【課題】単結晶銀ナノワイヤを利用した光学ナノアンテナ及びその製造方法、単結晶金属ナノワイヤを利用した光学ナノアンテナを提供すること。
【解決手段】光学ナノアンテナは、単結晶銀ナノワイヤを含む。前記単結晶銀ナノワイヤは可視光線領域の全波長帯域の入射光に基づいて複数のローブが前記単結晶銀ナノワイヤを中心に放射状に配置されるマルチローブ形態の放射パターンを含む光学アンテナ放射パターンを出力することによって、可視光線領域内の全波長範囲で作動することができ、多重共鳴及び広いスペクトル範囲を有することができる。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低いＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板は、気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶（０＜ｘ≦１）の成長方法で得られたＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の表面１３を加工することにより得られる平坦な主面３１を有するＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板３０であって、結晶成長の際、その雰囲気中に不純物を含めることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減し、ピット１０ｐ底部から主成長平面１１に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部１０ｒの密度が１０⁵ｃｍ^-2以下であり、結晶成長後において主成長平面１１の総面積に対するピット１０ｐの開口面１０ｓの総面積の割合が３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の成長方法であって、結晶成長の際、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成し、ピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型ドーパントとＰ型ドーパントとのバランスをより制御しやすくすることによって、半絶縁性の優れた炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素原料２０を坩堝１０に配置する工程と、坩堝１０に配置された炭化ケイ素原料２０を加熱し、炭化ケイ素単結晶を成長させる工程とを含む炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、炭化ケイ素原料２０を加熱する工程では、坩堝１０に水素ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶の半絶縁性に悪影響を及ぼす、余剰となるｎ型不純物・ｐ型不純物などが炭化ケイ素単結晶に取り込まれることを確実に防止することができる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造方法は、配置工程Ｓ１と、昇華・成長工程Ｓ２とを有する。昇華・成長工程Ｓ２では、炭化ケイ素単結晶の成長初期、成長中期、成長後期と変わるに連れて、反応系内に導入するアルゴンガスの流量を変化させる。炭化ケイ素単結晶の成長初期において、基準流量Ａよりも多い流量のアルゴンガスが反応系内に導入される。工程Ｓ２２では、炭化ケイ素単結晶の成長中期において、基準流量Ａのアルゴンガスが反応系内に導入される。工程Ｓ２３では、炭化ケイ素単結晶の成長後期において、基準流量Ａよりも少ない流量のアルゴンガスが反応系内に導入される。 （もっと読む）

【課題】装置の安全性を高めるとともに、昇華・単結晶成長時における窒素濃度の上昇を抑制し、歩留まりを良くしつつも、単結晶の品質の低下を抑制することが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶を製造する装置の内部に設置された坩堝に炭化珪素原料を配置する原料配置工程Ｓ２と、炭化珪素からなる種結晶を前記坩堝に配置する種結晶配置工程Ｓ４と、炭化珪素原料を昇華させ、昇華した炭化珪素原料を種結晶に再結晶させることで、炭化珪素単結晶を成長させる昇華・成長工程Ｓ５とを含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、坩堝の内部を還元雰囲気にして、坩堝と炭化珪素原料とを炭化珪素原料の昇華温度未満の温度で加熱する加熱工程Ｓ３を有し、原料配置工程Ｓ２の後、種結晶配置工程Ｓ４の前に、加熱工程Ｓ３を行い、坩堝の内部を減圧雰囲気又は希ガス雰囲気にして、昇華・成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】種結晶に生じている結晶欠陥を有利に解消し、ひいては光学デバイスや電子デバイスの歩留まり向上を達成できる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に昇華用原料を収容すると共にこの昇華用原料に略対向して、結晶欠陥１１３Ａ〜１１３Ｄを有する炭化ケイ素単結晶の種結晶１１１を配置し、加熱により昇華させた昇華用原料４０を種結晶１１１の表面上で再結晶させて炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる方法において、結晶成長に先立って、種結晶のオフ方位を変更し（ａ）、複数の結晶欠陥のうち、結晶欠陥１１３Ａの位置をオフ方位の上流側に位置させる。オフ方位に従う優先成長によって、オフ方位上流側に位置している結晶欠陥１１３Ａが消失し（ｂ）、結晶欠陥の少ない炭化ケイ素単結晶を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本成長途中のＳｉＣ単結晶中に欠陥を生成させるおそれの少ない転位制御種結晶及びその製造方法、並びに、ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】以下の構成を備えた転位制御種結晶１０及びその製造方法、並びにこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法。（１）転位制御種結晶１０は、α型のＳｉＣからなる。（２）転位制御種結晶１０は、オフセット角θが１°以上１５°以下である成長面を備えている。（３）成長面は、螺旋転位密度が低い高品質領域１２と、成長面の５０％以下の面積を持つ螺旋転位領域１４とを備えている。（４）螺旋転位領域１４は、高品質領域１２となる一次種結晶の一次成長面の一部に、螺旋転位領域１４を形成するための後退部を形成し、少なくとも後退部上にＳｉＣ単結晶を予備成長させ、成長面のオフセット方向ｃ端部に螺旋転位領域１４が含まれるように、一次種結晶の表面を鏡面研磨し、成長面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。特にＳｉＣに対する窒素（Ｎ）およびガリウム（Ｇａ）のａｔｍ％単位で表示した各々の添加割合であるＮＡＤおよびＧａＡＤが、０＜ＮＡＤ≦１．０ａｔｍ％、０＜ＧａＡＤ≦０．０６ａｔｍ％である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が０．０１Ωｃｍ以下、その中でも０．００８Ωｃｍ以下のｎ型ＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板、半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物を含む表面層１２を表面に有する。これにより、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶の、より均一な結晶成長を促進する炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料８０を加熱して前記昇華用原料８０を昇華させ、昇華させた前記昇華用原料８０を種結晶７０上に再結晶化させて炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法において、昇華用原料８０の少なくとも一部は、中空部が形成された筒状であり、種結晶７０は、昇華用原料８０の中空部に配設される。種結晶７０と昇華用原料８０との位置関係は、誘導加熱コイル３０による加熱時間の経過とともに中空部の延在方向に沿って変化し、誘導加熱コイル３０によって所定温度に加熱される加熱位置は、種結晶７０の位置とともに移動する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を再現性良く結晶成長させる炭化珪素単結晶の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】種結晶４の結晶成長面をエッチング処理してエッチング処理面４ａを形成するエッチング処理面形成工程と、エッチング処理面４ａに昇華法により炭化珪素単結晶を結晶成長させる結晶成長工程と、を有する炭化珪素単結晶の結晶成長方法を用いることにより、結晶成長前にエッチング処理を行って、ゴミや研磨傷ダメージなどの結晶成長阻害要因を除去することができ、沿面成長を促進して、結晶欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を結晶成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】成長開始前に、炭化ケイ素種結晶２を設置した坩堝１０内に水素ガスを供給して、該炭化ケイ素種結晶２の表面を洗浄する第１の工程と、昇華用原料微粉末５をキャリアガス３と共に坩堝１０内に供給する第２の工程と、昇華用原料微粉末５を加熱して昇華させる第３の工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給して該炭化ケイ素種結晶２上に炭化ケイ素単結晶を成長させる第４の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないＳｉＣ単結晶が得られるＳｉＣ単結晶製造方法、ＳｉＣ単結晶製造用反応容器、およびＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】開口部が形成され、内部に固体原料Ｒｍが装入される坩堝本体１２と、坩堝本体１２の開口部を密閉するとともに、内側の面にＳｉＣ種結晶Ｓｃが装着される蓋部１１と、前記ＳｉＣ種結晶Ｓｃに向かって水素または水素含有ガスを噴きつける水素供給孔３２とを備えるＳｉＣ単結晶製造用反応容器、および前記ＳｉＣ単結晶製造用反応容器（円柱状の坩堝１０）と加熱手段２０，２１とを備えるＳｉＣ単結晶製造装置において、坩堝１０内においてＳｉＣ種結晶Ｓｃ上に水素または水素含有ガスを噴き付けて前記ＳｉＣ種結晶Ｓｃを水素エッチングし、次いで、固体原料Ｒｍを加熱、昇華させ、前記水素エッチングされたＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶をバルク成長させる。 （もっと読む）

【課題】内部に含まれる窒素濃度が低く抵抗率が高い炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華法による炭化珪素単結晶の製造装置１において、加熱コイル７−１の下端部付近が炭化珪素原料２の表層部の側方に配置されるように加熱コイル７−１を上方に移動させ、炭化珪素原料２の表層部のみを炭化珪素が昇華する温度以上の温度とし、所定時間保持することにより、炭化珪素原料２の表層部のみが炭化した、多孔層８を形成させる。この多孔層８は分子篩効果を有するので、炭化珪素単結晶の成長に必要な構成要素のみを通し、窒素等の不純物を通さない。この後、加熱コイル７−１を下方に移動させ、炭化珪素原料２全体を炭化珪素が昇華する温度とすることにより、炭化珪素の種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶が成長する。なお、多孔層８と同様の特性を有する多孔板を炭化珪素原料２の表層部に設置しても、上述の効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥が少なく結晶性に優れた、不純物を含有する炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】成長結晶中への不純物元素の添加方法として、不純物元素又はその化合物からなる固体原料を、珪素および炭素からなるSiC原料中に不均一に配置することで、結晶成長の初期から中期における成長結晶中の不純物濃度を漸増させて同時期における成長を安定化させ、高品質の不純物元素含有炭化珪素単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶インゴットの安定製造を実現し、結晶性の良好な炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる製造方法を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を含む炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、結晶成長炉内に配置した成長用坩堝内の炭化珪素原料及び種結晶の温度が所定の温度に達するまでの昇温時には、結晶成長炉内の炉内雰囲気を、炭素及び水素を含むと共に炭化珪素単結晶に影響を及ぼさない非腐食性ガスからなる、又は、この非腐食性ガスと、アルゴン、ヘリウム及び窒素から選ばれた少なくとも1種の不活性ガスとの混合ガスからなるガス雰囲気とし、結晶成長炉内の炭化珪素原料及び種結晶が所定の温度に達した後には、前記非腐食性ガスの導入を止めて不活性ガスからなるガス雰囲気中で昇華再結晶による結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】内部に含まれる窒素濃度が低く抵抗率が高い炭化珪素単結晶を製造する。
【解決手段】減圧雰囲気下で炭化珪素原料２が昇華しない温度に坩堝３を所定時間保持した後、アルゴンガス雰囲気下で炭化珪素原料２が昇華する温度に坩堝３を加熱することにより、炭化珪素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】通常ペロブスカイト型構造を取り得ないペロブスカイト型酸化物を、その物質固有の特性を有して、常圧にて、且つ厚みを制限されることなく製造可能とする。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物積層体１は、基板１１上に、少なくとも１層の下記一般式（Ｐ１）で表される第１のペロブスカイト型酸化物膜２１（不可避不純物を含んでいてもよい）と、通常ペロブスカイト型の結晶構造を取り得ない酸化物からなり（不可避不純物を含んでいてもよい）、下記一般式（Ｐ２）で表される少なくとも１層の第２のペロブスカイト型酸化物膜２２とが交互に積層されたものである。
ＡＢＯ_３ ・・・（Ｐ１）
ＣＤＯ_３ ・・・（Ｐ２）
（上記式中、Ａ及びＣはＡサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｂ及びＤはＢサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｏは酸素原子。） （もっと読む）