アルカリ土類・カルコゲン化合物、アルカリ・カルコゲン化合物、I-VII族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI₂族化合物、IV-IV族化合物、II-VII₂族化合物の群から選ばれる化合物であって、B、C、N、O、F、Si、Geなどの最外殻に不完全なp電子殻を持つ少なくとも１種の元素を固溶していることで、強磁性転移温度が室温以上であることを特徴とする光を透過しながら高い強磁性特性を有する単結晶の透明強磁性化合物。これらの最外殻に不完全なp電子殻を持つ元素の濃度の調整、アクセプターおよびドナーの添加などにより価電子制御を行いその強磁性特性を調整する。 （もっと読む）

屈折率の均質性残差は適用波長１９３ｎｍ及び１５７ｎｍ双方用のリトグラフィー装置の性能に対して強く影響する。ＣａＦ_２結晶の実際構造中の種々欠陥を組織的に調べることによって均質性残差の原因を明らかにすることができた。定量分析結果に基づき、個々の欠陥について、例えば徐冷等の最適化された処理工程において許容あるいは制御され得る限界値が限定される。このような関連づけがＣａＦ_２ブランクの当面の問題である３つの主要結晶格子方位について確立された。結論として、２７０ｍｍまでの大形レンズブランクについて決定的パラメータである屈折率均質性及び脈理の顕著な改善が達成された。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも０．０１８モル／ｋｇの、フッ化物の状態で存在する２価の陽イオンＭがドーピングされている、特に単結晶の形をしている、結晶性のフッ化リチウムに関する。イオンは、Ｍｇ^２＋、Ｚｎ^２＋又はＣｏ^２＋であることができる。このフッ化物は、高い反射性と、それから放出される強い放射線とを有することができ、また、この放射線は、とりわけ希土類ハロゲン化物タイプの高速光シンチレータによって効果的に受容することができる。この物質は、元素分析の目的のため、Ｘ線蛍光放射線用のモノクロメータとして特に有用である。 （もっと読む）

電気光学素子として有用な新規な４−ジメチルアミノ−４−スチルバゾリウムトシレート（ＤＡＳＴ）の結晶を提供する。
本発明では、ＤＡＳＴの双晶によって、電気光学素子として用いるに有効な大きさのＤＡＳＴを提供できた。
ＤＡＳＴ双晶は、種結晶法あるいは斜面結晶育成法によって得ることができた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、縦の両面（43、44）と縦方向の両エッジ(41、42)を有する平面であり細長い可動式支持材(4)上に、多結晶シリコンを主成分とした層を析出させる装置に関する。
【解決手段】溶融シリコン槽(2)、槽に少なくとも一部が浸され槽の平衡な液面に対し長さ方向に垂直になるよう設計された支持材(4)を含んだるつぼと、少なくとも1つのエッジ制御要素(5、5´)と、を備え、各エッジ制御要素は、二つの縦方向のエッジ（41、42）のうちの一つの近傍で垂直に設置されている。
各エッジ制御要素には壁面があり、その壁面（51から53´）が縦方向エッジ近くに縦の挿入口を形成している。それぞれの挿入口は、縦方向のエッジ付近で毛管現象により槽(2)のレベルが上昇できるよう槽(2)の一部に浸漬させる。
挿入用壁面と呼ばれる縦の面のうちの一つの一部に面した壁面(51から52´)のうち、少なくとも1つは平面であることが、この装置の特徴である。
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第１ステージと第２ステージとを有する、ツリーの形態を持つナノ構造を形成する方法。第１ステージは、基板表面上に少なくとも１つの触媒粒子を供給し、かつ、各触媒粒子を介して第１ナノウィスカーを成長させる工程を含む。第２ステージは、各第１ナノウィスカーの周囲に、１つ以上の第２触媒粒子を供給し、各第１ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第２ナノウィスカーを成長させる工程を含む。更なるステージは、以前のステージのナノウィスカーから伸びる１つ以上のさらなるナノウィスカーを成長させる工程を含み得る。ヘテロ構造は、ナノウィスカー中に形成され得る。このようなナノ構造は、太陽電池アレイまたは光放出フラットパネルのコンポーネントを形成し得る。その構造において、ナノウィスカーは光電性材料から形成される。神経ネットワークは、複数の第１ナノウィスカーを近くに一緒に配置し、連続するステージで成長したナノウィスカーを通して隣接するツリーが互いに接触し、ナノウィスカー内のヘテロ結合が電流の流れに対してトンネル障壁を形成するようにすることによって、形成され得る。
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環境変化の影響を受けず、複屈折量が±０．０００５の範囲内である光学用材料を提供し、これを用いた光学電子部品や、光学電子装置の提供を目的とする。
タンタル酸リチウムであって、該タンタル酸リチウムにおける酸化リチウムと酸化タンタルのモル組成比率（Ｌｉ₂Ｏ／Ｔａ₂Ｏ₅）が０．９７５以上０．９８２以下であることを特徴とする、光学用材料であり、屈折率の高い光学用材料を光学系として使用することができるので、同じ焦点距離でレンズの厚みをより薄くすることができる。その結果、これら特性を有するレンズを使用することにより、より小型化，薄型化，高機能化した光学電子部品を提供できるとともに、これらの特性を有する光学電子装置を提供することができる。 （もっと読む）

単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。機械的応力および/またはひずみが減少した、このような物品は改良された収率により表される。 （もっと読む）

単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。１つの態様において、このような物品は改良された収率により表される、減少した機械的応力および/またはひずみを有する。さらに、単結晶スピネルは非化学量論的組成を有し、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの波長範囲にわたる透明性窓を有する。 （もっと読む）

本発明は、ＡｌＮ単結晶を製造する方法及び装置に関する。気相を、坩堝（１０）の貯蔵領域（１２）内にあるＡｌＮ供給材料（３０）の一部から生成する。ＡｌＮ単結晶（３２）を坩堝（１０）の結晶領域（１３）内で気相から成長させる。少なくとも１つのガス状成分は、例えば気相内に存在する成分の１つは、坩堝（１０）の内部帯域（１５）と、坩堝（１０）の外部帯域（１１）との間で、特に２方向に拡散することができる。
図１

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キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）