【課題】 窒化物エピタキシャル層製造方法及びその構造の提供。
【解決手段】 本発明の窒化物エピタキシャル層製造方法により形成される構造は、基材とされる基板と、該基板上に堆積され窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）材料で形成された少なくとも一つの第１中間層と、第１中間層の上に堆積され窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）或いは窒化マグネシウム（Ｍｇ_x Ｎ_y ）材料で形成された少なくとも一つの第２中間層と、最上層の第１中間層或いは第２中間層の上に堆積され窒化物材料で形成された窒化物エピタキシャル層と、を具えている。そのうち、第２中間層が後続エピタキシャル層を成長させるマスクを形成し、後続エピタキシャル層の結晶欠陥数を減らし、エピタキシャル層の品質を改善する。 （もっと読む）

本発明は、ＣＶＤ反応炉の反応チャンバ（１２）を洗浄するためのプロセスに関し、適切な温度までチャンバ壁を加熱するステップと、チャンバ中にガス流を流入させるステップとを含む。この洗浄プロセスは、チャンバ内の基板上に半導体材料を堆積するためのＣＶＤ反応炉の操作プロセス中で、有利に使用することができる。この操作プロセスでは、チャンバ（１２）中に基板を順次的、循環的に取り付けるステップと、基板上に半導体材料を堆積するステップと、チャンバ（１２）から基板を取り外すステップとを含んだ成長プロセスが設けられる。取り外しステップの後に、チャンバ（１２）を洗浄するためのプロセスが実施される。本発明は、ＣＶＤ反応炉全体を洗浄するためのプロセスにも関し、それには、加熱するステップとともに、ガス流中に化学エッチングする構成要素が設けられる。
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【課題】
エピタキシャル成長速度が高められ、プリヒートリングとサセプタとの隙間からのガス漏れに起因したオートドープの抑制効果の低下を防ぎ、これによりエピタキシャル膜の比抵抗の均一性が高まり、反応ガスの使用量が低減し、下側ドームも曇り難いエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】
プリヒートリング６０とサセプタ２０との隙間ａをカバー部６１により覆うように構成したので、隙間ａからのガス漏れを防げる。その結果、シリコンウェーハＷの表面へのエピタキシャル成長速度が高まり、このガス漏れによるオートドープの抑制効果の低下を防げる。これにより、エピタキシャル膜の比抵抗の均一性が高まり、しかも反応ガスの使用量が低減し、下側ドーム４の曇りも抑えられる。 （もっと読む）

ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料中にブランドマークのような出所標識又は識別紋様を入れる方法は、ダイヤモンド基体を与える工程、原料ガスを与える工程、前記原料ガスを解離し、それによりホモエピタキシャルダイヤモンド成長を行わせる工程、及び前記原料ガス中へドーパントを制御された仕方で導入し、合成ダイヤモンド材料中に出所標識又は識別紋様を生成させる工程を含む。ドーパントは、出所標識又は識別紋様が、通常の見る条件下ではダイヤモンド材料の知覚される品質に影響を与えないか、又は容易には検出できないが、その出所標識又は識別紋様は、例えば特定の波長の光又は輻射線で照射した場合のように、特定化した条件下では検出できるか、又は検出可能にされるように選択されている。出所標識又は識別紋様の検出は、例えば目による検出、又は特定の光学的機器を用いた検出でもよい。
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