【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ファラデー回転子としたときの光透過性やファラデー回転能の劣化が見られないビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
（ＢｉＲ）_３−ａＭ１_ａＦｅ_{５−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ｂＰｔ_ｃＭ２_ｄＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１：Ｃａ及びＳｒから選択される一種または二種の元素、
Ｍ２：Ｇｅ及びＳｉから選択される一種または二種の元素、
０．０１＜ａ＜０．１，０．１５≦ｂ＋ｄ≦０．６，０．０１≦ｃ≦０．０４，ａ＝ｃ＋ｄ）
で表されるものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Ｂｉと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、ＲＩＧ膜と略記する)が選択された場合、得られるＲＩＧ膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けＲＩＧ膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】ＲＩＧ膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてＲＩＧ膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が２００μｍ以上３５０μｍ以下、ＲＩＧ膜の膜厚が１００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をＴ(μｍ)、ＲＩＧ膜の膜厚をｔ(μｍ)としたとき、上記要件に加えて、下記(数１)を満たすことを特徴とする。
-２Ｔ＋７００（μｍ） ≦ ｔ ≦ -４Ｔ＋１５００（μｍ） （数１） （もっと読む）

【課題】基板の表面に単結晶ＳｉＣのエピタキシャル層を形成する構成の半導体ウエハの製造方法であって、製造コストの低減及び半導体ウエハの大口径化を実現する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、カーボン層形成工程と、貫通孔形成工程と、フィード層形成工程と、エピタキシャル層形成工程と、を含む。カーボン層形成工程では、多結晶ＳｉＣで構成される基板７０の表面にカーボン層７１を形成する。貫通孔形成工程では、基板７０に形成されたカーボン層７１に貫通孔を形成する。フィード層形成工程では、カーボン層７１の表面にＳｉ層７２ａ及び３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７３を形成する。エピタキシャル層形成工程では、基板７０を加熱することで、貫通孔を通じて露出した基板７０の表面に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶で構成される種結晶７４を形成し、前記種結晶７４を近接液相エピタキシャル成長させて４Ｈ−ＳｉＣ単結晶層７４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶の製造方法において、ＧａＮ結晶にインクルージョンが発生せず、かつ転位密度を減少させること。
【解決手段】種結晶１８として、ＧａＮからなる自立基板を用い、種結晶１８上に７μｍ／ｈ以下の成長速度でＧａＮ結晶１００を成長させた。ＧａＮ結晶１００はステップフロー成長し、種結晶１８から伝搬する転位はＧａＮ結晶１００中において曲げられ、転位密度が減少する。その後、ＧａＮ結晶１００上に７μｍ／ｈよりも速く、２５μｍ／ｈよりも遅い成長速度でＧａＮ結晶１０２を成長させた。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶の転位密度を減少させることが可能な、Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１８として、サファイア基板１００と、サファイア基板１００上に形成されたＧａＮ層１０１と、によって構成されたテンプレート基板を用い、ＧａＮ層１０１上に１５μｍ／ｈ以上の成長速度でＧａＮ結晶１０２を成長させた。インクルージョン１０３によって転位１０４の伝搬が阻止されるため、ＧａＮ結晶１０２の転位密度が減少する。次に、ＧａＮ結晶１０２上に７μｍ／ｈ以下の成長速度でＧａＮ結晶１０５を成長させた。ＧａＮ結晶１０５はステップフロー成長し、転位１０４はＧａＮ結晶１０５中において曲げられるため、転位密度がさらに減少する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面内において均一な厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１０を準備する工程と、液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を複数回繰り返して成長させる工程と、を備え、結晶成長面２０ｕ内において均一な厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表したとき、[M]と[Pt]との関係式Δ


の値を-0.31atppm以上2.08atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】組成均一性が高い自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯおよびＭｇＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりＭｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶を成長させ、その後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の速い単結晶SiCの成長方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、種結晶となる単結晶SiC基板5上に、C原子を供給するためのC原子供給基板17を重ね、前記単結晶SiC基板5と前記C原子を供給基板17との間に極薄金属Si融液層18を介在させ、1400℃以上2100℃未満の所定の温度で所定の時間加熱処理を行うことによって前記種結晶となる単結晶SiC基板5上に単結晶SiCを液相エピタキシャル成長させる単結晶炭化ケイ素の成長方法に関する。前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】品質の安定化により製造効率を大きく高めることができ、単位面積当りの製造コストを画期的に低下させることができる、薄板製造方法および薄板製造装置を提供する。
【解決手段】下地板Ｓを融液１００７の液面に浸漬させた後、引上げることで、下地板Ｓの表面に融液を凝固させて形成された薄板Ｐを下地板Ｓから取外し薄板Ｐを製造する薄板製造方法において、形成された薄板Ｐの板厚を特定可能なデータを測定し、測定した板厚に基いて融液１００７を加熱する加熱機構１００５の出力を制御することで、作製される薄板Ｐの板厚を一定に保つ温度に融液１００７の温度を制御し、薄板Ｐの品質を安定させる。 （もっと読む）

【課題】 凝固成長速度の均一な板状体製造装置と、その板状体の製造方法を提供する。
【解決手段】 板状シリコン製造装置１では、溶融したシリコン融液７を貯留するための坩堝２を備え、その坩堝２の周囲には、シリコン融液７の温度を維持するための加熱ヒータ３が配設されている。坩堝２は坩堝台６上に載置されて、坩堝昇降用台１０によって上下方向に移動される。その坩堝台６の下方には断熱材８が配設されている。坩堝２の上方には、シリコン融液７に浸漬させて板状シリコン２０を成長させるための基板１２と、その基板１２を搬送するための搬送部１６が配設されている。坩堝２の開口部の開口端面に複数の縁上加熱ヒータ４が配設されている。縁上加熱ヒータ４と加熱ヒータ３とは制御部５に接続されて所定の温度に設定される。 （もっと読む）

【課題】 高品位であり、製造効率も高く、しかも半導体製造プロセスの基板として使用可能で、有用なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物結晶の製造方法において、組成式Ａｌ_sＧａ_tＩｎ_1-s-tＮ（ただし、０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１、ｓ＋ｔ≦１）で表される半導体からなる第１の層１１を形成し、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に第１の層１１の表面を接触させることによって、第１の層１１よりも転位密度等の結晶構造の欠陥が大きい第２の層１２を形成し、窒素を含む雰囲気下において、上記融液中で、組成式Ａｌ_uＧａ_vＩｎ_1-u-vＮ（ただし、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、ｕ＋ｖ≦１）で表される半導体からなり転位密度等の結晶構造の欠陥が第２の層１２よりも小さい第３の層１３を結晶成長させる。 （もっと読む）