【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜８ｂを形成する工程と、タングステン膜８ｂ上に窒化チタン膜からなる下部電極１３を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極１３上に容量絶縁膜１４を形成する工程と、容量絶縁膜１４上に上部電極１５を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】狭スペースへのシリコン膜の埋め込み性の向上を図る。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン膜の形成方法は、凹部２０の開口側からボトム側に向けてくぼんだくぼみ４０を有するアンドープの第１のシリコン膜３２を凹部２０に形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、凹部２０内の第１のシリコン膜３２の一部を塩素を含むガスを用いてエッチングし、第１のシリコン膜３２に凹部２０のボトム側よりも開口側で幅が広い隙間４１を形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、隙間４１に面する第１のシリコン膜３２の内壁に不純物を添加する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、不純物の添加後、隙間４１を埋める第２のシリコン膜３３を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】成膜対象となる基板の劣化を防止ないしは抑制する。
【解決手段】原料ガスに光を照射することで種を生成し、種を基板２に堆積させることにより膜を成長させる光ＣＶＤ装置（成膜装置）１であって、光源１３と基板２を保持する試料台（基板保持部）１４の間に遮光板（遮光部材）２０を配置する。遮光板２０は、基板２の成膜面２ａと対向する裏面２０ａ、裏面２０ａの反対側に位置する表面２０ｂ、裏面２０ａおよび表面２０ｂのうちの一方から他方までを貫通する複数の貫通孔２１を有している。また、遮光板２０の裏面２０ａと基板２の成膜面２ａの距離Ｃ１は、原料ガスの気体分子の平均自由行程以下である。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕの選択成長と非選択成長を適用した半導体デバイスの相互接続配線の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ増強原子層堆積チャンバ内に基板を準備し、基板は、露出した第１材料を有する第１領域と、露出した第２材料を有する第２領域とを含み、第１材料は金属窒化物又は窒化可能な金属を含み、第２材料は窒化不可能な金属又はシリコン酸化物を含むようにし、（ａ）第１ステップとして貴金属前駆体をチャンバに供給して、貴金属前駆体をキャリアガスの存在下で基板に接触させ、続いて貴金属前駆体をパージするステップ、アンモニア及びキャリアガスをチャンバに供給しつつ基板をプラズマに曝露するステップを繰り返し実施することにより、第１領域でなく第２領域上で貴金属層を選択的に堆積させ、次に（ｂ）基板をアンモニア及びキャリアガスプラズマに曝露するステップと、貴金属前駆体を基板に接触させるステップで非選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】堆積速度が速く、好ましくは約７００℃以下のような低いプロセス温度を維持し、置換型炭素濃度が高い、ＳｉとＣを含有する選択エピタキシャル層を得る方法を提供する。
【解決手段】基板上にＳｉとＣを含有するエピタキシャル層を形成する方法であって、単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びこれらの組み合わせより選ばれる少なくとも一つの第二表面とを含む基板をプロセスチャンバ内に配置するステップと、プロセスチャンバ内の圧力を少なくとも３００トールに維持しつつ、該基板をシリコン源と、炭素源と、リン源にさらして、該基板の少なくとも一部にリンがドープされたＳｉ：Ｃエピタキシャル膜を形成するステップと、７００℃以下のプロセスチャンバ内の温度の下で、ＨＣｌを含むエッチングガスに該基板をさらすことにより該基板を更に処理するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】摩擦接触面に、形状や高さが均一でエッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成される無機質膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】成膜面にマスク形成用の金属層４０を形成するステップと、金属層４０にエッチングを施して、セグメントを区画する溝位置に金属層４０の突起部を形成するステップと、突起部４０を形成した成膜面が露出するように陰極を構成する基板ホルダ上に載置し、プラズマＣＶＤ法を用いて突起部４０の間の成膜面に、突起部４０に対向するエッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成る無機質膜を成膜するステップと、突起部４０を除去するステップとを備える。セグメントのエッジ部分が丸みを帯びているため、予圧された接触部材と接触したときの接触圧力がセグメント全体で均一化し、エッジ部分の破損が生じない。 （もっと読む）

【課題】 タングステン膜を成膜する際に半導体ウェーハがエッチングされることを抑制する成膜装置及び成膜方法を提供することである。
【解決手段】 実施形態に係る成膜装置は、半導体ウェーハを載置するためのステージと、前記ステージ上に載置される半導体ウェーハの周縁部を覆うように配置されるエッジカット部を備え、前記半導体ウェーハ上にタングステン膜を成膜する。前記エッジカット部は、前記半導体ウェーハの周縁部と接触可能に設けられた第１のエッジカット部と、前記第１のエッジカット部に接続され、前記半導体ウェーハと実質的に垂直な方向に上下動可能な接続部と、前記接続部に接続され、前記接続部の上下動により前記半導体ウェーハの内側面に当接するように配置された第２のエッジカット部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内の部材を支持する軸線方向に移動可能な棒状の支持部材をその軸線に直交する軸回りの自由度を含む所定数の自由度を持ってチャンバ外壁に傾動自在に連結する真空メカニカルジョイントであって、支持部材用のアクチュエータを真空チャンバの外部に配置し、且つ、真空チャンバの気密性も確保できるものを提供する。
【解決手段】チャンバ外壁１３に固定され、支持部材７が遊挿される孔８１３を有する固定ジョイント部材８１と、固定ジョイント部材８１に、チャンバ外壁１３の外側で所定数の自由度を持って傾動自在に連結される可動ジョイント部材８３とを備える。支持部材用のアクチュエータ８４を可動ジョイント部材８３に搭載する。また、支持部材７が挿通される可撓性及び伸縮性を有する筒状隔壁８５を設け、その一端部を孔８１３に連通する状態で固定ジョイント部材８１に気密に固定し、他端部を支持部材７に気密に固定する。 （もっと読む）

【課題】気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着工程を効率的に進めることができ、蒸着膜特性を容易に向上させる、基板に薄膜を蒸着するための気相蒸着装置に係り、排気口を具備するチャンバ、チャンバ内に配置され、基板を装着するように装着面を具備するステージ、基板の薄膜が形成される平面方向と平行にガスを注入する少なくとも一つ以上の注入ホールを具備する注入部、及び基板と対向し、基板と離隔するように配置されるプラズマ発生部を含む気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】マスクユニットの構造的な変形を抑制して工程精密度を向上させる。
【解決手段】長さ方向に沿って配列された複数のパターン領域と、前記複数のパターン領域の間に配置されたダミー領域とを有する１つ以上の単位マスクと、前記単位マスクの長さ方向に引張力が加えられるように、前記単位マスクの長さ方向の両側端部を引っ張って固定するマスクフレームと、前記単位マスクの前記ダミー領域に結合し、前記単位マスクの長さ方向と交差する方向に形成され、前記単位マスクの長さ方向と交差する方向に前記単位マスクに引張力を加える交差引張部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】減圧下の処理室内で比較的高温となる処理が行われるような場合でも伝熱の影響を受けずに、処理室内に配置される部品を精度よく移動でき、構成部品組付の作業性が良い移動装置を提供する。
【解決手段】移動装置ＳＭは、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレート５と可動枠６とを備える。固定プレートの開口５１に嵌着された真空フランジ５２を介して、処理室１１を画成する外壁面に固定プレートが着脱自在に装着される。可動枠にアクチュエータ７_１〜７_４が設けられ、各アクチュエータのＺ軸方向にのびる連結ロッド７７で固定プレートと可動枠とが連結され、各アクチュエータの作動によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在である。可動プレートに立設された複数本の保持ロッド８が、上記外壁面の透孔１５に設けたシール部品１６を介して処理室内に突出してマスクＭを保持する。 （もっと読む）

【課題】上下方向で基板両面が基板よりも大きい輪郭の処理手段で覆われる場合でも基板とマスクの相対位置を撮像し、基板とマスクを精度よく位置決めでき、ＣＶＤ装置に適用したときでも、膜厚や膜質の面内均一性よく成膜できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１ａ内で基板Ｓに対向配置されるマスクＭと、基板に対してマスクを相対移動させる移動手段６３と、基板上側に配置されて基板の片面に対してマスク越しに所定の処理を施すガス導入部３及び高周波電源５と、基板の他面を覆うように基板下側に配置される本体２１を有して基板の他面側から所定の処理を施す加熱プレート２とを備える。本体２１下側に撮像手段７を設け、本体２１に上下方向の透孔２４ａを形成すると共に透孔内に透光性部材２４ｂを埋め込んで撮像用光路２４を構成し、撮像用光路を通して撮像手段により基板とマスクの相対位置を撮像し、この撮像データを基に移動手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタのソース−ドレイン置換技術に関し、装置一式を利用して基板材料に窪みをエッチングして、その後、応力を有する異なる材料を堆積することに関し、大気に曝すことなく、エッチングとその後の堆積とを行う方法の提供。
【解決手段】エッチングおよびデポジションによりＣＭＯＳトランジスタの接合領域を形成する方法であって、
第１接合領域２７０を形成すべくゲート電極１９０の隣の基板１２０の第１箇所と、前記基板１２０に第２接合領域２８０を形成すべく前記ゲート電極１９０を介して前記第１箇所とは反対側に位置する前記基板１２０の第２箇所とを除去する工程と、前記第１接合領域２７０と前記第２接合領域２８０とに結晶質材料のエピタキシャル厚みを有する層を形成する工程とを含み、前記除去する工程と前記形成する工程は同一のチャンバ内で前記チャンバの封止を破ることなく行う。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるティーチング方法では、位置を調整して、プロセスチャンバーを真空状態にして、位置のずれを顕微鏡で確認して、プロセスチャンバーを大気状態に戻して、また位置を調整する、という繰り返しを行うので、長い時間を必要とする上、気圧の変化を伴う作業は効率が悪い。さらに、顕微鏡を用いた作業者の目視による検査は、誤差が比較的大きい。
【解決手段】顕微鏡の代わりにＣＣＤカメラ３１を用い、ヒーターの基準位置に相当する第１の画像マーカーＡを用い、シャドウリング１８の中心位置の代わりに相当するアダプターリング調整治具１７に設けられた第２の画像マーカーＢを用いる。これら２つの画像マーカーＡおよびＢをＣＣＤカメラ３１にて測定し、アダプターリング調整治具１７の位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】セグメント形態の保護膜のさらに高速な形成が容易であり、保護膜の品質管理をさらに向上させ、さらに自由度の高い（複雑な）セグメント形態を可能とし、二次元形状のみならず三次元形状にも適用可能な、ＤＬＣ膜などの保護膜、およびそれを成膜する方法を提供すること。
【解決手段】セグメントに分割して形成されるように膜を堆積してなるセグメント形態の保護膜を基材上に形成させる際に、所定の形態のセグメントを得られるようにレーザーを用いて基材に溝加工をした後に、保護膜を堆積してセグメント間の間隔を形成することを特徴とする保護膜およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温で高品質な生成膜の生成を可能とし、デバイスの性能の向上を図ると共に歩留りの向上を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、処理室及び基板を所定の温度に加熱する工程と、処理室に所定のガスを給排するガス給排工程とを含み、ガス給排工程は、シラン系のガスと水素ガスとを処理室に供給する第１の供給工程と、少なくともシラン系のガスを処理室から除去する第１の除去工程と、塩素ガスと水素ガスとを処理室に供給する第２の供給工程と、少なくとも塩素ガスを処理室から除去する第２の除去工程とを、所定回数繰返して実行させる。 （もっと読む）

【課題】トレンチ埋め込みエピタキシャル成長の制御パラメータを変更した際にエピタキシャルの成長反応の変化傾向を簡便に知ることができ、結果として、最適な成長条件を簡便に見つけ出すことが可能な、トレンチ埋め込みエピタキシャル成長条件の最適化方法を提供する。
【解決手段】シリコンソースガスにエッチングガスを混合した混合ガスを原料ガスとし、この原料ガスをＨ₂キャリアガスで流通させることにより、シリコン基板表面に形成したトレンチ内部にエピタキシャル層を成長させてトレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む工程を含む半導体基板の製造方法における、トレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件を求める方法であって、ある特定のアスペクト比のトレンチ内部を埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件をエピタキシャル成長速度のＨ₂キャリアガスの流量依存性により求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンやゲルマニウムのようなＩＶ族半導体材料を、半導体表面上に、絶縁表面上への堆積無しに選択的に堆積する方法を提供する。
【解決手段】半導体プロセスで半導体材料の選択成長を行う方法が、第１領域１１と第２領域１２とを含むパターニングされた基板１０を提供する工程を含み、第１領域１１は露出した第１半導体材料を含み、第２領域１２は露出した絶縁材料を含む。この方法は、更に、第２半導体材料の前駆体、Ｃｌ化合物とは応性しないキャリアガス、および錫テトラクロライド（ＳｎＣｌ_４）を供給することにより、第１領域の第１半導体材料の上に第２半導体材料の膜を選択的に形成する工程を含む。錫テトラクロライドは、第２領域の絶縁材料上への第２半導体材料の堆積を阻害する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率金属を堆積することができるビーム堆積方法を提供する。
【解決手段】ヘキサメチル二スズのようなメチル化又はエチル化金属などの低抵抗率の金属材料を堆積できる前駆体を試料表面に向けて導入し、ガリウム集束イオンビームを試料表面の所望の位置に照射して、その位置に４０μΩ・ｃｍと低い抵抗率のスズ膜を堆積する。 （もっと読む）