単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。機械的応力および/またはひずみが減少した、このような物品は改良された収率により表される。 （もっと読む）

チョクラルスキー法により、単結晶引上げ装置１１のチャンバ１内に不活性ガスを流下させるとともに、原料融液２から引上げた単結晶３を整流筒４で取り囲んで単結晶を製造する方法において、単結晶の径方向にリング状に発生するＯＳＦ領域の外側のＮ領域の単結晶を引上げる際、引上げる単結晶の直径をＤ（ｍｍ）としたとき、該単結晶と前記整流筒との間の不活性ガスの流量を０．６Ｄ（Ｌ／ｍｉｎ）以上とし、かつ前記チャンバ内の圧力を０．６Ｄ（ｈＰａ）以下とする条件で前記Ｎ領域の単結晶を引上げることを特徴とする単結晶の製造方法。整流筒として、少なくとも表面のＦｅ濃度が０．０５ｐｐｍ以下のものを用いることが好ましい。これにより、ＣＺ法により整流筒を備えた装置により単結晶を製造する場合に、低欠陥であって、かつ、外周部においてもＦｅ濃度を１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下に抑えることができる単結晶の製造方法が提供される。 （もっと読む）

制御された窒素含有量を有する半絶縁性炭化珪素結晶を製造する方法を開示している。
前記方法は、昇華グロースチャンバ中に水素を含む雰囲気ガスを導入する工程；水素雰囲気グロースチャンバ中で炭化珪素原料粉末を加熱して昇華させる工程、一方、該水素雰囲気グロースチャンバ中で、炭化珪素種結晶を、該原料粉末の温度を下回る第二の温度まで加熱し且つその温度に維持して、該第二の温度で、該原料粉末からの昇華種を該種結晶上で凝縮させる工程、所望の量の炭化珪素結晶成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素原料粉末を加熱し続ける工程、一方、成長炭化珪素結晶中へ混入する窒素の量を最少にするのに充分な濃度にグロースチャンバ中の水素の雰囲気濃度を維持する工程；そして、一方、得られる炭化珪素結晶を半絶縁性にする量まで該成長結晶中の点欠陥の数を増加させるのに充分に高いそれぞれの温度に、該原料粉末及び該種結晶を、昇華成長している間、維持する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、ＡｌＮ単結晶を製造する方法及び装置に関する。気相を、坩堝（１０）の貯蔵領域（１２）内にあるＡｌＮ供給材料（３０）の一部から生成する。ＡｌＮ単結晶（３２）を坩堝（１０）の結晶領域（１３）内で気相から成長させる。少なくとも１つのガス状成分は、例えば気相内に存在する成分の１つは、坩堝（１０）の内部帯域（１５）と、坩堝（１０）の外部帯域（１１）との間で、特に２方向に拡散することができる。
図１

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本発明は、炭化珪素結晶中の窒素含量を調整することに関するものであり、また詳しくは、炭化珪素の昇華成長中の窒素の混入を低下させることに関する。本発明は、グロースチャンバ中にすべて水素の雰囲気を提供することによって、成長炭化珪素結晶中の窒素濃度を制御する。水素原子は、成長結晶の表面における窒素原子の混入を実質的に遮断するか、減少させるか又は妨害する。 （もっと読む）

この発明は、単結晶チョクラルスキー型シリコンインゴットウエハ、及び安定化された酸素析出核形成中心の不均一な分布を有するそのような単結晶チョクラルスキー型シリコンインゴットウエハの製造方法に関する。特に、ピーク濃度はウエハバルク部に位置しており、析出物のない領域は表面から内側へ延びている。

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電子および／または光電子用途用のＧａＮデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ ＮｉおよびＣｕなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。
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本発明は、第１熱膨張係数および第１熱膨張係数とは異なる第２熱膨張係数をそれぞれ有し、且つ第１および第２組み合わせ面をそれぞれ有する、膜と基板（８５，８２）とが組み合わされてなり、第２基板（８２）にモチーフが形成され、そのモチーフは、第１および第２組み合わせ面と平行な平面において、弾力性または柔軟性がある、構造に関する。 （もっと読む）

シリコンエピタキシャルウェーハの主裏面に微少な凹凸が生じるのを抑制でき、主裏面全体のヘイズレベルを５０ｐｐｍ以下にするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
反応容器内に、シリコン単結晶基板を載置可能なサセプタが配設され、サセプタに載置されたシリコン単結晶基板に、水素雰囲気中で熱処理を施す水素熱処理工程と、水素熱処理工程後に、シリコンエピタキシャル層を気相成長する気相成長工程とを備えるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、水素熱処理工程中に、シリコン単結晶基板をサセプタから離間させ、気相成長工程の間は、シリコン単結晶基板をサセプタに載置する。
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【課題】原料の落下による坩堝の破損を防止することが可能な原料供給装置を提供する。
【解決手段】原料供給装置２０は円筒状のフィーダ２１を備え、チャンバ２の開口部３ａにフィーダ２１を挿通する。フィーダ２１は、チャンバ２の上部からワイヤ２３により吊下げられており、上下方向に昇降可能である。そのため、ピース２５を供給する際に、フィーダ２１の先端は坩堝５の近くまで移動することが可能である。また、フィーダ２１は、ピース２５の汚染を防ぐとともに、高熱に耐えることができるように石英で構成されている。フィーダ２１の内部には、そのフィーダ２１の内径より若干小さい径の円板状のピース２５が複数積層された状態で装填されている。フィーダ２１には投入機構が配設されており、その投入機構によりピース２５を１つずつ坩堝５内の融液に投入する。 （もっと読む）

【課題】 混合融液の液面（気液界面）の変動を積極的に利用することで、III族窒化物結晶の結晶成長速度を高め、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を低コストで成長させる。
【解決手段】 混合融液１０３に含まれるアルカリ金属を蒸発させることによって、混合融液表面の相対的位置を低下させることができる。これによって、III族窒化物結晶（ＧａＮ）１１０を治具１１９の先端部から下方に向けて継続的に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】 アニール処理を不要としたカットロッドの加工方法を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコンロッドの外周部分または外周部分の一部を取り除き、残した中央部分に加工を施すことを特徴とする加工方法であって、好ましくは、直径の１０〜６０％に相当する外周部分を研削して取り除いた後に溝加工などを施す加工方法およびこの加工を施した多結晶シリコンロッド。 （もっと読む）