【課題】成膜に十分な量のラジカルを生成し、かつそれを失活することなく基板上に輸送することで成膜速度の向上を図ると共に、基板に加わる熱による損傷を低減し、膜質を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１と、処理ガスを処理室１に供給する処理ガス供給部と、前記処理室１を、２つの空間に隔て、前記処理ガスを一方の空間から他方の空間に通流させる通流孔５ａを有する遮熱板５と、前記一方の空間に配され、前記処理ガスを接触させることにより該処理ガスを活性化させる触媒６を支持する触媒支持部６１と、前記他方の空間に配され、基板を支持する基板支持体３とを備える基板処理装置において、前記遮熱板５の前記他方の空間側の面の温度を、前記一方の空間側の面より低い温度となるように制御する温度制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体のアルキル亜鉛ハライド酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｚｎ−Ｘ前記式中、Ｒはアルキル基（Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１）を表し、Ｘはハロゲン基を表す。好ましくは、前記アルキル基のｎは１〜４であり、より好ましくは、前記アルキル基は、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、またはｔ−ブチル基を含む。好ましくは、前記ハロゲン基は、Ｆ、Ｂｒ、Ｃｌ、またはＩを含む。また、本蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記アルキル亜鉛ハライド酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給して、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体であって、下記の化学式で示されるジルコノセン（ｚｉｎｃｏｃｅｎｅ）、またはその誘導体であることを特徴とする酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】


前記式中、Ｒ１およびＲ２は水素またはＣ_ｎＨ_２ｎ＋１を表す。好ましくは、前記ｎは１〜３であり、より好ましくは、前記Ｒ１およびＲ２は水素、メチル基、エチル基、またはｉ−プロピル基を含む。また、蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給し、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 （もっと読む）

【課題】軸方向において基本的に均一の厚さ並びに基本的に均一の屈折率およびアルファ値の蒸着ガラス層を有するガラス基材チューブを提供する。
【解決手段】本発明は、一つまたは複数のドープまたはアンドープガラス層がガラス基材チューブの内部にコーティングされるＰＣＶＤ堆積プロセスを実施する装置に関する。この装置は、内壁および外壁を有するアプリケータと、アプリケータに開口するマイクロ波ガイドとを備える。アプリケータは、円柱軸の周りに延びており、内壁の近傍に通路を備え、該通路を通ってマイクロ波ガイドを介して供給されたマイクロ波は出ることができ、基材チューブは、円柱軸にわたって位置づけ可能である。一方で、アプリケータは、円柱軸にわたって延びる加熱炉により完全に覆われる。 （もっと読む）

【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ１６と、プラズマ生成アンテナ１６に高周波電力を供給する高周波電源１８と、高周波電源１８とプラズマ生成アンテナ１６との間に介在する整合回路１９と、プラズマ生成アンテナ１６を構成し、整合回路１９を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４と、複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路３０−１〜３０−４とを有する。 （もっと読む）

【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚６００ｎｍ以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をＴ₁とし、成膜終了時の基体温度をＴ₂とするとき、下記（１）〜（３）の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、ＣＶＤ法を用いて、２００Ｐａ以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度３００〜６５０℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
（１）Ｔ₂＝３６０〜３８０℃
（２）ΔＴ（Ｔ₁−Ｔ₂）＝４５〜６５℃
（３）少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚２００ｎｍが達するまでに基体温度の下降を開始する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基材の割れおよび反りの発生を抑制して高品質の膜を成膜する。
【解決手段】３００℃以上かつガラスの歪点より低い第１加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して１層目の膜を形成する第１成膜工程と、第１加熱温度より高い第２加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して２層目の膜を形成する第２成膜工程とを備える。また、第２成膜工程後に、ガラス基材をガラスの徐冷点以上の温度下で保持する歪取工程と、歪取工程後に、ガラス基材を室温まで徐冷する徐冷工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界分布及びプラズマ分布をより均一化させ、大面積の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】リッジ電極２１ａ，２１ｂ及び非リッジ部２２ａ，２２ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、リッジ部３１ａ，３１ｂ及び非リッジ部３２ａ，３２ｂを有するリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、放電室２および変換器３Ａ，３Ｂの内部の気体を排出させる排気手段９と、母ガスをリッジ電極間に供給する母ガス供給手段１０とを有し、リッジ電極２１ａ，２１ｂの対向する面間の距離をｄ_１、放電室２及び変換器３Ａ，３Ｂのリッジ導波管の横幅をａ_０、放電室２のリッジ導波管の長さをｌ_１、及び供給される高周波電力の真空中波長をλ、と定義した場合に、それぞれ±２％の変動を許容する範囲で以下の式ｄ_１＝０．００４λ、ａ_０＝０．７２λ、ｌ_１＝０．５２λを満たす真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置１の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】フロント壁９の内壁面及びリア壁１１の内壁面に、片側に基板Ｗからの輻射熱を吸収可能な吸収面４５ｆを有しかつ基板を冷却する冷却パネル４１が垂直にそれぞれ配設され、天井壁１５の内壁面における隣接する各基板エリアＡ間に、両側に基板Ｗから輻射熱を吸収可能な吸収面６３ｆをそれぞれ有しかつ基板Ｗを冷却する複数の中間冷却パネル６３が垂直に吊設され、中間冷却パネル６３がその上端側の水平な揺動軸心Ｃ周りに揺動可能になっていること。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた透明性及び導電性を兼ね備え、且つ外観の良好な透明導電性部材を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性部材１は、グラフェン層２と、前記グラフェン層２に重なっている着色層３と、透明な基材４とを備える。前記透明導電性部材１には、前記グラフェン層２と前記着色層３と前記基材４とが重なっている領域からなる第一領域５と、前記着色層３と前記基材４とが重なっていると共に前記グラフェン層２は重なっていない領域からなる第二領域６とが形成されている。前記第一領域５の透過色と前記第二領域６の透過色との間における、Ｌ^*の差ΔＬ^*、ａ^*の差Δａ^*、及びｂ^*の差Δｂ^*が、下記式（１）に示す関係を満たす。
｛（ΔＬ^*）²＋（Δａ^*）²＋（Δｂ^*）²｝^1/2≦１．２ …（１） （もっと読む）

【課題】突発故障が発生しても、生産性の高い成膜を行うことのできる薄膜製造装置及び薄膜製造方法、並びに薄膜製造装置のメンテナンス方法を提供することである。
【解決手段】成膜室を有し当該成膜室内で基体に薄膜を成膜する成膜チャンバーの集合である成膜チャンバー群４２と、基体を搬送可能な移動チャンバー６と、基体を仮置き可能な基体仮置き装置を３基以上有し、前記移動装置はいずれの成膜チャンバーに対しても基体の受け渡しが可能であり、且つ前記移動装置は前記３基以上の基体仮置き装置に対して基体の受け取りまたは払い出しの少なくともいずれかが可能である薄膜製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】ガスをベント管側へ流すことなく安定化した流量のガスを処理容器内へ導入することが可能なガス供給装置を提供する。
【解決手段】薄膜が形成される被処理体Ｗを収容する処理容器４内へガスを供給するガス供給装置４０において、処理容器に接続されてガスを流すためのガス通路４８と、ガス通路に介設された流量制御弁６４と、流量制御弁よりも下流側のガス通路に介設された開閉弁機構６８と、流量制御弁と開閉弁機構との間のガス通路である中間ガス通路７２内の圧力を検出する圧力検出部７４と、圧力検出部の検出に基づいて流量制御弁を制御することにより中間ガス通路内の圧力を処理容器内の圧力の２倍以上の一定値になるように制御する弁制御部７６とを有するガス供給系４２を備える。 （もっと読む）

【課題】３つ以上の環状アンテナ部を同心状に設けた高周波アンテナを用いた場合であっても、環状アンテナ部の電流の独立制御性が高い誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット５０において、アンテナ１３は、高周波電力が供給されることにより処理室内に誘導電界を形成する同心状に設けられた少なくとも３つのアンテナ部１３ａ，１３ｂ，１３ｃを有し、各アンテナ部は、アンテナ線６１，６２，６３，６４等が渦巻き状に巻回されて構成され、アンテナ部１３ａ，１３ｂ，１３ｃのうち隣接するものどうしは、アンテナ線が互いに逆巻となるように巻回されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物の大型化に対応して吹出ノズルが長大化しても、吹出ノズルのメンテナンスを容易に行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１の吹出ノズル２は、吹出口２ｃを有して巾方向Ｗに延びている。吹出ノズル２は、巾方向Ｗの第１側の第１分割ノズル１０と、巾方向Ｗの第２側の第２分割ノズル２０とに分割されている。分割ノズル１０，２０どうしの接合面３０が、巾方向Ｗに互いにずれた一対の当接面３１，３２を有し、これら当接面３１，３２間に段差３３が形成されている。分割ノズル１０，２０が、それぞれ吹出口２ｃを挟んで搬送方向Ｙの両側の一対の分割ノズル部材１１，１２，２３，２４に分割されている。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。 （もっと読む）