【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１００は、基板７の温度を測定する放射温度計２４ａ、２４ｂと、基板７の周辺にガス噴出部１９が設けられたガス流路１８と、ガス流路１８に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、放射温度計２４ａ、２４ｂによる測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路１８に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部２６とを有する。ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部２８と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス供給口を閉塞させること無く、歩留まりを良くする。
【解決手段】複数積層されたウェーハ１４を処理（熱処理）する反応管４２（マニホールド３６）と、反応管４２内を加熱する加熱体４８と、反応管４２内に設けられ、各ウェーハ１４の積層方向に延びる第１ガス供給ノズル６０と、第１ガス供給ノズル６０の基端部６０ａから先端部６０ｂに向けて複数並んで設けられ、各ウェーハ１４に向けてＳｉ原子含有ガス（成膜ガス）およびＣｌ原子含有ガス（エッチングガス）を供給する第１ガス供給口６８と、第１ガス供給ノズル６０の先端部６０ｂに設けられ、ガス供給方向に向けて延びる整流板６１とを備えている。これにより、最上段の第１ガス供給口６８の周辺におけるエッチングガスの濃度低下を抑えることができ、第１ガス供給口６８を閉塞させることが無いので、歩留まりを良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】反応室内のＳｉＣ基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化することで、基板上での原料ガスを消費しやすくし、基板面内でのガス流れを均等化し、積層された基板間の下方方向への流れ落ちを抑制するＳｉＣ縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】炭化珪素膜を成長させることを可能とする反応室とその中に配置されたボートを有し、且つそのボートには、複数枚の基板１４が平行に縦積みで配置され、反応室内に設けられたガス供給ノズル６０，７０の基板の配列領域に設けられた第一のガス供給ノズルから少なくともシリコン原子含有ガスを供給し、ガス供給ノズルとは異なる箇所であって、基板の配列領域に設けられた第二のガス供給ノズルから少なくとも炭素原子含有ガスを供給して、基板上に炭化珪素膜を成膜する縦型基板処理装置において、反応室内の基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化するための壁体３００を設ける。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作方法と手段でシリコンと炭化ケイ素を回収することができるカッティング廃液の処理、回収方法とその手段を提供する。
【解決手段】第一のステップと、第二のステップと、第三のステップと、第四のステップを含んでなり、第一のステップでは、カッティング廃液を希塩酸で攪拌混合して流動し易い混合材料にし、第二のステップでは、混合材料を過熱して液体分離して水とポリエチレングリコールを蒸発させ、冷却、脱水してポリエチレングリコールを回収し、分離して得られる固体が炭化ケイ素とシリコンの固体混合物で、第三のステップでは、固体混合物を二次洗浄して炭化ケイ素とシリコンの二次洗浄の固体混合物を回収し、第四のステップでは硝酸とハフニウムから組成した混合酸性溶液で、炭化ケイ素とシリコンを回収し、廃液重量から計算すると、２６−４６％の回収率に達する。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一な粒径を有する品質の高い、珪素微粒子が炭化珪素に被覆されてなる珪素／炭化珪素複合微粒子を高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の珪素微粒子が炭化珪素で被覆された珪素／炭化珪素複合微粒子の製造方法は、酸化珪素の粉末を、炭素を含む液体状の物質に分散させてスラリーにし、このスラリーを液滴化させて酸素を含まない熱プラズマ炎中に供給して珪素／炭化珪素複合微粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】セラミック化に伴う体積収縮を低減しクラックの発生を防止できると共に、ピンホール等の欠陥発生も抑制できるガス分離用セラミック薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガス分離用セラミック薄膜は、セラミックス前駆体であるポリカルボシラン(PCS)またはPCSに他の高分子材料を混合したポリマーブレンドなどのケイ素系混合高分子材料をセラミック基材上に成膜し、真空中や不活性ガス中などの無酸素環境下において電離放射線により架橋した後、アルゴンガスなどの高級不活性ガス中で焼成することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】希望する組成を有し、かつ、使用特性に優れ、材料組成の選択により、各種機能を有する高効率の素子、デバイスを実現するのに好適なナノ球状粒子、粉末、工業的利用性を充分に満たす捕集率を実現しえるナノ球状粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルゴン不活性ガス雰囲気中で、原料金属の溶融物を高速回転する皿ディスク上に供給し、遠心力を作用させて小滴として飛散させ、ガス雰囲気との接触により急冷して球状粒子とした後、得られた球状粒子に対し、プラズマ旋回流内でアルゴンイオンと衝突反応させて、原料金属の成分をナノサイズに分解すると同時に反応性のあるガス成分又は蒸気成分と接触させるプラズマ反応結晶化処理をする。これにより、１μｍ未満の粒径を有し、真球度２０％以内のナノコンポジット構造を有するナノ球状粒子、粉末が得られる。 （もっと読む）

【課題】目詰まり量が少なく、且つ、十分な強度を有する炭化ケイ素多孔質構造体及びその製造方法を提供する
【解決手段】炭化ケイ素粉末８０ｇ，水溶性フェノール樹脂４３ｇ，水３０ｇ，解膠剤０．５ｇ，及びバインダー３ｇを含む水性スラリーを調製し、この水性スラリーに市販のウレタンフォームを１回含浸させた。次に、ポリシリコンを充填した坩堝上にセラミック製の載置板を配置し、載置板上に水性スラリーを含浸させたウレタンフォームを載置して加熱炉内に導入した。そして９００℃の真空雰囲気内で坩堝を加熱することにより水性スラリーを炭素化させた後に、１６００℃の真空雰囲気内で０．５時間坩堝を加熱することにより坩堝内に充填したポリシリコンに由来するシリコン蒸気によりウレタンフォームにシリコンを含浸させた。 （もっと読む）

【課題】超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素による固液混合物質の高効率分離法及びその装置を提供する。
【解決手段】超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素を比重差分離溶媒として用いて、固液混合物質を比重差を利用して分離することからなる固液混合物質の分離方法、上記比重差分離工程と、超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素を抽出分離溶媒として用いた抽出分離工程を組み合わせて、固液混合物質を比重差分離及び抽出分離を利用して分離することからなる固液混合物質の分離方法、固液混合物質と超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素を混合し、固液混合物質と超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素の混合後の流体の密度及び粘性を制御する上記固液混合物質の分離方法、及びその装置。
【効果】超臨界二酸化炭素を比重差分離溶媒として用いた、新しい固液混合物質の高効率分離方法及び装置を提供することができる。 （もっと読む）

本発明は、反応流（１４）とエネルギー流（１５）の間の相互作用がある気相において、粒子製造用リアクター（１１）中でナノメータ粒子（１０）を製造する気相法に関する。この方法は、以下の工程を含む：
−該リアクター（１１）と気体の塩化物（１２）を製造するための装置を連結する工程
−粉末の形態の塩基前駆物質（２０）から気体の塩化物を製造する工程、及び
−前記反応流（１４）をリアクター（１１）内に注入する工程。
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本発明は、レーザ（１０）によって発せられる光線（１１）と注入装置（１４）によって放出される反応剤の流れ（１３）との少なくとも１つの相互作用ゾーンにおいて、熱分解性レーザの作用により、連続流の中でナノメートルサイズ又はサブミクロンサイズの粉体を製造するためのシステムに関し、本システムでは、レーザの後に光学手段（１２）が設けられており、レーザによって発せられた光線のエネルギーを、各反応剤の流れの軸に対して垂直な軸に沿って、前記少なくとも１つの相互作用ゾーン内で寸法が調節可能な細長い断面に分布させることができる。本発明は、前記粉体の製造方法にも関する。
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