【課題】高品質なＳｉＣ単結晶を高速に成長させる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の製造方法は、（ａ）ＳｉＣ粉末２ａとＣ粉末３、あるいは部分炭化させたＳｉＣ粉末を、原料粉末として準備する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、原料粉末を用いた昇華法により、シリコンドロップレットを抑制しながらＳｉＣ単結晶を高速成長させる工程と、を備える。前記工程（ａ）においては、前記原料粉末のシリコンに対する炭素の割合を１．０４〜１．１４とし、また、前記工程（ｂ）においては、結晶成長面近傍と原料粉末近傍の温度差を２００℃以上とすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】中空欠陥や介在物の少ないＳｉＣ単結晶及びその製造方法、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス、並びに、中空欠陥や介在物の少ないＳｉＣ単結晶の製造に適したＳｉＣ単結晶製造用原料を提供すること。
【解決手段】｛０００１｝面に略垂直な面を成長面とする種結晶を用いて、前記成長面上にＳｉＣを成長させることにより得られる単結晶からなり、前記単結晶の成長方向に略平行に伸びる中空欠陥の密度が６００個／ｃｍ²以下であるＳｉＣ単結晶、並びに、これを用いたＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、ＳｉＣ粉末の質量の２％以上を予備昇華させることにより得られるＳｉＣ単結晶製造用原料を用いて、ａ面成長基板上に単結晶を成長させることにより得られる。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域にＳｉＣ成長気相が生成され、中心縦軸を有するＳｉＣバルク単結晶をＳｉＣ成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面のところで行われ、ＳｉＣ成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるＳｉＣソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に０．０１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域にＳｉＣ成長気相が生成され、中心縦軸を有するＳｉＣバルク単結晶をＳｉＣ成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶の成長境界面のところで行われ、ＳｉＣ成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるＳｉＣソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択され、最初に注入される前記ＳｉＣソース材料で２０％から４０％の間の過剰炭素が供給される。 （もっと読む）

【課題】基底面転位の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶基板を取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法、得られた炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから取り出した炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法による結晶成長中に基底面転位を貫通刃状転位に構造変換させることで基底面転位を低減させることを特徴とする、基底面転位の少ない高品質炭化珪素単結晶の製造方法であり、また、これによって得られた炭化珪素単結晶インゴットであり、更にはこれから取り出した炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内に内側ガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０上に結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る結晶成長工程を含み、結晶成長工程において、成長容器２を収容する反応管３内に外側ガス導入部３ｂを経て、窒素ガス又は窒化アルミニウムの生成反応に対する不活性ガスからなる外側ガスを導入することにより、ガス排出部２ｅの外側に外側ガスを流す窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥をより正確に検査できる積層欠陥の検査方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料２０を坩堝１０に配置する配置工程と、坩堝１０に配置された炭化珪素原料２０を加熱し、加熱により昇華した炭化珪素原料２０を再結晶させる成長工程とを有する炭化珪素単結晶を製造する製造工程と、フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥を検査する検査工程とを備える積層欠陥の検査方法であって、成長工程では、坩堝１０に水素を導入する。 （もっと読む）

【課題】改良型レーリー法により炭化珪素単結晶を作製する場合において、結晶成長中、特に結晶成長の初期の段階で発生する欠陥を低減することができ、欠陥密度の低い高品質の炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】対称軸を有する坩堝と対称軸を有する種結晶を用いて昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置であり、種結晶の対称軸に対して非軸対称な温度分布を持つ加熱を行うと共に、その非軸対称な温度分布の中で種結晶の対称軸を中心にして、種結晶と成長している結晶を回転させながら結晶成長を行う炭化珪素単結晶インゴットの製造装置であり、結晶成長中の結晶欠陥の発生を抑制し、欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内にガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料１を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０から結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法において、ガス排出部２ｅの温度を、結晶１２の先端部の温度よりも高くすることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】ＳｉＣ原料粉末３とドーパント元素４の配置場所を異ならせると共に、ＳｉＣ原料粉末３に対してドーパント元素４が種結晶２から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素４の配置場所をＳｉＣ原料粉末３の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、ＳｉＣ原料粉末３が昇華し始めるよりも前にドーパント元素４が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたＳｉＣ単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中の表面形状を制御することで、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるようにする。
【解決手段】種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３に対向配置される遮蔽板６ａを有する遮蔽部６を備える。そして、遮蔽部６の遮蔽板６ａに備えたガス供給孔６ｂを通じて螺旋転位発生可能領域３ａに選択的に昇華ガスが供給されるようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心よりも螺旋転位発生可能領域３ａ側において最も成長量が大きくなった凸形状とすることが可能となり、台座１ｃの厚みを非対称にして成長途中表面４ａに温度分布を設けたりしなくても良くなって、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】バルク単結晶ＭｇＯを切り出して原子スケールで平坦な (111) 面を研磨により
得ることは成功していない。また、成膜法でも原子スケールで平坦なＭｇＯ (111) 面は
得られていない。
【解決手段】レーザーアブレーション堆積法によりＭｇＯ焼結体又は単結晶をターゲット
として用いてＭｇＯ薄膜を基板上に堆積する方法において、基板として、単結晶ＮｉＯ(1
11)薄膜層を原子スケールで表面平坦に成膜した単結晶基板を用い、該ＮｉＯ(111)薄膜層
上に「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとして積層状に堆積させてエピタキシャル成長させるこ
とによってＭｇＯ(111)薄膜を原子スケールで表面平坦に成膜することを特徴とする面方
位(111)のＭｇＯ薄膜の作製方法。ＭｇＯ(111)薄膜は、「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとし
てエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶２を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域５にＳｉＣ成長気相９が生成され、中心縦軸１４を有するＳｉＣバルク単結晶２をＳｉＣ成長気相９からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面１６のところで行われ、ＳｉＣ成長気相９が、少なくとも部分的に、成長坩堝３の備蓄領域４にあるＳｉＣソース材料６から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでいる。結晶成長領域５はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】 昇華再結晶法による単結晶の製造において、種結晶へのクラックなどの構造欠陥の発生を防止でき、高品質な単結晶を製造できる単結晶製造装置、及び単結晶製造装置を用いた炭化珪素単結晶の製造方法を提供できる。
【解決手段】本発明に係る単結晶製造装置１は、成長用の単結晶の成長の基となる種結晶１０と、単結晶の成長に用いられる昇華用原料２０を収容する坩堝１００とを備える。坩堝１００は、開口部１１１を有し、昇華用原料２０を収容する反応容器１１０と、開口部１１１に取り付けられる蓋体１２０と、種結晶１０を保持する保持部１３０とを備える。保持部１３０は、種結晶１０の蓋体１２０側（上面１０Ａ）に対する反対側（下面１０Ｂ）の一部のみと接する接触面１４３を有する。種結晶１０の厚みは、１ｍｍ以上である。種結晶１０と蓋体１２０とは、隙間なく接している。種結晶１０の全表面は、露出している。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いた昇華再結晶法、すなわち改良レーリー法によって炭化珪素単結晶を成長させて製造する炭化珪素単結晶インゴットの製造方法において、ウェハ取りの歩留りに優れ、かつ高品質の炭化珪素単結晶インゴットを製造することができる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、及び該製造方法によりウェハ取り歩留り性に優れ、かつ高品質の炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、該結晶の成長中に、前記種結晶の結晶成長面に対して直角方向に、発熱部材及び坩堝周囲に配置された断熱部材のうち１つ以上の部材を、該種結晶位置に対して相対的に移動させる制御を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、及び炭化珪素単結晶インゴットである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の結晶表面の温度分布を直接測定することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】壁部１６ａの内部に水が循環することで水冷される中空筒状の水冷管１６と、水冷管１６の中空部１６ｂに配置され、一定の視野角を持った先端部１７ａが容器９のうち台座１０よりも容器９の底部９ｄ側に配置されると共に台座１０側から容器９の底部９ｄ側に放出される光を先端部１７ａから取り込んで、中間部１７ｂを介して他端部１７ｃに伝達するファイバースコープ１７と、ファイバースコープ１７の他端部１７ｃに伝達された光の強度を検出することにより、視野角に応じた範囲の温度分布を直接測定する可視光用のサーモビューア１８と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の高品質の単結晶を生成する。
【解決手段】シード結晶とシード・ホルダとの距離を、シード結晶とシード・ホルダとの間の伝導性熱転移が、シード・ホルダに隣接するシード結晶の表面全体に渡って、これらの間の放射性熱転移よりも大きくなるまで、減少させる。特に、シード結晶及びシード・ホルダが直接接触するときに良好な結果が得られ、接触面は常に１０μｍ以下、好ましくは１μｍ未満である。このような関係を得るために、シード・ホルダ２５に固定されているエッジ・リング・シード・キャップ２７にシード結晶２４を支持している。成長する結晶２６もキャップに支持される。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えて効率的にＡｌＮ結晶を製造することができるＡｌＮ単結晶の製造方法および種基板を提供する。
【解決手段】加工変質層の少なくとも一部が残る種基板１を準備する工程と、種基板１を結晶成長容器５５内に設置する工程と、種基板１上に昇華法によりＡｌＮ単結晶５８を成長させる工程とを含むＡｌＮ単結晶５８の製造方法とその種基板１である。ここで、種基板１を準備する工程は、種基板１の表面を研削する工程および種基板１の表面を研磨する工程の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）