【課題】ドーピングガスの種類の制約を受けずに、キャリア濃度の均一化を図ることができる周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成長面の周縁部にドーピングガスを吹きつけながら結晶成長させることによって、結晶内のキャリア濃度が均一な周期表第１３族金属窒化物半導体結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１に配置されて基板７が載置されるサセプタ８と、サセプタ８を下方から加熱するヒータ９とを有する。サセプタ８は、リング状の第１のサセプタ部８ａと、第１のサセプタ部８ａに接して設けられ、第１のサセプタ部８ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部８ｂとを有し、第２のサセプタ部８ｂの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第１のサセプタ部８ａは、第２のサセプタ部８ｂの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】装置構成がシンプルであり、メンテナンス性にも優れ、しかも高品質なアルミニウム系III族窒化物単結晶を高生産性で製造することができるハイドライド気相エピタキシー装置を提供する。
【解決手段】III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて目的とするアルミニウム系III族窒化物単結晶を成長させる反応ゾーンを有する反応器本体２０と、III族ハロゲン化物ガスを作り出すためにIII族元素の単体４６とハロゲン原料ガスとを加熱下で反応させてIII族ハロゲン化物ガスを発生させるIII族源ガス発生部４０と、III族源ガス発生部で製造されたIII族ハロゲン化物ガスを、反応器本体の反応ゾーン２２へ供給するIII族ハロゲン化物ガス導入管５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのＨＶＰＥ装置１は、Ｇａ（金属）７ａを収容するタンク（収容部）７を上流側に有し、成長用の基板１１が配置される成長部３ｂを下流側に有する筒状の反応炉２と、ガス導入口６４ａを有する上流側端部６４からタンク７を経由して成長部３ｂに至るように配置され、上流側端部６４からガスを導入してタンク７に供給し、ガスとタンク７内のＧａとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部３ｂに供給する透光性のガス導入管６０と、反応炉２内に配置され、ガス導入管６０の上流側端部６４を成長部３ｂから熱的に遮断する熱遮蔽板９Ａ、９Ｂとを備え、ガス導入管６０は、上流側端部６４と熱遮蔽板９Ｂとの間で屈曲された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な高濃度硫黄ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法による窒化物半導体結晶の成長において、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイド等の硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させることにより、Ｓ濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3であり、かつ対称反射のＸ線ロッキングカーブの半値全幅が１００秒以下である窒化物半導体結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】得られるコーティングが０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ａ．ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１２００℃より高いが１８００℃より低い温度に基板を加熱すること、を含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は１０ｔｏｒｒ〜２５０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする。 （もっと読む）

【課題】非極性面や半極性面の主面を有する結晶成長において、結晶成長に伴う積層欠陥を抑制し、かつ結晶面がｃ軸方向に反ってしまう結晶の反りを抑制することを課題とする。
【解決手段】結晶成長工程において、結晶表面に洗濯岩状の形状を呈するように結晶成長させることで、課題を解決する。具体的には、結晶表面に複数の凹部及び凸部を形成させ、且つ隣り合う前記凹部及び凸部の成長方向高さの差が５００μｍ以上である箇所を連続して２以上形成させることで課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１上に単結晶炭化シリコン膜１４を形成する単結晶炭化シリコン膜１４の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に炭化シリコン膜１２を形成する第１の工程と、炭化シリコン膜１２の表面にマスク材１３を形成する第２の工程と、マスク材１３に開口部１３ｈを形成し、炭化シリコン膜１２の一部を露出させる第３の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板１１を加熱し、炭化シリコン膜１２を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜１２及びマスク材１３を覆う単結晶炭化シリコン膜１４を形成する第４の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、５．０×１０^−４Ｐａ以上かつ０．５Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法のサファイア基板上又はＳｉ基板上に、所望の組成比率ｘのＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この際、キャリアガスは、不活性ガスと水素からなり、この水素分圧を０以上０．１未満の範囲に置く。その結果、原料の供給比率と、成長させた結晶の組成比率との間の関係を線形なものにすることができ、結晶組成の制御性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ基板上へＺｎＯ系半導体結晶を１０００℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板４０上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ＺｎＯ基板４０上にＺｎＯ系半導体層４６を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、１×１０^-4気圧以下、結晶成長温度は１０００℃以上、ＶＩ族元素とＩＩ族元素の供給比ＶＩ／ＩＩは１以上〜１００以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】クラックが入り難い高抵抗な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】下地基板の表面に、第１の層Ｂと第２の層Ｆからなる窒化物半導体層１を形成し、その窒化物半導体層１を下地基板から分離して得られる直径４０ｍｍ以上、厚さ２００μｍ以上の自立した窒化物半導体基板１０であって、第２の層Ｆは、その表面の面内の平均転位密度が１×１０³ｃｍ^-2以上、１×１０⁸ｃｍ^-2未満であると共に、電気抵抗率が０．０２Ωｃｍより大きくなるように形成されており、第１の層Ｂは、第２の層Ｆよりも電気抵抗率が低くなるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ元素を含む原料が目的とする結晶に取り込まれることなく副生物となるのを抑え、結晶中のＳｉ濃度を安定に制御することができる、第１３族窒化物結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１３族元素、窒素元素およびＳｉ元素を含む原料を用いて、Ｓｉ取込効率１０％以上で結晶成長を行うことにより、Ｓｉ元素を含有する第１３族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行なわれるＳｉＣエピタキシャル膜の成膜処理において、複数枚の基板上にわたって均一なＳｉＣエピタキシャル膜を成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態では、異なる第１のガス供給系と第２のガス供給系を設け、第１のガス供給系からアルゴン（Ａｒ）ガス、四塩化珪素（ＳｉＣｌ_４）ガス、プロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスの一部および塩化水素（ＨＣｌ）ガスを供給し、第２のガス供給系から残りのプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスと水素（Ｈ_２）ガスを供給している。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１の上面１１ａに炭化層１２を形成する第１の工程と、シリコン基板１１の温度を第２の温度範囲の温度まで下降させる第２の工程と、シリコン基板１１の温度が第２の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、シリコン基板１１と炭化層１２の間の界面に形成された空孔１１ｈにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔１１ｈを埋める第３の工程と、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板１１の温度を第３の温度範囲の温度まで上昇させる第４の工程と、シリコン基板１１の温度が第３の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層１２上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造用原料に有効に使用できる三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法を提供する。
【解決手段】固体アルミニウムとハロゲン系ガスとを接触させて三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法において、固体アルミニウムとハロゲン系ガスとの接触温度を１８３℃以上３００℃未満とし、固体アルミニウムの全表面積（Ｓ；ｃｍ^２）と、ハロゲン系ガスと固体アルミニウムとの平均接触時間（ｔ；秒）との積（Ｓ×ｔ；ｃｍ^２・秒）が７５０ｃｍ^２・秒以上２５００００ｃｍ^２・秒以下となるようにハロゲン系ガスガスとアルミニウムとを接触させることを特徴とする三ハロゲン化アルミニウムガスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】厚いＧａＮ膜を成長中に剥離して、高品質のＧａＮ自立基板を歩留まり良く製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＮ自立基板を製造する方法であって、サファイア基板上にＺｎＯ膜を形成する工程と、８５０℃以下の温度で前記ＺｎＯ膜上にＧａＮ膜を剥離しないように形成する低温成長工程と、その後、昇温して９５０℃以上の温度で、ＧａＮ膜を追加形成するとともに該ＧａＮ膜を基板から剥離させて、ＧａＮ自立基板を得る高温成長工程とを含むことを特徴とするＧａＮ自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】主面上に良質な結晶を成長させることが可能なIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】Ｃ面以外の面を主面とするIII族窒化物半導体基板（１）であって、主面とＣ面の交線方向（ｘ方向）における主面のチルト角分布Ｗ１と、その交線に直交する方向（ｙ方向）における主面のチルト角分布Ｗ２との比（Ｗ１／Ｗ２）が１未満であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する方法を提供する。
【解決手段】種基板１４を固定するポケット部１２と、サセプター１１と種基板１４との間に、種基板１４と反応しないサブサセプター１３とを備えてなり、かつ、種基板１４とサブサセプター１３との間に間隙を有してなる、サセプター１１を用いる。なお、間隙の大きさと、窒化ガリウム自立基板の厚みは、それぞれ、０ｍｍ超過２ｍｍ以下である。 （もっと読む）