【課題】高品質なＳｉＣ単結晶を高速に成長させる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の製造方法は、（ａ）ＳｉＣ粉末２ａとＣ粉末３、あるいは部分炭化させたＳｉＣ粉末を、原料粉末として準備する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、原料粉末を用いた昇華法により、シリコンドロップレットを抑制しながらＳｉＣ単結晶を高速成長させる工程と、を備える。前記工程（ａ）においては、前記原料粉末のシリコンに対する炭素の割合を１．０４〜１．１４とし、また、前記工程（ｂ）においては、結晶成長面近傍と原料粉末近傍の温度差を２００℃以上とすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域にＳｉＣ成長気相が生成され、中心縦軸を有するＳｉＣバルク単結晶をＳｉＣ成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶の成長境界面のところで行われ、ＳｉＣ成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるＳｉＣソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択され、最初に注入される前記ＳｉＣソース材料で２０％から４０％の間の過剰炭素が供給される。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域にＳｉＣ成長気相が生成され、中心縦軸を有するＳｉＣバルク単結晶をＳｉＣ成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面のところで行われ、ＳｉＣ成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるＳｉＣソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に０．０１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板８０は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が１００ｍｍ以上、マイクロパイプ密度が７ｃｍ^-2以下、貫通螺旋転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、貫通刃状転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、基底面転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、積層欠陥密度が０．１ｃｍ^-1以下、導電性不純物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-2以上、残留不純物濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-2以下、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｐｈａｓｅ Ｉｎｃｌｕｓｉｏｎｓが１個・ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】基底面転位の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶基板を取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法、得られた炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから取り出した炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法による結晶成長中に基底面転位を貫通刃状転位に構造変換させることで基底面転位を低減させることを特徴とする、基底面転位の少ない高品質炭化珪素単結晶の製造方法であり、また、これによって得られた炭化珪素単結晶インゴットであり、更にはこれから取り出した炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い窒化アルミニウム単結晶を高収率で製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】成長容器７内に収容した窒化アルミニウム原料６を加熱して昇華させ、成長容器７の内壁面に固定した種結晶１３の表面上に窒化アルミニウムの単結晶１９を成長させて窒化アルミニウム単結晶を製造する単結晶成長工程を含む窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、単結晶成長工程が、種結晶１３の表面のうち結晶成長面１３ａが窒化アルミニウム単結晶１９で全面的に覆われるまでは成長容器７を開放し、成長容器７内に窒素ガスを導入する開放工程と、種結晶１３の表面の結晶成長面１３ａが窒化アルミニウム単結晶１９で全面的に覆われた後は成長容器７を密閉する密閉工程とを含む、窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内に内側ガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０上に結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る結晶成長工程を含み、結晶成長工程において、成長容器２を収容する反応管３内に外側ガス導入部３ｂを経て、窒素ガス又は窒化アルミニウムの生成反応に対する不活性ガスからなる外側ガスを導入することにより、ガス排出部２ｅの外側に外側ガスを流す窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】触媒金属の混入を抑えることの可能な窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び該方法を用いる窒化ガリウム柱状構造の形成装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム柱状構造を下地層上に反応性スパッタによって形成する。このとき、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合である窒素濃度を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウムの成長速度における極大値の９１％以上１００％以下の窒化ガリウムの成長速度となるような窒素濃度とする。また、基板Ｓの温度Ｔ、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚであるバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｐ＜０．００８８Ｔ−６．６０、Ｐ≧０．０１１６Ｔ−１１．３７を満たす条件にて窒化ガリウム柱状構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 製造後半にＣ／Ｓｉ比が高くなることによって生じる品質の低下を抑制した４Ｈ型炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料準備工程Ｓ１１では、Ｃ／Ｓｉ比が０．７以下であり、Ｃ／Ｓｉ比が異なる原料２０ａ、原料２０ｂ及び原料２０ｃを準備し、原料配置工程Ｓ１２では、高温に加熱される位置にある原料２０ほど、Ｃ／Ｓｉ比が高くなるように、原料２０を配置する。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥をより正確に検査できる積層欠陥の検査方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料２０を坩堝１０に配置する配置工程と、坩堝１０に配置された炭化珪素原料２０を加熱し、加熱により昇華した炭化珪素原料２０を再結晶させる成長工程とを有する炭化珪素単結晶を製造する製造工程と、フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥を検査する検査工程とを備える積層欠陥の検査方法であって、成長工程では、坩堝１０に水素を導入する。 （もっと読む）

【課題】改良型レーリー法により炭化珪素単結晶を作製する場合において、結晶成長中、特に結晶成長の初期の段階で発生する欠陥を低減することができ、欠陥密度の低い高品質の炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】対称軸を有する坩堝と対称軸を有する種結晶を用いて昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置であり、種結晶の対称軸に対して非軸対称な温度分布を持つ加熱を行うと共に、その非軸対称な温度分布の中で種結晶の対称軸を中心にして、種結晶と成長している結晶を回転させながら結晶成長を行う炭化珪素単結晶インゴットの製造装置であり、結晶成長中の結晶欠陥の発生を抑制し、欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内にガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料１を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０から結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法において、ガス排出部２ｅの温度を、結晶１２の先端部の温度よりも高くすることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】ＳｉＣ原料粉末３とドーパント元素４の配置場所を異ならせると共に、ＳｉＣ原料粉末３に対してドーパント元素４が種結晶２から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素４の配置場所をＳｉＣ原料粉末３の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、ＳｉＣ原料粉末３が昇華し始めるよりも前にドーパント元素４が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたＳｉＣ単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】バルク単結晶ＭｇＯを切り出して原子スケールで平坦な (111) 面を研磨により
得ることは成功していない。また、成膜法でも原子スケールで平坦なＭｇＯ (111) 面は
得られていない。
【解決手段】レーザーアブレーション堆積法によりＭｇＯ焼結体又は単結晶をターゲット
として用いてＭｇＯ薄膜を基板上に堆積する方法において、基板として、単結晶ＮｉＯ(1
11)薄膜層を原子スケールで表面平坦に成膜した単結晶基板を用い、該ＮｉＯ(111)薄膜層
上に「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとして積層状に堆積させてエピタキシャル成長させるこ
とによってＭｇＯ(111)薄膜を原子スケールで表面平坦に成膜することを特徴とする面方
位(111)のＭｇＯ薄膜の作製方法。ＭｇＯ(111)薄膜は、「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとし
てエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶２を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域５にＳｉＣ成長気相９が生成され、中心縦軸１４を有するＳｉＣバルク単結晶２をＳｉＣ成長気相９からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面１６のところで行われ、ＳｉＣ成長気相９が、少なくとも部分的に、成長坩堝３の備蓄領域４にあるＳｉＣソース材料６から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでいる。結晶成長領域５はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板の平面形状を容易に調整することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素層１１ｃの第１の裏面Ｂ１および第２の炭化珪素層１２の第２の裏面Ｂ２の各々とベース部３０の第１の主面Ｑ１とが対向するように、ベース部３０と第１および第２の炭化珪素層１１ｃ、１２とが配置される際に、第１および第２の炭化珪素層１１ｃ、１２の少なくともいずれかが平面視において第１の主面Ｑ１の外側へ突出部ＰＴとして部分的に突出する。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々と第１の主面Ｑ１とが加熱によって接合される。この加熱によって突出部ＰＴの少なくとも一部が炭化されることで炭化部７０が形成される。突出部ＰＴが除去される際に炭化部７０が加工される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の割れや歪みを抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶６を中央部が外縁部よりも突き出すような凸形状となる凸成長と、ＳｉＣ単結晶６を中央部が外縁部よりも凹む凹成長とを順番に行う。凸成長の際にはＳｉＣ単結晶６の中央部近辺に引張応力、外縁部に圧縮応力を発生させられ、凹成長の際にはＳｉＣ単結晶６の中央部近辺に圧縮応力、外縁部に引張応力を発生させられる。そして、ＳｉＣ単結晶６を冷却する際にはその逆の応力を発生させられる。このため、ＳｉＣ単結晶６を冷却する際に、ＳｉＣ単結晶６の中央部近辺において圧縮応力と引張応力が発生する部位を両方共に設けることができる。同様に、外縁部においても圧縮応力と引張応力が発生する部位を両方共に設けることができる。これにより、冷却時にＳｉＣ単結晶が割れたり歪んだりずることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ａ軸およびｃ軸の双方向の欠陥が非常に少ない４Ｈ型ＳｉＣ単結晶が得られる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】４Ｈ型ＳｉＣ単結晶から形成されてオフ角を設けて切り出された第１の種結晶６０を、Ｃ原子の数よりもＳｉ原子の数の方が多いＳｉ面が露出するように台座１３に設置する第１工程と、前記第１の種結晶６０を加熱して、初期段階で成長する４ＨＳｉＣ単結晶６２から多形変換されて、６Ｈ型ＳｉＣ単結晶６３を成長させる第２工程と、前記６Ｈ型ＳｉＣ単結晶６３から第２の種結晶６４を切り出して、Ｓｉ原子の数よりもＣ原子の数の方が多いＣ面が露出するように台座に設置する第３工程と、前記第２の種結晶６４を加熱して４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を成長させる第４工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶の製造方法およびＳｉＣ結晶を提供する。
【解決手段】昇華法によりＳｉＣ結晶を製造する方法において、ＳｉＣ結晶を成長する雰囲気ガスがＨｅを含有することを特徴とする。雰囲気ガスは、Ｎをさらに含有してもよい。雰囲気ガスは、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＸｅおよびＲｎからなる群より選ばれた少なくとも一種のガスをさらに含有してもよい。雰囲気ガスにおいて、Ｈｅの分圧が４０％以上であることが好ましい。 （もっと読む）