【課題】 曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレーム及びそのめっき方法を提供する。
【解決手段】 素材金属１０の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレーム及びそのめっき方法において、下地めっき層を、素材金属１０上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Ｎｉめっき層１１と、平滑Ｎｉめっき層１１の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Ｎｉめっき層１２とによって形成した。 （もっと読む）

【課題】熱処理を施した銅合金から成る基材に銅ストライクめっきを施す際に、その前処理工程を可及的に短縮でき、基材との密着性及びその耐熱性についても、充分に満足し得る銅ストライクめっき層を形成できる銅ストライクめっき方法を提供する。
【解決手段】熱処理を施した銅合金から成る基材の表面に脱脂処理及び電解活性処理を施した後、前記表面に銅ストライクめっきを施す際に、該銅ストライクめっきでは、前記基材の表面に形成した銅ストライクめっき層のＸ線回折の反射強度が最大値を示す結晶面が、銅から成る金属結晶を細密充填した銅層のＸ線回折の反射強度が最大値となる結晶面である（１１１）面となるように、前記基材の表面に銅金属が析出する極側のみに電流がパルス状に出現するパルス電流を前記基材に印加することを特徴とする。 （もっと読む）

この発明は、自立複合エレメント及びそれを製造する方法に関するものである。この複合エレメントは、電気伝導性材料の基材とそれを覆う本質的に基材と垂直な平面に沿って配向した金属ナノワイヤよりなる。基材の厚みは、数？ｍから数百？ｍに及ぶ。このエレメントは、被覆されるべき基材により形成されたカソード、少なくとも一つのアノード及び金属材料の前駆物質の溶液により形成され適宜伝導性のイオン性塩を含む電解液、カソードと各アノードとの間に置かれた平坦な多孔性膜及び各膜とそれに隣接するアノードとの間のスペーサーエレメントを含むセルにおいて製造され、該セルの種々の構成部品は、接触を保っている。
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【課題】この発明は、例えば、コレクタ面にコレクタ電極を形成する場合において、ウエハの反りを抑制することができ、別途余分な部材を設けること無く、また完成品の素子動作を阻害すること無く、当該コレクタ電極を形成することができる、実用性のある半導体装置の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法では、まず、アノード電極２に対向して、めっき液４にスイッチング半導体素子５のコレクタ面を浸漬させる。次に、エミッタ電極５ａに対して高電位となる電圧をゲート電極５ｂに印加し、スイッチング半導体素子５を導通状態にする。そして、当該導通状態において、エミッタ電極５ａに対して高電位となる電圧をアノード電極２に印加することにより、めっき液４とスイッチング半導体素子５に電流を流す。 （もっと読む）

【課題】透孔と袋孔も含め、全面、あるいは部分的な構造の表面を、設備技術的コストを既知の通過設備に比較して著しく高くせずに正確に電解処理すること。
【解決手段】構成部品が電解セル（２、３）の電極間を水平または垂直に方向付けされて移送され、構成部品の表面に電気的に導通する、全面の、または部分的な電解処理すべき層が設けられており、この層に透孔および／または袋孔が設けられており、それらが電解金属化され、あるいは充填される、ものにおいて、電解セル（２、３）内の処理が、１００ｍｍより大きい陽極／陰極間隔（２０、２１）で行われ、かつ、これらの電解セルに単極または双極のパルス電流が供給される。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な構成で、例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等にあっても、内部にボイドを発生させることなく、金属膜を確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】 めっき液１８８を保持するめっき槽１８６と、基板Ｗを保持して該基板に通電し、基板の被めっき面をめっき槽内のめっき液に接触させるホルダ１６０と、めっき槽内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード２１４と、アノードとホルダで保持した基板との間に配置され、めっき槽内のめっき液を攪拌するめっき液攪拌部２２０，２２４と、基板とアノードとの間に電圧を周期的に印加するめっき電源２３０を有し、基板とアノードとの間に電圧が印加されていない時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を行い、基板とアノードとの間に電圧が印加されている時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を停止する。 （もっと読む）

【課題】めっき膜に取り込まれる不純物を低減させて、凹部内の配線における欠陥を減少させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、表面にビアホール１ａ及び配線溝１ｂを有するウェハＷをめっき液に浸漬させ、かつウェハＷとアノード１１との間に電圧を印加して、ウェハＷ上にめっき膜４を形成する。めっき膜４を形成した後に、電圧を印加した状態でウェハＷをめっき液から取り出す。そして、シード膜３及びめっき膜４に熱処理を施し、結晶を成長させて、配線膜５を形成する。最後に、ビアホール１ａ及び配線溝１ｂに埋め込まれた部分以外の配線膜５等を除去し、配線５ａを形成する。 （もっと読む）

本発明は、ナノメートル結晶金属材料、特に、超高強度及び導電率を有するナノ双晶銅材料ならびにその製造方法である。電着法を使用することによって高純度多結晶Ｃｕ材料を製造する。微細構造は、実質的に等軸晶のサブミクロンサイズの粒径３００〜１０００nmのオーダである結晶粒からなる。結晶粒の中には、異なる方位の双晶層の高密度構造が存在し、同じ方位の双晶層が互いに対して平行であり、双晶層の厚さは数ナノメートルから１００nmまでであり、その長さは１００〜５００nmである。関連技術と比較して、本発明は性質が優れている。周囲温度下で加工されると、材料は、９００MPaまでの降伏強さ及び１０８６MPaまでの破断強さを有する。この超高強度は、多くの他の方法では、同じ銅材料によって実現することはできない。同時に、導電率が優れ、従来の粗結晶銅材料の導電率とほぼ同じであり、周囲温度下での抵抗は、９６％ＩＡＣＳに等しい１．７５±０．０２×１０^-8Ω・mである。
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【課題】目的物質を均一に電解生成可能であるとともに、目的物質の電解生成速度を、電解浴容積を大きくすることなく増加させることができる、パルス電解による物質の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】短パルス電解では、短パルスＰ１の立ち上げ後（時間ｔ_S）、陰極界面に拡散層が発生する前（ｔ≦ｔ_D）に、短パルスの立ち下げが完了する（時間ｔ_E）。 （もっと読む）

基板に金属層をめっきするための装置及び方法が提供される。陰極液容積は、めっきのために基板を受容するように位置決めされる。１つ以上の陽極セグメントがその中に位置決めされた陽極液容積は、陰極液容積からイオン的に分離される。補助電極がその中に位置決めされた補助容積は、陽極液容積から電気的に隔離されるように設けられ、陰極液容積とイオンで連通している。めっき法は、１つの陽極セグメントと補助電極と逆の電気極性にある２つの電源から電流パルスを供給することにより基板の中心とエッジ近くで一様に薄い金属シードをめっきする第１段階を含んでいる。その後、第２電流パルスを全ての陽極セグメントに印加することによって特徴部の間隙充填とバルク金属めっきが行われる。 （もっと読む）

【課題】 電子部品に対して、厚膜の部分めっきを効率よく施すことを可能にする部分めっき装置を提供する。
【解決手段】 頂面と底面の双方にて開口した複数の筒状めっき液保持容器、各筒状めっき液保持容器の内部に備えられた一方の電極、該電極に電気的に接続された電源、各筒状めっき液保持装置の開口底面に接続するめっき液供給容器、筒状めっき保持装置の周囲に備えられためっき液回収容器、そして上記電源の他方の極に電気的に接続された電子部品仮保持具からなる電子部品の部分めっき装置。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも亜鉛イオンとリン酸塩イオンとを含有する酸性水溶液から、同時に直流を用いて電着させることによって金属層をリン酸塩処理するための方法に関する。リン酸塩処理層の堆積と同時に亜鉛の電着を同一の電解質中で生じさせる。この場合、電流密度は＞−５Ａ／ｄｍ^２の範囲内である。
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