【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ、第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ、第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】大型で良質なＩＩＩ族窒化物半導体結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】Ｖ族原料およびＩＩＩ族原料の存在下でＣ面以外を主面とするＩＩＩ族窒化物シード１上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶層３を成長させる際に、成長温度を１０２０℃未満にして行う低温成長工程２を実施する。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を主面とする大型で良質なIII族窒化物半導体結晶をより簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】極性面を主面とする下地基板１０上に、極性面以外のファセット面１１〜１８を含む凸状ライン部２１〜２４を２５００μｍ以上のピッチで複数本形成し、前記主面に垂直な方向にIII族窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶のスライス時の割れを低減でき、窒化物半導体基板の歩留を向上できる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶基板上に気相成長により窒化物半導体単結晶を成長する成長工程と、成長した前記窒化物半導体単結晶の外周面を研削する研削工程と、前記外周面が研削された前記窒化物半導体単結晶をスライスするスライス工程とを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、前記研削工程における前記窒化物半導体単結晶の前記外周面の研削量が１.５ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ層をサファイア下地基板から簡単に剥離できるようにしたＧａＮ自立基板の製造方法の提供。
【解決手段】サファイア下地基板上にＧａＮ層を気相成長させる工程と、前記ＧａＮ層から前記サファイア下地基板を、前記成長中の反りもしくは降温中の熱応力によって前記下地基板を破壊することで除去する工程と、を含む、ＧａＮ自立基板を製造する方法において、前記サファイア下地基板が、面方位が（１１−２０）面であるａ面サファイア下地基板１０であり、前記サファイア下地基板の表面もしくは裏面に前記サファイア下地基板全面を横断するように溝を形成し、前記溝が前記a面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向に形成されているようにした。 （もっと読む）

【課題】結晶基板を安価に製造可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明は、気相成長装置の基板保持具(10)に保持される下地基板(20)の結晶成長面(21)上に結晶膜(30)を成長させ、該結晶膜(30)から、２インチ、２．５インチ、３インチ、４インチ、５インチ、６インチ、５０ｍｍ、７５ｍｍ、１００ｍｍ、１２５ｍｍ、１５０ｍｍのうちのいずれか１つに略等しい直径Φを有する結晶基板(35)を製造する方法であって、前記基板保持具(10)は、前記下地基板(20)の結晶成長面(21)の一部を露出させる開口部(12)を備え、前記開口部(12)は、その輪郭に円弧状部(13)を含み、前記円弧状部(13)は、前記直径Φと略等しい直径を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶基板を安価に製造可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明は、気相成長装置の基板保持具(10)に保持されオリエンテーションフラット(23)を有する下地基板(20)の結晶成長面(21)上に結晶膜(30)を成長させ、該結晶膜(30)から結晶基板(35)を製造する方法であって、前記基板保持具(10)は、前記下地基板(20)の結晶成長面(21)の一部を露出させる開口部(12)を備え、前記開口部(12)は、その輪郭に、円弧状部(13)と弦状部(14)を含み、前記弦状部(14)の内壁は、前記オリエンテーションフラット(23)を前記下地基板(20)の中心軸を回転軸として３０°又は９０°の整数倍回転させた面に略平行な壁面(15)を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非極性面及び半極性面を主面とした結晶成長において、多結晶が発生することにより生じる、結晶の厚膜成長阻害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶からなり非極性面又は半極性面を主面とする下地基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法において、前記主面からｃ軸方向に±９０°傾斜した面をＫ面と定義したとき、該Ｋ面に対して特定の角度の面を有する側面を持った下地基板を用いることで多結晶発生の問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物基板を低価格で効率よく製造することを可能とするＩＩＩ族窒化物層の成長方法およびＩＩＩ族窒化物基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物層の成長方法は、配向した六方構造を有するグラファイト基板１０を準備する工程と、グラファイト基板１０上に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物層２０を成長させる工程と、を含む。また、本ＩＩＩ族窒化物基板は、少なくともｃ軸方向に配向する複数の結晶で構成される。 （もっと読む）

【課題】大型化が比較的容易で、比較的安価な窒化物半導体用基板を提供する。
【解決手段】基材１２０と、該基材１２０の上部に設置されたバッファ層１６０と、該バッファ層１６０の上部に設置された窒化物半導体層１８０とを有する窒化物半導体用基板１００であって、前記基材１２０は、石英で構成され、前記バッファ層１６０は、ガリウム（Ｇａ）および／またはアルミニウム（Ａｌ）の窒化物を含み、前記窒化物半導体層１８０は、ガリウム（Ｇａ）および／またはアルミニウム（Ａｌ）を含む窒化物半導体で構成され、前記基材１２０と前記バッファ層１６０の間には、応力緩和層１２５が設置され、該応力緩和層１２５は、前記基材１２０に近い側のアモルファス層１３０および前記基材１２０に遠い側の結晶化層１５０を有し、または前記基材１２０に遠い側に結晶成分を含むアモルファス層を有し、前記応力緩和層１２５は、窒化珪素または酸窒化珪素を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含む第一カーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に第一エピタキシャル層を成長させて、前記第一カーボンナノチューブ層を包ませる第三ステップと、前記第一エピタキシャル層の表面に複数の空隙を含む第二カーボンナノチューブ層を配置し、前記第二カーボンナノチューブ層が配置された表面は、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面である第四ステップと、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面に第二エピタキシャル層を成長させて、前記第二カーボンナノチューブ層を包ませる第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体１０上に、表面のＲＭＳ粗さが１０ｎｍ以下の基体表面平坦化層１２を形成して複合基体１を得る工程と、複合基体１の基体表面平坦化層１２側に半導体結晶層２０ａを貼り合わせて複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃを得る工程と、複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃの半導体結晶層２０ａ上に少なくとも１層の半導体層３０を成長させる工程と、基体表面平坦化層１２をウェットエッチングで除去することにより、基体１０から半導体結晶層２０ａを分離して、半導体結晶層２０ａおよび半導体層３０を含む半導体ウエハ５を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶内のキャリア濃度のムラの少ない窒化物半導体結晶を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内に下地基板８を準備する工程、およびＩＩＩ族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて前記下地基板８上にＣ面とＣ面以外のファセット面を混在させながらＩＩＩ族窒化物半導体結晶９を成長させる成長工程、を含むＩＩＩ族窒化物半導体結晶９の製造方法であって、前記成長工程は、ケイ素含有物質を前記結晶成長炉内に導入し、かつＣ面以外のファセット面で成長した領域に酸素を含有させながらＩＩＩ族窒化物半導体結晶９を成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能なIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌＮ単結晶層またはＡｌを含むIII族窒化物単結晶層を０．００５μm以上１０μm以下の厚みで形成したＡｌＮテンプレート基板又はサファイア基板を窒化処理したＡｌＮテンプレート基板、もしくはＡｌＮ単結晶基板上に、ストライプ状の開口部を有するパターンマスクと、前記開口部に形成された金属窒化物層と、前記金属窒化物層上に形成されたIII族窒化物半導体層を有し、前記III族窒化物半導体層は前記金属窒化物層を核としたＥＬＯ成長による連続膜である、III族窒化物半導体。 （もっと読む）

【課題】結晶成長の際に反応室内に付着した堆積物を効果的に洗浄する方法を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１１の成長方法は、反応室１１０にＨＣｌガス１を導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０内でＳｉ原子をドーピングしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。または、反応室１１０にＨＣｌガスを導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０に取り付けられたトラップ装置１１６内に副生成物として生成した塩化アンモニア粉末をトラップしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】気相成長法による窒化ガリウム自立基板の製造において種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する。
【解決手段】種基板１４に、剥離層を形成し、種基板を配置してなるサセプター１１に、窒化ガリウム結晶を形成する原料ガスを供給し、前記サセプターにおける前記種基板において、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制し、窒化ガリウム自立基板２２を気相成長させることを含んでなり、前記サセプターが、前記種基板を固定するポケット部分１２と、前記サセプターと前記種基板との間に、前記種基板と反応しないサブサセプター１３とを備えてなり、かつ、前記種基板と前記サブサセプターとの間に間隙を有してなり、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する。 （もっと読む）