【課題】スルホン酸ホスホニウム帯電防止剤の一段と効率的な製造方法（特に一段階法）、並びにこれらの帯電防止剤を配合した熱可塑性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】以下の一般式（１）のスルホン酸ホスホニウム塩の製造方法であって、水性媒質中で高ハロゲン化スルホン酸のリチウム、あるいはナトリウム塩を化学量論的過剰量の四置換アルキルホスホニウム陽イオン化合物と混合する段階、及び媒質から式（１）の生成物を分離する段階を含んでなる方法。（式中、各Ｘは、ハロゲン／水素のモル比が約０．９０超であることを条件として、独立にハロゲン又は水素であり、ｑ＋ｒが８未満であること及びｐが０でないときはｒが０を超えることを条件として、ｐは０又は１であり、ｑ及びｒは０〜約７の整数であり、各Ｒは炭素原子数１〜約１８の同一又は異なる炭化水素基である。）
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【課題】ＴＦＥ等の含フッ素オレフィンのｓｐ２混成炭素原子に結合したフッ素原子を、簡便かつ安全に他の原子又は原子団で置換することができる製造方法を提供する。
【解決手段】有機パラジウム錯体又は有機ニッケル錯体の存在下に、含フッ素オレフィン中のｓｐ２混成炭素原子に結合したフッ素原子を、他の原子又は原子団で置換する、有機フッ素化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】リガンドの製造方法を提供する。
【解決手段】式：
【化１】


（式中、Ｑは、リン、砒素およびアンチモンから選択され；Ｘ^１、Ｘ^２およびＸ^３は炭素アニオンであり；Ｒ^１５は、−ＳＯ_３、−ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^１８）、−ＣＯ_２、−ＰＯ_３、−ＡｓＯ_３、−ＳｉＯ_２、−Ｃ（ＣＦ_３）_２Ｏから選択され；Ｒ^１８は、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル基および置換ヒドロカルビル基から選択される）を有するリガンドの製造ための、リガンド合成方法が開示される。リガンドを後期遷移金属と錯体形成させて、重合反応および／またはＨｅｃｋカップリング反応を触媒する触媒錯体を形成する方法も開示される。 （もっと読む）

次式（Ｉ）：


（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基であり、ｎは１〜６の整数である）で表されるビスホスホノアミン化合物は、放射性画像診断のための窒化テクネチウム錯体を調製するための中間体として極めて有用である。
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【課題】 光電変換材料の原料として有用なシス−ジクロロ−ビス（４，４’−ジカルボキシ−２，２’−ビピリジン）ルテニウム（ＩＩ）を収率よく製造できる方法を提供すること。
【解決手段】シス−ジクロロ−ビス（４，４’−ジアルコキシカルボニル−２，２’−ビピリジン）ルテニウム（ＩＩ）等をエステル加水分解反応せしめることを特徴とするシス−ジクロロ−ビス（４，４’−ジカルボキシ−２，２’−ビピリジン）ルテニウム（ＩＩ）の製造方法、並びにこのようにして得られたシス−ジクロロ−ビス（４，４’−ジカルボキシ−２，２’−ビピリジン）ルテニウム（ＩＩ）をチオシアン酸塩と反応せしめることを特徴とするシス−ジ（イソチオシアナート）−ビス（４，４’−ジカルボキシ−２，２’−ビピリジン）ルテニウム（ＩＩ）の製造方法。 （もっと読む）