本発明のアルコキシド化合物は、下記一般式（I）で表されるものであり、ＣＶＤ法等の化合物を気化させて薄膜を形成する方法に用いられる薄膜形成用原料に適するものである。また、本発明の薄膜形成用原料は、該アルコキシド化合物を含有してなるものであり、本発明の薄膜の製造方法は、該薄膜形成用原料を気化させて得たアルコキシド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、これを分解及び／又は化学反応させて基体上に薄膜を形成するものである。
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本発明の金属化合物は、下記一般式（I）で表されるもので、融点が低く液体の状態で輸送が可能であり且つ蒸気圧が大きく気化させやすく、しかも他の金属化合物と混合しても配位子交換や化学反応により変質せず、金属化合物を気化させて薄膜を形成するＣＶＤ法等の薄膜製造方法に用いられる原料に適している。
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MgCl₂、エタノールおよびルイス塩基(LB)を含む付加物であって、該化合物が次の式MgCl₂・(EtOH)_n(LB)_p（ここで、nは2〜6であり、pは次の式p/(n+p)≦0.1を満足する値を有する）で定義されるモル比で存在する付加物を提供する。該付加物は、高い活性のZN触媒の製造における前駆体として用いられ得る。 （もっと読む）

本発明は、短鎖の、不飽和カルボン酸の金属化合物の使用及び酸と金属アルコラートとの反応による短鎖の、不飽和カルボン酸の金属化合物の製造方法に関する。 （もっと読む）