外部から単結晶炭化珪素製造用原料を供給するための原料供給管を坩堝２の中に配置する配置工程、坩堝２を外部加熱して昇温する際に炭化珪素種結晶４表面の分解及び／又はエッチングを防止する分解防止工程、並びに、坩堝２内を単結晶成長温度にまで更に昇温しこの単結晶成長温度を維持して炭化珪素種結晶４表面に炭化珪素製造用原料の供給を継続して単結晶炭化珪素を成長させる成長工程、を含む単結晶炭化珪素の製造方法、及びこの製造方法により製造された炭化珪素。 （もっと読む）

【課題】成長速度が速く、マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な長尺、大口径の単結晶ＳｉＣの製造方法及び製造方法に好適に使用可能な製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種単結晶４が固定されたサセプタ５及び原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、加熱保持されたＳｉＣ種単結晶４に、原料供給管６を通して単結晶ＳｉＣ製造用原料を外部から供給する工程、及び、ＳｉＣ種単結晶４上に単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、坩堝２が鉛直方向上部に開口部を有する単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶ＳｉＣの混入を防止した高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる単結晶ＳｉＣの製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣ、さらに、多結晶ＳｉＣの混入を防止し、高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させることができる単結晶ＳｉＣの製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種単結晶４が固定されたサセプタ５及び外部から単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管６を、坩堝２の中に配置する工程、高温雰囲気とした坩堝２内に、単結晶ＳｉＣ製造用原料を原料供給管６を通してキャリアガスＡと共に供給して、単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料供給管６とＳｉＣ種単結晶４との距離をＬ（ｍｍ）、キャリアガスＡの線速をＳ（ｍｍ／ｓｅｃ）としたとき、Ｌ／Ｓ（ｓｅｃ）≦３を満たす単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

単結晶炭化ケイ素ナノワイヤー、及びその製造方法を提供する。本発明による単結晶炭化ケイ素ナノワイヤーは、アスペクト比が非常に大きく、各種表示装置及び分析装置に使われる電子銃用エミッターまたはＭＥＭＳのプローブチップのようなナノ電子デバイスに適用可能である。さらに、前記ナノワイヤーを備えるフィルターを提供する。本発明によるフィルターは、自動車エンジン排ガスフィルターなどに容易に適用し、フィルター能及び寿命を増加させる。
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【課題】サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なＡｌＮ単結晶膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】窒素元素含有ガスを主成分とし、これに水分（水蒸気ガス）あるいはＯ₂ガスなどの酸化性の酸素元素含有ガスを添加した混合ガス雰囲気の下で、サファイア基板を少なくとも１３００℃以上に加熱することで、サファイア基板の主面上に窒化物であるＡｌＮを反応生成させる。酸化性の酸素元素含有ガスの添加を行うことで、ＡｌＮの生成速度を適度に抑制して、表面平坦性が良好なＡｌＮ単結晶膜を形成することができる。酸素元素含有ガスの添加は、窒化処理装置１００の内部にさや１０２などの酸化物固体を載置し、サファイア基板ともどもこれを加熱することで行う。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な長尺、大口径の単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣを製造する方法であって、ＳｉＣ種単結晶ウエハ４をサセプタ５に固定する工程、及び、外部より単結晶ＳｉＣ製造用原料をＳｉＣ種結晶ウエハ４上に連続供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、サセプタ５、ＳｉＣ種単結晶４並びに成長と共に厚みを増した単結晶ＳｉＣの、サセプタの鉛直方向１０（長手方向）の平均温度勾配を０．５℃／ｍｍ以上９℃／ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】大量生産に適したイットリウムアルミネート単結晶上に望ましい配向を有する希土類１２３型超電導膜の製造方法を提供する。
【解決手段】イットリウムアルミネート単結晶上に、セリウムの有機化合物を有機溶媒あるいは水に溶解した溶液を塗布し、加熱処理することで配向した酸化セリウム(セリア)膜を作製し、その上に希土類元素、バリウム及び銅を含有する金属有機化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を塗布し、加熱処理することを特徴とするｃ軸配向性をもつ希土類１２３型超電導体多層膜の製造方法。
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【課題】高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。
【解決手段】｛１ −１ ０ ０｝面と直交し且つ｛１ １ −２ ０｝面との面間角が１５°〜４０°となる結晶面で切り出したα−アルミナ単結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶が形成されて成り、前記窒化アルミニウム単結晶膜の＜０ ０ ０ １＞軸が前記α−アルミナ単結晶基板の法線に対して最大４０°傾斜した窒化アルミニウム単結晶積層基板。 （もっと読む）

少なくとも１つの結晶化核形成部位が配置された表面を有する基板を備える装置。この装置はさらに、第２の表面を有する第２の基板を備える。第２の表面は、結晶化開始材料をアモルファス状態または初期結晶状態で維持するように構成される。結晶化核形成部位は、結晶化開始材料にある性質を与えるように構成される。
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【課題】最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は最表面が六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を表層部に有した酸化ガリウム単結晶複合体の選択的製造方法、及び窒化物半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を窒素プラズマで窒化処理して窒化ガリウム層を形成する際に窒化処理の時間を制御することで、反射高速電子線回折によって測定される窒化ガリウム層の最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を選択的に製造する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法、及びこの複合体の表面に窒化物半導体膜を成長させる窒化物半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】立方晶系の窒化物半導体と格子整合して、III族窒化物半導体を結晶成長させた際に六方晶系結晶の混入が低減されて立方晶系結晶が支配的となる、高品質な立方晶系の窒化物半導体を得ることができる酸化ガリウム単結晶複合体基板を、簡便にかつ低コストで製造することができる方法、及び窒化物半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を化学的機械研磨し、当該表面をＥＣＲプラズマ又はＲＦプラズマにより励起された窒素プラズマで窒化処理して、基板の表層部に立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であり、この複合体の表面に窒化物半導体膜を成長させる窒化物半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ_２Ｏ_５とＫ_２ＣＯ_３の混合物にフラックスを添加し、８００〜１０００℃の温度範囲で焼成する。フラックスとしてはＫＦが好ましく用いられる。固相法でありながらも低温で結晶育成が可能となり、結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供することができる。 （もっと読む）