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IB−IIIA−VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法
本発明は、IB−IIIA−VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、当該方法は、(i)IB族及びIIIA族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、(ii)第1のVIA族元素(当該第1のVIA族元素は、これ以降、VIA1と呼ばれる)の発生源が存在する中で、IB−VIA1族合金及びIIIA−VIA1族合金から成るグループから選択される少なくとも1つの二元合金と、少なくとも1つのIB−IIIA−VIA1族三元合金との混合物を含む第1の薄膜を形成するための条件下で金属薄膜を熱処理するステップと、(iii)第2のVIA族元素(当該第2のVI族元素は、これ以降、VIA2と呼ばれる)の発生源が存在する中で、第1の薄膜を、IB−VIA1−VIA2族合金及びIIIA−VIA1−VIA2族合金から成るグループから選択される少なくとも1つの合金と、ステップ(ii)の少なくとも1つのIB−IIIA−VIA1族三元合金とを含む第2の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、第1の薄膜を熱処理するステップと、(iv)第1の薄膜又は第2の薄膜のいずれかを熱処理して、IB−IIIA−VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、IB−IIIA−VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法に関する。
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磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置
【課題】 高い規格化保磁力を有するとともに、熱的な安定性に優れる磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記録装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基体1と、該非磁性基体1上に金属下地層2を介して形成されたコバルト基合金からなる強磁性金属層3とを備える磁気記録媒体10において、保磁力Hcが2000(Oe)以上であり、かつ異方性磁界Hkgrainが10000(Oe)以上であることを特徴とする。また、前記金属下地層2および/または強磁性金属層3が、到達真空度10-9Torr台の成膜室において、不純物濃度1ppb以下の成膜用ガスを用いて成膜されてなるものであることが好ましい。
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