【課題】 無機微結晶を連続して製造する際に、結晶核の析出過程、結晶核を基に結晶成長させる結晶成長過程等における温度制御を容易にすることにより、無機微結晶の析出条件や成長条件を容易に制御することが可能であり、その結果、無機微結晶の製造条件の最適化が可能な無機微結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明の無機微結晶の製造方法は、無機微結晶の原料となる溶液またはスラリーを温度（１）にて保持し、次いで、この温度（１）に保持された溶液またはスラリーを温度（１）と異なる温度（２）に保持して結晶核を析出させ、次いで、この溶液またはスラリー中の結晶核を温度（３）にて結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成、すなわちストイキオメトリー組成であって電気比抵抗が極めて高い酸化亜鉛単結晶、この酸化亜鉛単結晶より得られるエピタキシャル成長用基板及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成であり、電気比抵抗が１×１０^９Ω・ｃｍ以上である酸化亜鉛単結晶、それより得られるエピタキシャル成長用基板およびそれらの製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。
【解決手段】柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、水熱合成法によって製造される人工水晶の製造方法において、オートクレーブといった圧力容器内にヘビーケーキを発生することの無い人工水晶の製造方法を提供することである。
【解決手段】
上記の目的を達成する為に本発明は、アルカリ溶液に４．０±０．５wt％のNaOHを主溶質として使用する水熱合成法により製造される人工水晶の製造方法において、オートクレーブ内の育成温度をTとした場合、次の式１で得られる圧力Pよりも高い圧力に制御することにより、ヘビーケーキを発生させない人工水晶の製造方法である。
P = 6×10＾-18×T＾7.95 （誤差10％を含む） - 式１ （もっと読む）

本発明は、高結晶性の架橋高分子材料、例えば高結晶性の架橋超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）の製造方法に関する。本発明は、高圧および高温結晶化製法を使用し、酸化防止剤ドーピングした、高結晶性の架橋高分子材料を製造する方法、その材料から製造された医療用充填材、およびそれに使用する材料も提供する。
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