【課題】Ｓｉ基板の表面にめっき用触媒を均一に付着させることができ、高品質の無電解めっき膜を形成可能な無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっきを、Ｓｉ基板表面の酸化物を除去する工程（手順Ｓ１）、酸化物が除去されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ２）、Ｓｉ基板の表面に存在する水素をハロゲンで置換する工程（手順Ｓ３）、水素がハロゲンで置換されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ４）、Ｓｉ基板の表面にめっき用の触媒を付与する工程（手順Ｓ５）、めっき用の触媒が付与されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ６）、Ｓｉ基板の表面に所要の無電解めっき膜を形成する工程（手順Ｓ７）、めっき膜が形成されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ８）、洗浄後のＳｉ基板を乾燥する工程（手順Ｓ９）とを経て行う。 （もっと読む）

【課題】無線物品用ループアンテナの製作、及びテレホンカード等のスマートカード用回路の製作のために、金属パターンを非導電性基板上に設けるプロセスを提供する。
【解決手段】方法は、触媒インクを塗布することで非導電性基板を触媒する、触媒インク中の触媒金属イオン源を関連する金属に還元する、無電解金属を基板面の触媒インクパターンに堆積する、及び電解金属を無電解金属層上にメッキして所望の金属パターンを非導電性基板に製造する工程を含む。触媒インクは、概して、１つ以上の溶媒、触媒金属イオン源、架橋剤、１つ以上のコポリマー、ポリウレタンポリマー、及び任意で、１つ以上のフィラーを含む。 （もっと読む）

タリウム等の重金属イオンを含まなくても実用上十分な析出速度を有し、まためっき液の安定性にも優れた無電解金めっき液を提供することを目的とする。 金塩として非シアン系金塩、金の錯化剤として亜硫酸およびチオ硫酸のアルカリ金属塩又はアンモニウム塩、還元剤としての下記一般式で表されるヒドロキシアルキルスルホン酸又はその塩と、アミン化合物とを含有することを特徴とする無電解金めっき液。 【化１】（上記式中、Ｒは水素、カルボキシ基、又は置換基を有していてもよいフェニル基、トリル基、ナフチル基、飽和または不飽和アルキル基、アセチル基、アセトニル基、ピリジル基、及びフリル基のいずれかを表わし、Ｘは水素、Ｎａ、Ｋ、及びＮＨ_４のいずれかを表わし、ｎは０〜４の整数である。）
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この発明は、アルミニウム表面を清浄化すること、腐食性のニトレート化合物を実質的に含まず、過酸素化合物を含む酸性エッチング溶液に前記アルミニウム表面を接触させること、前記アルミニウム表面を、６〜６０ｇ／ｌの亜鉛及び１００〜５００ｇ／ｌのヒドロキシイオンを含むジンケート処理溶液に接触させることを含んでなる、その後のメッキのためにアルミニウム表面をジンケート処理する方法に関する。廃棄物処理を簡単にするため、酸性エッチング溶液は有害な無機フルオリド化合物を実質的に含まない。この発明は、図２、特にステップ６を参照することによって理解することができる。 （もっと読む）