【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 （もっと読む）

ファンシーな橙色の合成CVDダイヤモンド材料の製造方法を開示する。本方法は、CVDによって成長した単結晶ダイヤモンド材料を照射して該CVDダイヤモンド材料の少なくとも一部に孤立空孔を導入する工程及び照射されたダイヤモンド材料を次にアニールして、導入された孤立空孔の少なくともいくつかから空孔鎖を形成する工程を含む。ファンシーな橙色のCVDダイヤモンド材料をも開示する。 （もっと読む）

【課題】成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１１の一方の主表面上にたとえばＳｉＣやＳｉのエピタキシャル層を形成するために用いる成膜装置１００の本体部３０は、ガス供給部９から供給される、成膜の原料となるガスを用いて成膜を行なう成膜領域２１と、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する分解領域２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 光学素子または光学素子成形用金型の加工用などのダイヤモンド工具で、特に先端切れ刃が微小の工具であっても摩耗の進展が遅く、しかも折損しにくい超精密切削加工用ダイヤモンド工具を提案する。
【解決手段】 窒素濃度が１〜１００ｐｐｍの気相合成単結晶ダイヤモンドに切れ刃を形成したダイヤモンド工具とする。切れ刃は、直線状の第１の縁部と、第１の縁部に交差する方向に形成された第２の縁部と、第１の縁部の端部と第２の縁部の端部とを結ぶ円弧状の第３の縁部とを有し、第１の縁部と前記第２の縁部とがなす角は、４５°以下である工具や、切れ刃の長さが１ｍｍ以下でかつ切れ刃は自由曲線、円弧、直線のいずれかを組み合わせた総形形状の切れ刃である工具であっても、折損しにくく摩耗も進展しにくいので、工具寿命を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。好ましい実施形態では、これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。
（もっと読む）

【課題】 結晶α−アルミナ基板表面に窒化アルミニウム単結晶膜を有する窒化アルミニウム積層基板において、結晶性が向上し欠陥密度の低い窒化アルミニウム単結晶膜を有する基板を提供する。
【解決手段】 単結晶α−アルミナ基板をカーボン、窒素および一酸化炭素の存在下に加熱して還元窒化反応で基板上に窒化アルミニウム単結晶膜を製造する方法において、原料単結晶α−アルミナ基板および生成窒化アルミニウム単結晶以外のアルミニウム化合物であって反応雰囲気中のアルミニウム濃度を制御可能なアルミニウム化合物、例えば窒化アルミニウムやアルミナ等を反応系中に共存させて前記反応を進行させる。 （もっと読む）

基板（１３）上に高アスペクト比のエミッタ（２６）を成長させるための装置を提供する。この装置は、チャンバを画定するハウジング（１０）を備え、高アスペクト比のエミッタ（２６）をその上に成長させるための表面を有する基板を保持するために、ハウジングに取付けられ、かつ、チャンバ内に配置された基板ホルダ（１２）を備える。加熱エレメント（１７）は、基板近くに配置され、炭素、伝導性サーメット、及び伝導性セラミックスからなる群から選択された１つ以上の材料である。ハウジングは、高アスペクト比のエミッタ（２６）を形成するために、ガスをチャンバ内へ受け入れるためのチャンバ内への開口部（１５）を画定する。
（もっと読む）