【課題】周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造に使用することができる、反応容器、撹拌翼、種結晶保持棒、種結晶保持台、バッフル、ガス導入管及びバルブ等の部材を正確かつ簡便に選定する方法、並びに部材の変質及び／又は劣化に悪影響を受けない周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】部材の体積及び／又は寸法を測定し、未使用の状態からの体積変化及び／又は寸法変化を指標として、周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造に使用する部材を選択することにより、結晶成長に悪影響を与えない部材を正確かつ簡易的に選択することができる。前記部材の選択方法は、部材の膨張に関して、水素を取り込む影響が大きいため、反応系中に水素元素を含む成分が存在する製造方法に対して特に好適である。 （もっと読む）

【課題】成長炉内を均熱化することが可能であり種結晶近傍でのＳｉＣ多結晶の発生を抑制し得る溶液法によるＳｉＣ単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】溶液法により原料溶液２からＳｉＣ種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させるための種結晶３を有する成長炉４と、該種結晶３を支え且つ種結晶３から熱を成長炉４の外部に伝達するための支持軸５と、前記原料溶液２を収容する坩堝６と、前記坩堝６を成長炉４内の内壁から距離をおいて保持するための支持部８と、前記成長炉４を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体９とを含んで成る溶液法ＳｉＣ単結晶製造装置１を用いるＳｉＣ単結晶製造方法であって、前記支持部８の少なくとも一部として、坩堝６を支える方向の熱伝導率（ＴＣ_Ｖ）と前記方向に垂直な方向の熱伝導率（ＴＣ_Ｈ）との間にＴＣ_Ｈ＞ＴＣ_Ｖの関係を有する部材から構成されてなる伝熱異方性支持部１１を用いる。 （もっと読む）

【課題】育成容器内で窒化物単結晶を育成するのに際して、単結晶成長に直接必要な時間以外の時間を削減し、単結晶を効率よく育成する単結晶育成装置を提供することである。
【解決手段】窒化物単結晶育成装置は、予熱ゾーン３、結晶育成ゾーン４および冷却ゾーン５を備えている主部、予熱ゾーン３の上流側に設けられた第一の圧力調整室２Ａ、予熱ゾーンと第一の圧力調整室との間に設けられた第一の耐圧仕切り弁９Ａ、冷却ゾーン５の下流側に設けられた第二の圧力調整室２Ｂ、冷却ゾーンと第二の圧力調整室との間に設けられた第二の耐圧仕切り弁９Ｂ、主部内を加熱するマルチゾーンヒーター、および第一の圧力調整室から主部を通って第二の圧力調整室まで育成容器を移送する移送機構を備えている。 （もっと読む）

【課題】下地基板の表面の転位密度を低減させて、その下地基板上に転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、溶液３中でＩＩＩ族元素と窒素とを反応させてＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、少なくとも表面層１０ａおよび表面層１０ａに隣接する表面側部分１０ｂがＩＩＩ族窒化物種結晶で形成されている下地基板１０の表面層１０ａをメルトバックする工程と、メルトバックされた下地基板１０上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、さらにＩＩＩ族窒化物結晶２０の表面層２０ａのメルトバックおよびＩＩＩ族窒化物結晶２０の成長を１サイクルとする結晶メルトバック成長サイクルを１サイクル以上と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０²Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上２×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、エッチピット密度が５×１０⁶／ｃｍ²以下のものである。この結晶は、液相法（Ｎａフラックス法）により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができるＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器５内に坩堝１を収納させ、この坩堝１を処理容器５内に入れる前、あるいは、入れた後に、処理容器５内に固体原料処理液６を流入させ、坩堝１内には、支持体３で支持された種基板２と、この種基板２上に生成された結晶８と、これらの種基板２および結晶８を覆った固体原料４とが収納された状態とし、支持体３は、所定間隔離して配置した複数の支持脚を有し、各支持脚の支持部で種基板２の外周下面側を支持させた。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体のフラックス成長において滑らかな攪拌ができる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】３．Ａでは、サーボモータを有するアクチュエータＭＡ１及びＭＡ３（ＭＡ３は見えない）が、同じ下降量だけシャフト３１及び３３を下方向に移動させ、サーボモータを有するアクチュエータＭＡ２及びＭＡ４（ＭＡ４は見えない）が、同じ上昇量だけシャフト３２及び３４を上方向に移動させた場合を示している。外部容器はその基準面Ｃ０’の法線であるｚ’軸が図の左方向に傾いている。３．Ｂでは逆の状態となりｚ’軸が図の右方向に傾いている。ｚ’軸が傾斜すべきφ面を連続して移動させることで、外部容器が、ｚ’軸の回りを回転すること無くその傾斜方向を滑らかに移動させることができる。内蔵された反応容器（坩堝）の傾斜方向も追随し、板状の種結晶を覆うナトリウム／ガリウム溶液は、種結晶に対して常に移動することになる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により種結晶基板上に窒化ガリウムの結晶を生成させた窒化ガリウム結晶板であって、高品質なものを提供する。
【解決手段】種結晶基板５４を金属ガリウム及び金属ナトリウムを含む混合融液に浸漬した容器５０を、７００〜１０００℃で加圧窒素ガスの雰囲気下、種結晶基板５４上での窒化ガリウムの結晶成長速度が１０〜２０μｍ／ｈとなるように回転させる。その後、容器５０にエタノールを加えて金属ナトリウムを溶かし、溶け残った窒化ガリウム結晶板を回収する。 （もっと読む）

単結晶ダイヤモンドを合成するための高圧高温（ＨＰＨＴ）方法であって、アスペスト比が少なくとも１であり、成長表面が｛１１０｝結晶面と実質的に平行である単結晶ダイヤモンド種子を利用することが記載される。１２８０℃から１３９０℃の温度範囲で成長する。 （もっと読む）

【課題】種結晶基板上に窒化物単結晶を育成する時に、窒化物単結晶の品質を保持しつつ、窒化物単結晶の到達膜厚を向上させることである。
【解決手段】育成容器内でフラックスおよびＩＩＩ族原料を含む融液に種結晶基板を浸漬し、窒素含有雰囲気下で、この種結晶基板上に窒化物単結晶を育成する。融液を加熱して未飽和状態で保持することによって、融液中に窒素を溶解させる。次いで融液を過飽和状態とし、種結晶基板上に窒化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】種結晶基板上に窒化物単結晶を育成する時に、窒化物単結晶の単位時間当たりの生産性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】育成容器内でフラックスおよび単結晶原料を含む融液に種結晶基板を浸漬し、この種結晶基板の育成面上に窒化物単結晶を育成する。フラックスおよびＩＩＩ属原料を含む融液を未飽和温度ＴＳ１に加熱することによって、フラックスおよびＩＩＩ属原料を含む融液中に窒素を溶解させる（窒素溶解工程Ａ１）。フラックスおよびＩＩＩ属原料を含む融液を飽和温度以下ＴＫ１に冷却する（冷却工程Ｂ１）。次いでフラックスおよびＩＩＩ属原料を含む融液を未飽和温度ＴＳ２に加熱する（再加熱工程Ａ２）。次いでフラックスおよびＩＩＩ属原料を含む融液を飽和温度以下に再冷却する。 （もっと読む）

【課題】超伝導体層を鋳型緩衝層に直接蒸着させることができる、簡略化された層構造を有する被覆導体の提供。
【解決手段】二軸配向組織化基板と、一般式ＲＥ_2-xＢ_2+xＯ₇（ここで、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種の金属であり、Ｂは、Ｚｒ及びＨｆから選択される少なくとも１種の金属であり、−０．４≦ｘ≦＋０．７である。）を有する材料から構成される鋳型緩衝層と、該鋳型緩衝層上に直接被覆され、ハイブリッド液相エピタキシーにより得られる超伝導体層とを備える被覆導体を提供する。 （もっと読む）

【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供する。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に金属膜を形成する。この金属膜を窒化することによって、空隙を有する金属窒化物膜４を設ける。金属窒化膜４上に種結晶膜５を気相成長法により形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶６を種結晶膜５上にフラックス法によって育成する。単結晶６は金属窒化物膜４に沿って基板１から容易に剥離する。 （もっと読む）

【課題】 高価なＧａＮの薄膜を堆積した種結晶基板を用いることなく、結晶性に優れたＧａＮ単結晶等の窒化物単結晶を得ること。
【解決手段】 窒化物単結晶の製造方法は、種結晶基板４の表面に化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表される窒化物単結晶８をフラックス法によって成長させる窒化物単結晶８の製造方法であって、種結晶基板４は窒化物単結晶８を成長させる成長面が窒素で終端されている。 （もっと読む）

【課題】坩堝に収容された、単結晶原料が溶解している融液に、種結晶基板を接触させ、基板上に単結晶を成長させる液相エピタキシー法によるバルク単結晶の成長における欠陥発生を、オフ角を利用せずに抑制する方法を提供する。
【解決手段】単結晶が成長面［例、（０００１）面］に対して鏡映対称性を有していない結晶構造を持つ、ＳｉＣやＡｌＮ等のＩＶ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である場合に、基板保持具４と坩堝６に電源３から通電して、単結晶の成長面と基板２の単結晶成長面とは反対側の面との間にパルス電圧を印加しながら単結晶を成長させる。坩堝６と結晶保持具４は導電性の材質とし、結晶保持具４の先端部の周囲には、この保持具４と融液１との電気的接触を防止するための絶縁材５を配置する。 （もっと読む）

【課題】液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）において、Ｎａを含む溶媒を用いて育成しても回転子の光損失を再現良く低減できる磁性ガーネット単結晶及びそれを用いたファラデー回転子を提供する。
【解決手段】化学式Ｂｉ_αＮａ_βＭ１_{３−α−β}Ｆｅ_５−γＭ２_γＯ_１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．６００＜α≦１．５００、０．００３≦β≦０．０５０、１．４５０≦３−α−β＜２．３９７、０．２０≦γ／（２β）≦０．８５）で示される磁性ガーネット単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質の単結晶を製造することが可能な単結晶製造装置、該単結晶製造装置を用いて製造される単結晶材料、電子部品並びに単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶の原料１０２が収容される金属ルツボ１０１と、該金属ルツボ１０１を高周波加熱する加熱手段（高周波誘導加熱コイル１０３、高周波加熱電源１０４）と、電磁シールド１０９でシールドされ前記金属ルツボ１０１の温度を熱電対１１０で検出する温度センサーと、前記金属ルツボ１０１の原料融液１０２から単結晶１０７を成長させる単結晶成長手段と、前記加熱手段を制御する制御手段である温度調節器１１１とを備え、前記温度調節器１１１は、前記温度センサーの検出信号に基づいて、前記加熱手段を制御して単結晶成長過程における前記原料融液１０２の温度調整を行う。 （もっと読む）

【課題】安定した大きなドメインを持ち、かつ均一で高品質なIII 族金属窒化物単結晶を育成する方法を提供する。
【解決手段】基板本体と、基板本体の表面に形成されたIII 族金属窒化物単結晶の下地膜とを備えているテンプレート基板に、フラックスを使用してIII 族金属窒化物単結晶５を育成する。この際、テンプレート基板の成膜面において、下地膜が複数の島状部７に分かれており、隣接する島状部７の間に基板本体の表面の露出部分が設けられており、島状部７が、互いに異なる方向に向かって延びる複数の腕部７ａ、７ｂ、および複数の腕部７ａ、７ｂと連続する連結部７ｃを備えている。 （もっと読む）

【課題】フラックス法によって窒化物単結晶を育成するのに際して、結晶基板の反りや粒界生成を抑制する方法を提供する。
【解決手段】融液中で針状種結晶９の側面９ａから単結晶１０を成長させる。好ましくは、針状種結晶９が窒化物単結晶からなる。また、好ましくは、育成される窒化物単結晶１０のｃ軸が針状種結晶９の主軸Ｘと略平行となるように単結晶を育成する。好適な実施形態においては、針状種結晶９の主軸Ｘが窒化物単結晶基板の法線と平行になるように、基板を切り出す。 （もっと読む）

【課題】輝度低下要因の一つである不要な不純物の混入を低減させ、高輝度な発光素子が得られるエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、半導体層を液相エピタキシャル法により順次形成するエピタキシャルウエハの製造方法において、基板２を収納するための成長治具３と原料溶液Ｌを収納するための溶液フォルダ５との互いに接触する面３ｕ，５ｄを、予め鏡面研磨加工しておく方法である。 （もっと読む）