【課題】 窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体結晶２０２を格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板２０１の（ＡＢＣＤ）［Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に−４〜４の整数。］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 不純物が少なく、かつ、転位密度が低く結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 昇華法により成長させたＡｌＮ種結晶１を用いて、ＨＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法。ここで、上記成長方法により得られたＩＩＩ族窒化物結晶の一部を種結晶として用いて、ＨＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物結晶を成長させることもできる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、大気圧下での水晶波長板の育成において、電気炉内に載置されたサファイヤ等の単結晶または石英ガラス等の非晶質の基板上に、載置されたマスクパターン形状の水晶波長板を育成させ、一度に先の基板上に複数個の二つの波長において同じ屈折率差Δnを有する水晶波長板、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する為に本発明は、気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板において、水晶波長板の育成中に添加物を加えることで、二つ以上の波長において異常光線の屈折率から常光線の屈折率を差し引いた差が同じとなる水晶波長板であることを特徴とし、又、気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板の製造方法で、添加物を加えながら、マスクが載置された基板上に、マスクパターン形状の前述の特性を有する水晶波長板を基板上に一度に複数個育成させることで目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 １０００℃以上の高温条件下において窒化物半導体と良好な格子整合性を有する化合物半導体元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 窒化物半導体形成用ガスを導入することにより格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板上に第１の窒化物半導体層を成長させ、該成長温度以下の温度で前記窒化物半導体形成用ガスに含まれている反応性ガスと前記元基板とを反応させて前記元基板を除去し、さらに前記第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法。洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

希釈磁性半導体（ＤＭＳ）ナノワイヤを製作する方法について示した。この方法は、触媒がコーティングされた基板を提供するステップと、前記基板の少なくとも一部を、塩化物系蒸気搬送体を介して、半導体およびドーパントに暴露するステップと、を有し、ナノワイヤが合成される。この新しい塩化物系化学気相搬送処理方法を用いて、単結晶希釈磁性半導体ナノワイヤＧａ_１−ｘＭｎ_ｘＮ（ｘ＝０．０７）が合成される。ナノワイヤは、直径が〜１０ｎｍ乃至１００ｎｍであり、全長は最大数十μｍであり、キューリー点が室温を超える強磁性体であり、２５０Ｋ（ケルビン）まで磁気抵抗を示す。
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半絶縁ＩＩＩ族窒化物層および半絶縁ＩＩＩ族窒化物層の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物層を浅い準位のｐ型ドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を、例えば深い準位の遷移金属ドーパントなどの深い準位のドーパントでドーピングすることを有する。このような層および／または方法はまた、ＩＩＩ族窒化物層をおよそ１×１０^１７ｃｍ^−３よりも小さい濃度を有する浅い準位のドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を深い準位の遷移金属ドーパントでドーピングすることを有する。深い準位のドーパントの濃度は、浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大きい。
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本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）