【課題】ＧａＮ単結晶基板をより平坦あるいは凹形状に加工するＧａＮ単結晶基板の加工方法及びＧａ単結晶基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１のＧａ面１ｇに予め加工歪を与えた後、その基板１を平坦なプレート２にＧａ面１ｇが接触するように無荷重で貼り付け、基板１のＮ面１ｎを加工歪フリーの平坦加工し、プレート２から基板１を取り外し、取り外した基板１をプレート２にＮ面１ｎが接触するように荷重をかけて貼り付け、Ｇａ面１ｇを加工歪みフリーの平坦加工し、プレート２から基板１を取り外して仕上げる加工方法である。 （もっと読む）

本発明は、活性有機化合物の結晶粒子を製造する方法に関する。この方法は、湿式粉砕プロセスによって微細な種を生成する工程と、微細な種を結晶化プロセスに付す工程とを含む。得られる結晶粒子は約１００μｍ未満の平均粒径を有する。本発明はまた、本発明の方法によって製造される結晶粒子及び薬学的に許容可能な担体を含む医薬組成物も提供する。
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【課題】 単結晶ダイヤモンドを有するダイヤモンド製品を製造する場合に、ダイヤモンドの形状が複雑であっても、表面欠陥の少ないダイヤモンド製品の製造方法を提案する。
【解決手段】 ダイヤモンド研磨するにあたり、ダイヤモンドを機械研磨し、その後、大気中で加熱されて酸化銅が形成された銅板を前記ダイヤモンドに静的に接触させ、所定時間その状態を保持してダイヤモンドを摩耗させることにより、ダイヤモンド表面のマイクロクラックを除去して高品位なダイヤモンド製品を製造する。銅板の表面粗さは、機械研磨されたダイヤモンドの表面粗さ以下とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固形物の物質除去方法、特に、液体ジェット誘導レーザーエッチングによる微細構造化あるいは切削に関する。
【解決手段】反応していないエッチング成分としての除去された物質は、高度に再循環される。このように、高純度のシリコンが、同じ処理連鎖内で、基板上に多結晶の態様で回収されるか、あるいはエピタキシャルに蒸着され得る。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡単に特定の位置に突起物を存在させることができる金属酸化物構造体の製造方法を提供する。また、この方法で製造された金属酸化物構造体、及びこの金属酸化物構造体を用いた電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る代表的な金属酸化物構造体の製造方法は、断面の円換算径０．０１〜１００００μｍ、長さ０．１μｍ以上であり、かつ断面の円換算径に対する長さの比が０．０１以上である突起物を複数有する金属酸化物を有する金属酸化物構造体の製造方法であって、前記金属酸化物構造体の所定の面に前記突起物を有する前記金属酸化物を形成した後に、少なくとも一部の前記突起物を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 研磨性能がよく強固な凝集を生じにくい、Ｄ50値が50nm未満のダイヤモンド微粉を提供する。
【解決手段】1. Ｄ50値が50nm未満の単結晶質ダイヤモンド粒子の集合体であって、粒子の表面が一部、非ダイヤモンド構造炭素に転化され、かつ粒子間には、加熱操作時に生成した非ダイヤモンド構造炭素が介在する。2. 単結晶質原料ダイヤモンドを機械的な衝撃破砕手段によって粉砕し、さらに精密分級工程でＤ50値が50nm未満のダイヤモンド微粉とし、カーボン発生剤の溶液乃至分散液に浸して粒子表面にカーボン発生剤を付着せしめ、不活性雰囲気中800〜1400℃で加熱し、この際、予め生成した或はその場でカーボン発生剤から生成する非ダイヤモンド構造炭素をダイヤモンド粒子間の分離剤とすることで、粒子の凝集を効果的に回避する、上記のダイヤモンド微粉の製造法。 （もっと読む）

実質的に表面欠陥がない基体の上に化学蒸着により成長したダイヤモンドから、化学蒸着によって、単結晶ダイヤモンドの大面積プレートを製造する方法。化学蒸着によりホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンド及び前記基体は、ダイヤモンド成長が起こった基体の表面を横切って切り離し、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドの大面積プレートを製造する。
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