移動装置
【課題】減圧下の処理室内で比較的高温となる処理が行われるような場合でも伝熱の影響を受けずに、処理室内に配置される部品を精度よく移動でき、構成部品組付の作業性が良い移動装置を提供する。
【解決手段】移動装置ＳＭは、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレート５と可動枠６とを備える。固定プレートの開口５１に嵌着された真空フランジ５２を介して、処理室１１を画成する外壁面に固定プレートが着脱自在に装着される。可動枠にアクチュエータ７１〜７４が設けられ、各アクチュエータのＺ軸方向にのびる連結ロッド７７で固定プレートと可動枠とが連結され、各アクチュエータの作動によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在である。可動プレートに立設された複数本の保持ロッド８が、上記外壁面の透孔１５に設けたシール部品１６を介して処理室内に突出してマスクＭを保持する。
【解決手段】移動装置ＳＭは、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレート５と可動枠６とを備える。固定プレートの開口５１に嵌着された真空フランジ５２を介して、処理室１１を画成する外壁面に固定プレートが着脱自在に装着される。可動枠にアクチュエータ７１〜７４が設けられ、各アクチュエータのＺ軸方向にのびる連結ロッド７７で固定プレートと可動枠とが連結され、各アクチュエータの作動によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在である。可動プレートに立設された複数本の保持ロッド８が、上記外壁面の透孔１５に設けたシール部品１６を介して処理室内に突出してマスクＭを保持する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動装置に関し、より詳しくは、減圧下の処理室内で当該処理室内に設置される所定の部品を保持し、この状態でＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の少なくとも一方向にこの部品を移動し得るものに関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置や半導体デバイスの製造工程においては、例えば、処理すべき基板に対し所定の薄膜を成膜する工程があり、この成膜工程においては、基板面内の特定範囲のみに成膜範囲を制限して成膜することがある。従来、蒸発源等を備えた処理室内にマスクを配置しておき、このマスクの下方に設置された基板に対してマスクを制度よく位置決め（アライメント）して成膜し得るものは例えば特許文献１で知られている。
【０００３】
上記従来例のものは、処理室内に固定のマスクステージと、このマスクステージに保持されたマスクに対向して基板を保持する基板ステージと、基板とマスクとの相対位置を撮像する撮像手段とを備える。基板ステージは、第１の駆動装置によりＸ、Ｙ方向に駆動される第１の移動ステージと、この第１の移動ステージ上でＺ方向案内装置に支持された第２の移動ステージとから構成されている。第２の移動ステージは、鋼球を介してステージ支持部で支持され、第２の駆動装置の駆動によりＺ方向に移動し、基板をマスクから離間させた状態で、撮像手段の撮像データを基に位置合わせを行った後、基板ＷをマスクＭに密着させて成膜が行われる。
【０００４】
ところで、上記成膜を行う真空処理装置としては、蒸着装置やスパッタリング装置等のＰＶＤ装置の他、ＣＶＤ装置も用いられることがある。ＣＶＤ装置では、成膜に基板を加熱したり、プラズマで原料ガスを分解したりするため、処理中に処理室内の温度が比較的高温となり易い。このため、上記従来例のものを処理室内に設けていると、動作不良が多発したり、または、熱の影響を受けて精密なアライメントが困難になる等の不具合が生じる。そこで、処理室の外側に、移動装置たるＸＹθステージを組み付け、このＸＹθスージに、処理室を画成する外壁面に形成した透孔に設けたシール部品を介して、当該処理室内まで突出するように支持ロッドの複数本を立設し、これらの支持ロッド（または各支持ロッド先端に連結したホルダ）でマスクを保持させることが考えられる。
【０００５】
上記ＸＹθステージとして、固定配置されるベースプレートと、このベースプレートの上下方向に重ね合わせて配置される可動プレートとから構成されるものが一般に使用されている。そして、ベースプレートに、直動モータや案内レール等を有する３個または４個のアクチュエータを独立して設け、各アクチュエータを単独または同期して駆動することでベースプレートに対して可動プレートが、Ｘ方向、Ｙ方向及びθ方向のいずれか一方向に相対移動されるようになっている。このようなＸＹθステージでは、故障時や使用頻度に応じてアクチュエータの構成部品を交換することが必要となる場合があるが、交換後にアクチュエータ相互の位置関係に誤差が生じると、ＸＹθステージの動作精度が低下する。
【０００６】
このため、アクチュエータをベースプレートに精度よく位置決めして再組付けすることが要求される。然し、上述の真空処理装置では、ＸＹθステージの周辺にもガス管や水冷管等の複数の部品が設けられていることが多いので、固定のベースプレートに対してアクチュエータを組み付けする作業が面倒となる場合が多い。また、処理室外側に基板に対してマスクを相対移動させる機構を設ける場合でも、外壁面からの伝熱の影響を受けたのでは、ベースプレートや可動プレートが熱膨張して、動作精度が低下する虞もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２０６９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、以上の点に鑑み、減圧下の処理室内で比較的高温となる処理が行われるような場合でも伝熱の影響を受けずに、処理室内に配置される部品を精度よく移動でき、しかも、構成部品組付の作業性が良い移動装置を提供することをその課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、互いに直交する同一平面内の２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とし、その面内の回転方向をθ方向として、処理室内に設置される所定の部品を保持し、この状態でＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向にこの部品を移動する移動装置であって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレートと可動枠とを備え、可動枠に少なくとも３個のアクチュエータが設けられ、これら各アクチュエータのＺ軸方向にのびる連結ロッドで固定プレートと可動枠とが相互に連結され、各アクチュエータの作動によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在であると共に、この可動プレートに複数本の保持ロッドが立設され、この保持ロッドが、上記外壁面に形成した透孔に設けたシール部品を介して処理室内に突出させて上記部品を保持するように構成したことを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、各アクチュエータを単独または同期して駆動することで固定プレートに対して可動プレートが、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向のいずれか一方向に相対移動され、これに伴い、保持ロッドで保持された部品が減圧下の処理室内で移動される。ここで、本発明では、従来例とは異なり、可動枠にアクチュエータを設けてこのアクチュエータの構成部品たる連結ロッドで固定プレートと可動枠とを連結した構成を採用したことで、アクチュエータの交換時に、例えば可動枠ごと取り外して別の場所でその交換作業を行い得る。このため、アクチュエータをベースプレートに精度よくかつ確実に位置決めして再組付するときの作業性は上記従来例のものより向上する。しかも、可動枠を用いて軽量化を図ることで、固定プレートに取り付けた連結ロッドにて可動枠が吊設されるような姿勢で本発明の移動装置を取り付ける場合でも、小さな推力で応答性よく固定プレートに対して可動枠を相対移動できてよい。
【００１１】
本発明においては、前記固定プレートは、開口を備え、この開口に真空フランジが嵌着され、この真空フランジを介して、処理室を画成する外壁面に着脱自在に装着されるものであることが好ましい。これによれば、真空フランジを介して固定プレートを外壁面に取り付ける構成としたため、処理室内で行われる処理で当該壁面が加熱されるような場合でも、固定プレートへの熱引きが抑制されることで、固定プレートの熱膨張に起因した動作精度の低下を防止することができる。
【００１２】
また、本発明においては、前記真空フランジの内部に冷媒を循環する冷媒循環路を設けておくことが好ましい。これにより、処理室との接触面を構成する真空フランジから固定プレートへの熱引きを確実に抑制し、固定プレートの熱膨張に起因した動作精度の確実に防止することができる。
【００１３】
更に、本発明においては、アクチュエータの交換やクリーニングなどのメンテナンス性を向上するために、前記可動枠の少なくとも一辺が着脱自在であると共に、前記可動枠及び前記固定プレートに各保持ロッドが着脱自在に取り付けられていることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態の移動装置を装着したプラズマＣＶＤ装置の構成を模式的に示す図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図。
【図３】可動枠に設けられたアクチュエータの配置を説明する図。
【図４】成膜範囲を制限するマスクの平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、真空処理装置を、矩形の基板に対して成膜するプラズマＣＶＤ装置とし、その処理室内で保持される部品をマスクとし、このマスクを、処理室内に配置された基板に対して相対移動するものを例に本発明の実施形態の移動装置を説明する。以下においては、互いに直交する水平な（同一平面内の）２軸方向をＸ軸方向（図１中、左右方向）及びＹ軸方向（図２中、上下方向）とし、その面内の回転方向をθ方向とし、また、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向（図１中、上下方向）とし、Ｚ軸方向に関し、後述の基板からマスクに向かう方向を上、マスクからガラス基板に向かう方向を下として説明する。また、基板には、その周縁部の所定位置にアライメントマークが形成されているものとする。
【００１６】
図１を参照して、ＳＭは、本発明の実施形態の移動装置であり、移動装置ＳＭは、ＣＶＤ装置の処理室１１を画成する筒状の真空チャンバ１の底面（処理室を画成する外壁面）にその下側から取り付けられている。先ず、ＣＶＤ装置について説明すれば、処理室１１内には基板Ｗを位置決め保持する役割を持つ加熱プレート２が設けられている。加熱プレート２は、基板Ｗよりも大きな輪郭を有し、基板Ｗに面接触する、平面視矩形の本体２１を備える。本体２１内部には図示省略の加熱手段が組み込まれ、本体２１に載置される基板Ｗを熱交換で所定温度に加熱する。本体２１下面には、処理室１１内を気密保持するベローズ２２を介して処理室１１内に突設した駆動軸２３が連結されている。そして、真空チャンバ１の下方に設けた駆動源２４により駆動軸２３を上下動させると、本体２１に対して基板Ｗを受け取り、受け渡すと共に基板Ｗに対するマスクＭの位置合わせを行うＺ方向下側の準備位置と、成膜位置たるＺ方向上側の処理位置との間で本体２１がＺ軸方向に移動する。
【００１７】
真空チャンバ１の天井部には、本体２１に対向させてガス導入部３が絶縁部材Ｉを介して設けられている。ガス導入部３は、最上側に位置する蓋板３１と、この蓋板３１の周縁部に下方に向けて突設した環状壁３２と、環状壁３２の下端に装着され、基板Ｗよりも大きな輪郭を有するシャワープレート３３とから構成される。蓋板３１には、図示省略のマスフローコントローラを介設したガス供給管３４が接続され、原料ガスや反応ガスが、蓋板３１、環状壁３２及びシャワープレート３３で画成された拡散空間３５に供給されるようになっている。なお、シャワープレート３３の形態については、公知のものが利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。また、真空チャンバ１の側壁には排気口１２が開設され、この排気口１２には排気管１３を介して真空ポンプＰが接続され、処理室１１を真空引きして所定圧力に減圧保持できる。そして、成膜中、マスフローコントローラを制御して各ガスを所定流量で拡散空間３５に供給すると、拡散空間３５にて各ガスが拡散され、シャワープレート３３を介して処理室１１内へと導入される。
【００１８】
蓋体３１には高周波電源４からの出力４１が接続され、上記原料ガス及び反応ガスを処理室１１内に導入した状態で所定の高周波電力を投入すると、処理室１１内でプラズマが発生する。そして、プラズマで分解された原料ガス及び反応ガスが、加熱プレート２にて所定温度に加熱された基板Ｗに供給されて気相からの析出により所定の薄膜が成膜される。このとき、基板Ｗの成膜範囲を制限するためにマスクＭが設けられる。マスクＭは、シャワープレート３３と基板Ｗとの間に設けられたマスクホルダＭｈで保持され、本体２１、ひいては基板Ｗが上動位置に達すると、基板ＷとマスクＭとが上下方向で密着し、この状態で成膜されるようになっている。このようにマスクＭを、マスクホルダＭｈを介して保持すると共に、準備位置にて基板Ｗに対してマスクＭをアライメントするために本実施形態の移動装置ＳＭが用いられる。以下、図２及び図３を更に参照して、移動装置ＳＭを具体的に説明する。
【００１９】
移動装置ＳＭは、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレート５と可動枠６とを備える。固定プレート５は、所定厚さで平面視略矩形の輪郭を有し、その中央部には円形開口５１が開設されている。円形開口５１には、固定プレート５より肉厚の真空フランジ５２が嵌着されている。真空フランジ５２には駆動軸２３が挿通する貫通孔５２ａが形成されている。そして、真空チャンバ１との当接面に図示省略のＯリングを介在させて気密保持した状態で真空チャンバ１の下面にボルトＢ１により着脱自在に取り付けられる。なお、ベローズ２２は真空フランジ５２の下面に設けられる。更に、真空フランジ５２内には冷媒を循環する冷媒循環路５２ｂが設けられ、処理中に真空フランジ５２を冷却できるようになっている。また、固定プレート５の外周縁部には、基板ＷとマスクＭとのＺ軸方向の相対位置を撮像するＣＣＤカメラ等の撮像手段Ｃを保持するホルダ５４（本実施形態では、４個）が設けられている。
【００２０】
他方、Ｚ軸方向下側に位置する可動枠６は、固定プレート５より一回り大きな輪郭を有するように形成され、可動枠６の一辺が着脱自在に構成されている（図２中、下側に位置する辺）。可動枠６の上面の略四隅には、同一構成の４個のアクチュエータ７１、７２、７３、７４が夫々独立して設けられている。一のアクチュエータ７１を例に説明すると、図３に示すように、アクチュエータ７１は、モータ７１と、このモータ７１に接続された送りねじ７１ａと、この送りねじ７１ａに螺合するナット部材７２とを備える。ナット部材７２は、Ｙ軸方向にのびるレール部材７３に係合し、モータ７１の回転により、レール部材７３に案内されてナット部材７２がＹ軸方向に往復動する。また、ナット部材７２の上面には凹部７４が形成され、この凹部７４には、Ｘ軸方向に長手のスライダ７５が係合し、他のアクチュエータ７３、７４が往復動するとき、これに同期してスライダ７５が凹部７４内を摺動する。スライダ７５の上面にはクロスローラ７６の内輪７６ａが図示省略のボルトで固定され、その外輪７６ｂの上面には、連結ロッド７７の下端がボルトＢ２により着脱自在に取り付けられている。これにより、スライド７５と連結ロッド７７とが互いに回転自在になる。
【００２１】
連結ロッド７７の上端は、固定プレート５の下面にボルトＢ３により着脱自在に取り付けられ、これにより、固定プレート５と可動枠６とが相互に連結されている。本実施形態では、図２に示すように、対角線上に位置する２個のアクチュエータ７１、７２が、Ｙ軸方向に連結ロッド７７を往復動すると共に、残りの２個の直動モータ７３、７４がＸ軸方向に連結ロッド７７を往復動するようになっている。これにより、各アクチュエータ７１、７２、７３、７４を単独または同期して駆動することで固定プレート５に対して可動枠６が、Ｘ方向、Ｙ方向及びθ方向のいずれか一方向に相対移動される。なお、アクチュエータ７１、７２、７３、７４の形態は、連結ロッド７７で固定プレート５に対して可動枠６を相対移動できるものであれば、上記に限定されるものではなく、他の公知のものを利用して構成できる。
【００２２】
また、可動枠６には、固定プレート５の周囲を通ってＺ方向にのびる４本の保持ロッド８がボルトＢ４により着脱自在に立設されている。各保持ロッド８は、真空チャンバ１の底板に形成した透孔１５に設けたベローズ１６（シール部品）を介して処理室１１内に突出している。そして、各保持ロッド８の先端でマスクホルダＭｈが支持されている。マスクホルダＭｈは、マスクＭの輪郭に対応する矩形開口（図示せず）が形成され、この矩形開口にその上方からマスクＭを落とし込んでセットすれば位置決め保持されるようになっている。マスクＭとしては、所定厚さの板材から構成され、その表面には基板Ｗに成膜しようとするパターンに応じて透孔（本実施形態では、格子状のパターンＭｐ）が形成され、また、マスクＭの周縁部の所定位置には当該マスクＭをマスクホルダＭｈで保持した状態で、基板に対するアライメントを行うための透孔Ｍｍが複数形成されている。
【００２３】
本実施形態においては、加熱プレート２の周縁部には、加熱プレート２で基板Ｗを位置決め保持したとき、基板ＷのアライメントマークＷｍの下方に位置するように、アライメントマークＷｍの輪郭よりも大きい輪郭を有する透孔２５が形成されている。そして、この透孔２５には、透光性部材２６が埋め込まれており、この透光性部材２６が撮像用光路を構成する。この場合、透光性部材２６としては、サファイヤ、ソーダガラス等を用いることができる。但し、プロセスガスとして、フッ素系ガス等の腐食性ガスを用いる場合には、耐腐食性の高いサファイヤが用いることが望ましい。例えば、窒化シリコン膜を形成する場合には、原料ガスとしてＳｉＨ４やＴＥＯＳ等のシラン系ガスが用いられ、反応ガスとして窒素ガスやアンモニアガス等の窒素含有ガスが用いられる。また、酸窒化シリコン膜を形成する場合には、原料ガスとして上記シラン系ガスが用いられ、反応ガスとして一酸化二窒素ガスが用いられる。
【００２４】
また、真空チャンバ１の底板にも、加熱プレート２１の撮像用光路の下方に位置させて透孔１７が形成され、この透孔１７には、上記同様の透光性部材１８が埋め込まれており、この透光性部材１８が撮像用光路を構成する。そして、固定プレート５をその真空フランジ５２を介して真空チャンバ１の下面に取り付けた状態では、ホルダ５４で保持された撮像手段Ｃが撮像用光路１８の下方に位置し、撮像手段Ｃにより、撮像用光路１８、２６を通してガラス基板Ｗ越しにマスクＭのアライメントマークＭｍ、すなわち、ガラス基板Ｗに対するマスクＭの相対位置を撮像できる。そして、撮像手段Ｃには図示省略の画像処理手段が付設され、この画像処理手段にて処理した画像データが図示省略の制御部に入力されるようになっている。制御部は、マイクロコンピュータやシーケンサ等を備え、高周波電源４、撮像手段Ｃ、各アクチュエータ７１、７２、７３、７４、マスフローコントローラ、真空ポンプＰ、温媒供給手段等の作動が統括制御されるようになっている。以下、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置における成膜方法について、基板Ｗをガラス基板とし、このガラス基板に対してマスクを位置合わせした後にガラス基板の成膜面の特定領域に窒化シリコン膜を形成する場合を例として説明する。
【００２５】
真空チャンバ１を真空引きして所定圧力まで減圧した状態で、図外の搬送ロボットにより基板Ｗを搬送し、下動位置にある加熱プレート２の上面に基板Ｗを、その成膜面を上側にしてセットする。この場合、基板Ｗに形成されたアライメントマークＷｍが、加熱プレート２の光路２４上に位置する。ここで、マスクＭはマスクホルダＭｈにより予め支持されていてもよく、基板Ｗの搬送前後にマスクＭを搬送してマスクホルダＭｈに支持させてもよい。
【００２６】
加熱プレート２上に基板Ｗを保持した後、基板Ｗに対するマスクＭの位置合わせ（アライメント）を行う。この場合、撮像手段Ｃにより、加熱プレート２に形成した撮像用光路２６を通して基板Ｗ越しにマスクＭを撮像する。このとき、基板ＷのアライメントマークＷｍとマスクＭのアライメントマークＭｍとが同時に撮像される。撮像手段Ｃにより撮像された画像は画像処理手段に送られ、画像処理手段により画像処理して基板Ｗに対するマスクＭのずれ量が検出される。検出されたずれ量は制御部に入力され、制御部は、入力されたずれ量に基づいて各アクチュエータ７１、７２、７３、７４の駆動量を算出し、各アクチュエータ７１、７２、７３、７４を単独または同期して駆動する。これにより、固定プレート５に対して可動枠６が、Ｘ方向、Ｙ方向及びθ方向のいずれか一方向に相対移動し、マスクＭの同一平面内の位置を変更することで、基板Ｗに対するマスクＭの位置合わせが行われる。
【００２７】
位置合わせが終了すると、加熱プレート２を準備位置から処理位置に上昇させる。加熱プレート２を上昇させると、マスクホルダＭhから基板ＷにマスクＭが受け渡され、基板Ｗの成膜面がマスクＭのパターンＭｐで覆われる。加熱プレート２が処理位置に達した後、マスフローコントローラを制御してシランガスからなる原料ガスとアンモニアガス及び窒素ガスからなる反応ガスを拡散空間３５に供給するとともに（例えばシランガス流量：１ｓｃｃｍ〜１００ｓｌｍ、アンモニアガス流量：１ｓｃｃｍ〜１００ｓｌｍ、窒素ガス流量：１ｓｃｃｍ〜１００ｓｌｍ、真空チャンバ内圧力：０．０１Ｐａ〜１０ｋＰａ）、高周波電源４からガス導入部３に高周波電力を投入すると（例えば１００Ｗ〜１０ｋＷ）、シャワープレート３３とマスクホルダＭhとの間でプラズマが形成され、基板ＷのマスクパターンＭｐで覆われていない成膜面に窒化シリコン膜が所定膜厚で成膜される。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態によれば、各アクチュエータ７１、７２、７３、７４を単独または同期して駆動することで固定プレート５に対して可動枠６が、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向のいずれか一方向に相対移動され、これに伴い保持ロッド８で保持されたマスクＭが減圧下の処理室１１内で移動される。この場合、上記従来例とは異なり、可動枠６にアクチュエータ７１、７２、７３、７４を設けてこのアクチュエータ７１、７２、７３、７４の連結ロッド７７で固定プレート５と可動枠６とを着脱自在に連結した構成を採用したことで、アクチュエータ７１、７２、７３、７４の交換時に、例えば可動枠６ごと取り外して別の場所でその交換作業を行い得る。このため、アクチュエータ７１、７２、７３、７４を精度よくかつ確実に位置決めして再組付するときの作業性は上記従来例のものより向上する。また、真空フランジ５２を介して固定プレート５を外壁面に取り付け、固定プレート５と真空チャンバ１１の底面との間に隙間がある構成としたため、ＣＶＤによる成膜処理で真空チャンバ１１の壁面が加熱されるような場合でも、固定プレート５への熱引きが抑制されることで、固定プレート５の熱膨張に起因した動作精度の低下を防止することができる。更に、アクチュエータを設けるものが可動枠６であって軽量化が図られることで、可動枠６が連結ロッド７７で吊設されるような姿勢であっても、小さな推力で応答性よく固定プレート５に対して可動枠６を相対移動することができる。しかも、可動枠６の一辺が着脱自在であると共に、可動枠６に各保持ロッド８が着脱自在に装着されているため、アクチュエータの交換やクリーニングなどのメンテナンス性を向上することができる。
【００２９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記のものに限定されるものではない。上記実施形態では、プラズマＣＶＤ装置を例に説明したが、スパッタリング装置やエッチング装置等、基板の両面を処理手段で覆って該両面に所定の処理を施す装置に本発明は適用できる。また、部品をマスクとするものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、基板を移動するものにも適用できる。
【００３０】
上記実施形態では、移動装置ＳＭを真空チャンバの底面に設けたものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、その天井部に設けることもできる。また、上記実施形態では、固定プレート５として、真空フランジ５２を備えた別部品のものを例に説明したが、可動枠６を水平に保持するものであれば、上記のものに限定されるものではない。例えば、真空チャンバ１１の底面に、連結ロッド７７の上端を直接固定し、真空チャンバ１１の底面が固定プレートの役割を果たすようにしてもよい。
【符号の説明】
【００３１】
ＳＭ…移動装置、Ｍ…マスク（部品）、５…固定プレート、６…可動枠、７１、７２、７３、７４…アクチュエータ、８…保持ロッド、１１…処理室、１５…透孔、１６…ベローズ（シール部材）、５２…真空フランジ、５２ｂ…冷媒循環路、７７…連結ロッド。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動装置に関し、より詳しくは、減圧下の処理室内で当該処理室内に設置される所定の部品を保持し、この状態でＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の少なくとも一方向にこの部品を移動し得るものに関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置や半導体デバイスの製造工程においては、例えば、処理すべき基板に対し所定の薄膜を成膜する工程があり、この成膜工程においては、基板面内の特定範囲のみに成膜範囲を制限して成膜することがある。従来、蒸発源等を備えた処理室内にマスクを配置しておき、このマスクの下方に設置された基板に対してマスクを制度よく位置決め（アライメント）して成膜し得るものは例えば特許文献１で知られている。
【０００３】
上記従来例のものは、処理室内に固定のマスクステージと、このマスクステージに保持されたマスクに対向して基板を保持する基板ステージと、基板とマスクとの相対位置を撮像する撮像手段とを備える。基板ステージは、第１の駆動装置によりＸ、Ｙ方向に駆動される第１の移動ステージと、この第１の移動ステージ上でＺ方向案内装置に支持された第２の移動ステージとから構成されている。第２の移動ステージは、鋼球を介してステージ支持部で支持され、第２の駆動装置の駆動によりＺ方向に移動し、基板をマスクから離間させた状態で、撮像手段の撮像データを基に位置合わせを行った後、基板ＷをマスクＭに密着させて成膜が行われる。
【０００４】
ところで、上記成膜を行う真空処理装置としては、蒸着装置やスパッタリング装置等のＰＶＤ装置の他、ＣＶＤ装置も用いられることがある。ＣＶＤ装置では、成膜に基板を加熱したり、プラズマで原料ガスを分解したりするため、処理中に処理室内の温度が比較的高温となり易い。このため、上記従来例のものを処理室内に設けていると、動作不良が多発したり、または、熱の影響を受けて精密なアライメントが困難になる等の不具合が生じる。そこで、処理室の外側に、移動装置たるＸＹθステージを組み付け、このＸＹθスージに、処理室を画成する外壁面に形成した透孔に設けたシール部品を介して、当該処理室内まで突出するように支持ロッドの複数本を立設し、これらの支持ロッド（または各支持ロッド先端に連結したホルダ）でマスクを保持させることが考えられる。
【０００５】
上記ＸＹθステージとして、固定配置されるベースプレートと、このベースプレートの上下方向に重ね合わせて配置される可動プレートとから構成されるものが一般に使用されている。そして、ベースプレートに、直動モータや案内レール等を有する３個または４個のアクチュエータを独立して設け、各アクチュエータを単独または同期して駆動することでベースプレートに対して可動プレートが、Ｘ方向、Ｙ方向及びθ方向のいずれか一方向に相対移動されるようになっている。このようなＸＹθステージでは、故障時や使用頻度に応じてアクチュエータの構成部品を交換することが必要となる場合があるが、交換後にアクチュエータ相互の位置関係に誤差が生じると、ＸＹθステージの動作精度が低下する。
【０００６】
このため、アクチュエータをベースプレートに精度よく位置決めして再組付けすることが要求される。然し、上述の真空処理装置では、ＸＹθステージの周辺にもガス管や水冷管等の複数の部品が設けられていることが多いので、固定のベースプレートに対してアクチュエータを組み付けする作業が面倒となる場合が多い。また、処理室外側に基板に対してマスクを相対移動させる機構を設ける場合でも、外壁面からの伝熱の影響を受けたのでは、ベースプレートや可動プレートが熱膨張して、動作精度が低下する虞もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２０６９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、以上の点に鑑み、減圧下の処理室内で比較的高温となる処理が行われるような場合でも伝熱の影響を受けずに、処理室内に配置される部品を精度よく移動でき、しかも、構成部品組付の作業性が良い移動装置を提供することをその課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、互いに直交する同一平面内の２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とし、その面内の回転方向をθ方向として、処理室内に設置される所定の部品を保持し、この状態でＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向にこの部品を移動する移動装置であって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレートと可動枠とを備え、可動枠に少なくとも３個のアクチュエータが設けられ、これら各アクチュエータのＺ軸方向にのびる連結ロッドで固定プレートと可動枠とが相互に連結され、各アクチュエータの作動によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在であると共に、この可動プレートに複数本の保持ロッドが立設され、この保持ロッドが、上記外壁面に形成した透孔に設けたシール部品を介して処理室内に突出させて上記部品を保持するように構成したことを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、各アクチュエータを単独または同期して駆動することで固定プレートに対して可動プレートが、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向のいずれか一方向に相対移動され、これに伴い、保持ロッドで保持された部品が減圧下の処理室内で移動される。ここで、本発明では、従来例とは異なり、可動枠にアクチュエータを設けてこのアクチュエータの構成部品たる連結ロッドで固定プレートと可動枠とを連結した構成を採用したことで、アクチュエータの交換時に、例えば可動枠ごと取り外して別の場所でその交換作業を行い得る。このため、アクチュエータをベースプレートに精度よくかつ確実に位置決めして再組付するときの作業性は上記従来例のものより向上する。しかも、可動枠を用いて軽量化を図ることで、固定プレートに取り付けた連結ロッドにて可動枠が吊設されるような姿勢で本発明の移動装置を取り付ける場合でも、小さな推力で応答性よく固定プレートに対して可動枠を相対移動できてよい。
【００１１】
本発明においては、前記固定プレートは、開口を備え、この開口に真空フランジが嵌着され、この真空フランジを介して、処理室を画成する外壁面に着脱自在に装着されるものであることが好ましい。これによれば、真空フランジを介して固定プレートを外壁面に取り付ける構成としたため、処理室内で行われる処理で当該壁面が加熱されるような場合でも、固定プレートへの熱引きが抑制されることで、固定プレートの熱膨張に起因した動作精度の低下を防止することができる。
【００１２】
また、本発明においては、前記真空フランジの内部に冷媒を循環する冷媒循環路を設けておくことが好ましい。これにより、処理室との接触面を構成する真空フランジから固定プレートへの熱引きを確実に抑制し、固定プレートの熱膨張に起因した動作精度の確実に防止することができる。
【００１３】
更に、本発明においては、アクチュエータの交換やクリーニングなどのメンテナンス性を向上するために、前記可動枠の少なくとも一辺が着脱自在であると共に、前記可動枠及び前記固定プレートに各保持ロッドが着脱自在に取り付けられていることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態の移動装置を装着したプラズマＣＶＤ装置の構成を模式的に示す図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図。
【図３】可動枠に設けられたアクチュエータの配置を説明する図。
【図４】成膜範囲を制限するマスクの平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、真空処理装置を、矩形の基板に対して成膜するプラズマＣＶＤ装置とし、その処理室内で保持される部品をマスクとし、このマスクを、処理室内に配置された基板に対して相対移動するものを例に本発明の実施形態の移動装置を説明する。以下においては、互いに直交する水平な（同一平面内の）２軸方向をＸ軸方向（図１中、左右方向）及びＹ軸方向（図２中、上下方向）とし、その面内の回転方向をθ方向とし、また、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向（図１中、上下方向）とし、Ｚ軸方向に関し、後述の基板からマスクに向かう方向を上、マスクからガラス基板に向かう方向を下として説明する。また、基板には、その周縁部の所定位置にアライメントマークが形成されているものとする。
【００１６】
図１を参照して、ＳＭは、本発明の実施形態の移動装置であり、移動装置ＳＭは、ＣＶＤ装置の処理室１１を画成する筒状の真空チャンバ１の底面（処理室を画成する外壁面）にその下側から取り付けられている。先ず、ＣＶＤ装置について説明すれば、処理室１１内には基板Ｗを位置決め保持する役割を持つ加熱プレート２が設けられている。加熱プレート２は、基板Ｗよりも大きな輪郭を有し、基板Ｗに面接触する、平面視矩形の本体２１を備える。本体２１内部には図示省略の加熱手段が組み込まれ、本体２１に載置される基板Ｗを熱交換で所定温度に加熱する。本体２１下面には、処理室１１内を気密保持するベローズ２２を介して処理室１１内に突設した駆動軸２３が連結されている。そして、真空チャンバ１の下方に設けた駆動源２４により駆動軸２３を上下動させると、本体２１に対して基板Ｗを受け取り、受け渡すと共に基板Ｗに対するマスクＭの位置合わせを行うＺ方向下側の準備位置と、成膜位置たるＺ方向上側の処理位置との間で本体２１がＺ軸方向に移動する。
【００１７】
真空チャンバ１の天井部には、本体２１に対向させてガス導入部３が絶縁部材Ｉを介して設けられている。ガス導入部３は、最上側に位置する蓋板３１と、この蓋板３１の周縁部に下方に向けて突設した環状壁３２と、環状壁３２の下端に装着され、基板Ｗよりも大きな輪郭を有するシャワープレート３３とから構成される。蓋板３１には、図示省略のマスフローコントローラを介設したガス供給管３４が接続され、原料ガスや反応ガスが、蓋板３１、環状壁３２及びシャワープレート３３で画成された拡散空間３５に供給されるようになっている。なお、シャワープレート３３の形態については、公知のものが利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。また、真空チャンバ１の側壁には排気口１２が開設され、この排気口１２には排気管１３を介して真空ポンプＰが接続され、処理室１１を真空引きして所定圧力に減圧保持できる。そして、成膜中、マスフローコントローラを制御して各ガスを所定流量で拡散空間３５に供給すると、拡散空間３５にて各ガスが拡散され、シャワープレート３３を介して処理室１１内へと導入される。
【００１８】
蓋体３１には高周波電源４からの出力４１が接続され、上記原料ガス及び反応ガスを処理室１１内に導入した状態で所定の高周波電力を投入すると、処理室１１内でプラズマが発生する。そして、プラズマで分解された原料ガス及び反応ガスが、加熱プレート２にて所定温度に加熱された基板Ｗに供給されて気相からの析出により所定の薄膜が成膜される。このとき、基板Ｗの成膜範囲を制限するためにマスクＭが設けられる。マスクＭは、シャワープレート３３と基板Ｗとの間に設けられたマスクホルダＭｈで保持され、本体２１、ひいては基板Ｗが上動位置に達すると、基板ＷとマスクＭとが上下方向で密着し、この状態で成膜されるようになっている。このようにマスクＭを、マスクホルダＭｈを介して保持すると共に、準備位置にて基板Ｗに対してマスクＭをアライメントするために本実施形態の移動装置ＳＭが用いられる。以下、図２及び図３を更に参照して、移動装置ＳＭを具体的に説明する。
【００１９】
移動装置ＳＭは、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレート５と可動枠６とを備える。固定プレート５は、所定厚さで平面視略矩形の輪郭を有し、その中央部には円形開口５１が開設されている。円形開口５１には、固定プレート５より肉厚の真空フランジ５２が嵌着されている。真空フランジ５２には駆動軸２３が挿通する貫通孔５２ａが形成されている。そして、真空チャンバ１との当接面に図示省略のＯリングを介在させて気密保持した状態で真空チャンバ１の下面にボルトＢ１により着脱自在に取り付けられる。なお、ベローズ２２は真空フランジ５２の下面に設けられる。更に、真空フランジ５２内には冷媒を循環する冷媒循環路５２ｂが設けられ、処理中に真空フランジ５２を冷却できるようになっている。また、固定プレート５の外周縁部には、基板ＷとマスクＭとのＺ軸方向の相対位置を撮像するＣＣＤカメラ等の撮像手段Ｃを保持するホルダ５４（本実施形態では、４個）が設けられている。
【００２０】
他方、Ｚ軸方向下側に位置する可動枠６は、固定プレート５より一回り大きな輪郭を有するように形成され、可動枠６の一辺が着脱自在に構成されている（図２中、下側に位置する辺）。可動枠６の上面の略四隅には、同一構成の４個のアクチュエータ７１、７２、７３、７４が夫々独立して設けられている。一のアクチュエータ７１を例に説明すると、図３に示すように、アクチュエータ７１は、モータ７１と、このモータ７１に接続された送りねじ７１ａと、この送りねじ７１ａに螺合するナット部材７２とを備える。ナット部材７２は、Ｙ軸方向にのびるレール部材７３に係合し、モータ７１の回転により、レール部材７３に案内されてナット部材７２がＹ軸方向に往復動する。また、ナット部材７２の上面には凹部７４が形成され、この凹部７４には、Ｘ軸方向に長手のスライダ７５が係合し、他のアクチュエータ７３、７４が往復動するとき、これに同期してスライダ７５が凹部７４内を摺動する。スライダ７５の上面にはクロスローラ７６の内輪７６ａが図示省略のボルトで固定され、その外輪７６ｂの上面には、連結ロッド７７の下端がボルトＢ２により着脱自在に取り付けられている。これにより、スライド７５と連結ロッド７７とが互いに回転自在になる。
【００２１】
連結ロッド７７の上端は、固定プレート５の下面にボルトＢ３により着脱自在に取り付けられ、これにより、固定プレート５と可動枠６とが相互に連結されている。本実施形態では、図２に示すように、対角線上に位置する２個のアクチュエータ７１、７２が、Ｙ軸方向に連結ロッド７７を往復動すると共に、残りの２個の直動モータ７３、７４がＸ軸方向に連結ロッド７７を往復動するようになっている。これにより、各アクチュエータ７１、７２、７３、７４を単独または同期して駆動することで固定プレート５に対して可動枠６が、Ｘ方向、Ｙ方向及びθ方向のいずれか一方向に相対移動される。なお、アクチュエータ７１、７２、７３、７４の形態は、連結ロッド７７で固定プレート５に対して可動枠６を相対移動できるものであれば、上記に限定されるものではなく、他の公知のものを利用して構成できる。
【００２２】
また、可動枠６には、固定プレート５の周囲を通ってＺ方向にのびる４本の保持ロッド８がボルトＢ４により着脱自在に立設されている。各保持ロッド８は、真空チャンバ１の底板に形成した透孔１５に設けたベローズ１６（シール部品）を介して処理室１１内に突出している。そして、各保持ロッド８の先端でマスクホルダＭｈが支持されている。マスクホルダＭｈは、マスクＭの輪郭に対応する矩形開口（図示せず）が形成され、この矩形開口にその上方からマスクＭを落とし込んでセットすれば位置決め保持されるようになっている。マスクＭとしては、所定厚さの板材から構成され、その表面には基板Ｗに成膜しようとするパターンに応じて透孔（本実施形態では、格子状のパターンＭｐ）が形成され、また、マスクＭの周縁部の所定位置には当該マスクＭをマスクホルダＭｈで保持した状態で、基板に対するアライメントを行うための透孔Ｍｍが複数形成されている。
【００２３】
本実施形態においては、加熱プレート２の周縁部には、加熱プレート２で基板Ｗを位置決め保持したとき、基板ＷのアライメントマークＷｍの下方に位置するように、アライメントマークＷｍの輪郭よりも大きい輪郭を有する透孔２５が形成されている。そして、この透孔２５には、透光性部材２６が埋め込まれており、この透光性部材２６が撮像用光路を構成する。この場合、透光性部材２６としては、サファイヤ、ソーダガラス等を用いることができる。但し、プロセスガスとして、フッ素系ガス等の腐食性ガスを用いる場合には、耐腐食性の高いサファイヤが用いることが望ましい。例えば、窒化シリコン膜を形成する場合には、原料ガスとしてＳｉＨ４やＴＥＯＳ等のシラン系ガスが用いられ、反応ガスとして窒素ガスやアンモニアガス等の窒素含有ガスが用いられる。また、酸窒化シリコン膜を形成する場合には、原料ガスとして上記シラン系ガスが用いられ、反応ガスとして一酸化二窒素ガスが用いられる。
【００２４】
また、真空チャンバ１の底板にも、加熱プレート２１の撮像用光路の下方に位置させて透孔１７が形成され、この透孔１７には、上記同様の透光性部材１８が埋め込まれており、この透光性部材１８が撮像用光路を構成する。そして、固定プレート５をその真空フランジ５２を介して真空チャンバ１の下面に取り付けた状態では、ホルダ５４で保持された撮像手段Ｃが撮像用光路１８の下方に位置し、撮像手段Ｃにより、撮像用光路１８、２６を通してガラス基板Ｗ越しにマスクＭのアライメントマークＭｍ、すなわち、ガラス基板Ｗに対するマスクＭの相対位置を撮像できる。そして、撮像手段Ｃには図示省略の画像処理手段が付設され、この画像処理手段にて処理した画像データが図示省略の制御部に入力されるようになっている。制御部は、マイクロコンピュータやシーケンサ等を備え、高周波電源４、撮像手段Ｃ、各アクチュエータ７１、７２、７３、７４、マスフローコントローラ、真空ポンプＰ、温媒供給手段等の作動が統括制御されるようになっている。以下、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置における成膜方法について、基板Ｗをガラス基板とし、このガラス基板に対してマスクを位置合わせした後にガラス基板の成膜面の特定領域に窒化シリコン膜を形成する場合を例として説明する。
【００２５】
真空チャンバ１を真空引きして所定圧力まで減圧した状態で、図外の搬送ロボットにより基板Ｗを搬送し、下動位置にある加熱プレート２の上面に基板Ｗを、その成膜面を上側にしてセットする。この場合、基板Ｗに形成されたアライメントマークＷｍが、加熱プレート２の光路２４上に位置する。ここで、マスクＭはマスクホルダＭｈにより予め支持されていてもよく、基板Ｗの搬送前後にマスクＭを搬送してマスクホルダＭｈに支持させてもよい。
【００２６】
加熱プレート２上に基板Ｗを保持した後、基板Ｗに対するマスクＭの位置合わせ（アライメント）を行う。この場合、撮像手段Ｃにより、加熱プレート２に形成した撮像用光路２６を通して基板Ｗ越しにマスクＭを撮像する。このとき、基板ＷのアライメントマークＷｍとマスクＭのアライメントマークＭｍとが同時に撮像される。撮像手段Ｃにより撮像された画像は画像処理手段に送られ、画像処理手段により画像処理して基板Ｗに対するマスクＭのずれ量が検出される。検出されたずれ量は制御部に入力され、制御部は、入力されたずれ量に基づいて各アクチュエータ７１、７２、７３、７４の駆動量を算出し、各アクチュエータ７１、７２、７３、７４を単独または同期して駆動する。これにより、固定プレート５に対して可動枠６が、Ｘ方向、Ｙ方向及びθ方向のいずれか一方向に相対移動し、マスクＭの同一平面内の位置を変更することで、基板Ｗに対するマスクＭの位置合わせが行われる。
【００２７】
位置合わせが終了すると、加熱プレート２を準備位置から処理位置に上昇させる。加熱プレート２を上昇させると、マスクホルダＭhから基板ＷにマスクＭが受け渡され、基板Ｗの成膜面がマスクＭのパターンＭｐで覆われる。加熱プレート２が処理位置に達した後、マスフローコントローラを制御してシランガスからなる原料ガスとアンモニアガス及び窒素ガスからなる反応ガスを拡散空間３５に供給するとともに（例えばシランガス流量：１ｓｃｃｍ〜１００ｓｌｍ、アンモニアガス流量：１ｓｃｃｍ〜１００ｓｌｍ、窒素ガス流量：１ｓｃｃｍ〜１００ｓｌｍ、真空チャンバ内圧力：０．０１Ｐａ〜１０ｋＰａ）、高周波電源４からガス導入部３に高周波電力を投入すると（例えば１００Ｗ〜１０ｋＷ）、シャワープレート３３とマスクホルダＭhとの間でプラズマが形成され、基板ＷのマスクパターンＭｐで覆われていない成膜面に窒化シリコン膜が所定膜厚で成膜される。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態によれば、各アクチュエータ７１、７２、７３、７４を単独または同期して駆動することで固定プレート５に対して可動枠６が、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向のいずれか一方向に相対移動され、これに伴い保持ロッド８で保持されたマスクＭが減圧下の処理室１１内で移動される。この場合、上記従来例とは異なり、可動枠６にアクチュエータ７１、７２、７３、７４を設けてこのアクチュエータ７１、７２、７３、７４の連結ロッド７７で固定プレート５と可動枠６とを着脱自在に連結した構成を採用したことで、アクチュエータ７１、７２、７３、７４の交換時に、例えば可動枠６ごと取り外して別の場所でその交換作業を行い得る。このため、アクチュエータ７１、７２、７３、７４を精度よくかつ確実に位置決めして再組付するときの作業性は上記従来例のものより向上する。また、真空フランジ５２を介して固定プレート５を外壁面に取り付け、固定プレート５と真空チャンバ１１の底面との間に隙間がある構成としたため、ＣＶＤによる成膜処理で真空チャンバ１１の壁面が加熱されるような場合でも、固定プレート５への熱引きが抑制されることで、固定プレート５の熱膨張に起因した動作精度の低下を防止することができる。更に、アクチュエータを設けるものが可動枠６であって軽量化が図られることで、可動枠６が連結ロッド７７で吊設されるような姿勢であっても、小さな推力で応答性よく固定プレート５に対して可動枠６を相対移動することができる。しかも、可動枠６の一辺が着脱自在であると共に、可動枠６に各保持ロッド８が着脱自在に装着されているため、アクチュエータの交換やクリーニングなどのメンテナンス性を向上することができる。
【００２９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記のものに限定されるものではない。上記実施形態では、プラズマＣＶＤ装置を例に説明したが、スパッタリング装置やエッチング装置等、基板の両面を処理手段で覆って該両面に所定の処理を施す装置に本発明は適用できる。また、部品をマスクとするものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、基板を移動するものにも適用できる。
【００３０】
上記実施形態では、移動装置ＳＭを真空チャンバの底面に設けたものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、その天井部に設けることもできる。また、上記実施形態では、固定プレート５として、真空フランジ５２を備えた別部品のものを例に説明したが、可動枠６を水平に保持するものであれば、上記のものに限定されるものではない。例えば、真空チャンバ１１の底面に、連結ロッド７７の上端を直接固定し、真空チャンバ１１の底面が固定プレートの役割を果たすようにしてもよい。
【符号の説明】
【００３１】
ＳＭ…移動装置、Ｍ…マスク（部品）、５…固定プレート、６…可動枠、７１、７２、７３、７４…アクチュエータ、８…保持ロッド、１１…処理室、１５…透孔、１６…ベローズ（シール部材）、５２…真空フランジ、５２ｂ…冷媒循環路、７７…連結ロッド。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直交する同一平面内の２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とし、その面内の回転方向をθ方向として、処理室内に設置される所定の部品を保持し、この状態でＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向にこの部品を移動する移動装置であって、
Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレートと可動枠とを備え、
可動枠に少なくとも３個のアクチュエータが設けられ、これら各アクチュエータのＺ軸方向にのびる連結ロッドで固定プレートと可動枠とが相互に連結され、各アクチュエータの作動によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在であると共に、この可動プレートに複数本の保持ロッドが立設され、この保持ロッドが、上記外壁面に形成した透孔に設けたシール部品を介して処理室内に突出させて上記部品を保持するように構成したことを特徴とする移動装置。
【請求項２】
前記固定プレートは、開口を備え、この開口に真空フランジが嵌着され、この真空フランジを介して、処理室を画成する外壁面に着脱自在に装着されるものであることを特徴とする請求項１記載の移動装置。
【請求項３】
前記真空フランジの内部に冷媒を循環する冷媒循環路を設けたことを特徴とする請求項２記載の移動装置。
【請求項４】
前記可動枠の少なくとも一辺が着脱自在であると共に、前記可動枠及び前記固定プレートに各保持ロッドが着脱自在に取り付けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の移動装置。
【請求項１】
互いに直交する同一平面内の２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とし、その面内の回転方向をθ方向として、処理室内に設置される所定の部品を保持し、この状態でＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向にこの部品を移動する移動装置であって、
Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレートと可動枠とを備え、
可動枠に少なくとも３個のアクチュエータが設けられ、これら各アクチュエータのＺ軸方向にのびる連結ロッドで固定プレートと可動枠とが相互に連結され、各アクチュエータの作動によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在であると共に、この可動プレートに複数本の保持ロッドが立設され、この保持ロッドが、上記外壁面に形成した透孔に設けたシール部品を介して処理室内に突出させて上記部品を保持するように構成したことを特徴とする移動装置。
【請求項２】
前記固定プレートは、開口を備え、この開口に真空フランジが嵌着され、この真空フランジを介して、処理室を画成する外壁面に着脱自在に装着されるものであることを特徴とする請求項１記載の移動装置。
【請求項３】
前記真空フランジの内部に冷媒を循環する冷媒循環路を設けたことを特徴とする請求項２記載の移動装置。
【請求項４】
前記可動枠の少なくとも一辺が着脱自在であると共に、前記可動枠及び前記固定プレートに各保持ロッドが着脱自在に取り付けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の移動装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−２４６５０６（Ｐ２０１２−２４６５０６Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１６７６７（Ｐ２０１１−１１６７６７）
【出願日】平成２３年５月２５日（２０１１．５．２５）
【出願人】（０００２３１４６４）株式会社アルバック (1,740)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月２５日（２０１１．５．２５）
【出願人】（０００２３１４６４）株式会社アルバック (1,740)
【Ｆターム（参考）】
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