【課題】劣化率を低下させ、安定化効率を高めた光起電力装置を提供する。
【解決手段】基板１００の上部に配置された第１電極２１０と、第１電極２１０の上部に受光層２３３を含む少なくとも一つ以上の光電変換層２３０と、光電変換層２３０の上部に配置された第２電極２５０とを含み、受光層２３３は、水素化されたマイクロ結晶質シリコンゲルマニウムと前記水素化されたマイクロ結晶質シリコンゲルマニウム間に形成された非晶質シリコンゲルマニウムネットワークとを含む第１副層２３３ａと、水素化されたマイクロ結晶質シリコンと前記水素化されたマイクロ結晶質シリコン間に形成された非晶質シリコンネットワークとを含む第２副層２３３ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＯＮ電流を向上でき、安価で大量生産に適した薄膜トランジスタの製造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜と微結晶シリコン膜とが直接接触するように配置された薄膜トランジスタの製造装置及びその製造方法である。基板１上にゲート絶縁膜３を形成した後、基板１を円筒状回転電極と対向させ、基板１と円筒状回転電極との間に生成されたプラズマによりシランガスを化学反応させながら、円筒状回転電極の回転周方向と逆方向に基板１を相対移動させることにより、ゲート絶縁膜３上にゲート絶縁膜３と直接接触するように微結晶シリコン膜４を堆積し、かつ、微結晶シリコン膜４の上層にアモルファスシリコン膜５を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 製膜特性を容易に調整し、かつ、各製膜室における製膜特性の差の発生を抑制するとともに、設備コストの低減を図ることができる真空処理装置および真空処理装置を用いた製膜方法を提供する。
【解決手段】 電源部１７ａから高周波電力が両端部５３に供給され、基板８との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｈと、複数の放電電極３ａ〜３ｈに供給される高周波電力の位相および振幅を、両端部５３のそれぞれにおいて調節する複数の整合器３ａｔ〜３ｈｔと、を備え、複数の整合器３ａｔ〜３ｈｔのインピーダンスが略同一な値に設定され、インピーダンスの値は、複数の放電電極３ａ〜３ｈのうちの一の放電電極における電源部１７ａへの反射電力が略最小になる値であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号の処理速度向上が得られる層間絶縁膜として好適な誘電率が小さな材料を提供する。
【解決手段】化学気相成長方法により基板上に膜を形成する方法であって、 （ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂を供給する供給工程と、 前記供給工程で供給された（ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂の分解による分解生成物が前記基板上に堆積する堆積工程とを具備する。 （もっと読む）

流動性絶縁材料から残留炭素堆積物を除去する方法。流動性絶縁材料はケイ素、炭素および水素を含むもので、流動性酸化物材料またはスピンオン流動性酸化物材料である。残留炭素堆積物は、流動性絶縁材料をオゾンに曝露することによってその流動性絶縁材料から除去される。流動性絶縁材料は、半導体基板上に配置されたトレンチの中に絶縁層を形成するために使用される。 （もっと読む）