【課題】波長純度の高い紫外光を得ることのできるＥＬ素子及びレーザ発光素子を提供する。
【解決手段】ポリシラン又はオリゴシラン等、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光層１３として透明電極１２と上部電極１４の間に配置してＥＬ素子１０を構成する。発光層としてポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳ）を用いた場合、両電極１２，１４間に直流電圧を印加することで約３７０ｎｍに鋭いピークを有するＥＬスペクトルが得られる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において取扱いが容易であり、且つ、ダイヤモンドの気相成長温度と同程度の高温にも耐えられるダイヤモンド基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド基板１は、第１の領域１１と第１の領域１１を取り囲む第２の領域１２とを含む主面１３を有し、第１の領域１１に貫通孔１４を有する基板１０と、貫通孔１４内に配置された単結晶ダイヤモンド部２０と、第２の領域１２上から単結晶ダイヤモンド部２０上に渡って設けられており、基板１０及び単結晶ダイヤモンド部２０に固定された多結晶ダイヤモンド部３０とを備える。この構成では、単結晶ダイヤモンド部２０は、多結晶ダイヤモンド部３０によって、基板１０に対して位置が固定される。その結果、基板処理装置を利用してダイヤモンド基板１を処理するときの取扱が容易になり、また、ダイヤモンドの気相成長温度と同程度の高温にも耐えられる。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に、化学的気相成長により異なる組成のエピタキシャル層を得ることが出来る気相エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】反応管６と、該反応管を上部室６１と下部室６２とに分離する分離板４と、上部室６１に第１の成長ガスを導入する第１のガス導入口１０と、下部室６２に第２の成長ガスを導入する第２のガス導入口１４と、分離板４の開口４ａ内に分離板４とほぼ同一平面を形成するように配置され基板設置用の開口部２ａを備えた板状のサセプタ２と、基板３を加熱するヒータ１とを具備し、サセプタ２が備える開口部２ａを閉鎖するように基板３を設置することにより、開口部２ａから下部室６２側に露出した基板の裏面に第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成するとともに、基板３の表面に第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

本発明は、
−ケイ素イオンまたはゲルマニウムイオンのビームを使用して、基材を照射することによる核生成サイト（４）の形成と、
−形成された核生成サイト上でのナノストラクチャー（８）の成長
とを含むナノストラクチャーの形成方法に関する。
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【課題】 半導体装置の層間絶縁膜などとして有用な低誘電率の膜を形成する方法と、この方法により形成される膜を提供すること。
【解決手段】 基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、シリルエーテル、シリルエーテルオリゴマー又は１以上の反応性基を有する有機ケイ素化合物を含む、有機ケイ素前駆物質を反応させて、約３．５以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）