無機支持体上に膜を蒸着するための方法において、それが以下の操作を含むことを特徴とする方法：支持体を反応室（６，１０６，２０６）内に導入するか、又は支持体を反応室（６，１０６，２０６）内で走行させる、但し、反応室では少なくとも二つの電極（１０，１１０，２１０）が配置され、少なくとも一つの誘電バリヤー（１４，１１４）がこれらの少なくとも二つの電極（１０，１１０，２１０）の間に配置される；ＨＦ変圧器を含み、その二次側の端子に少なくとも二つの電極が接続される振幅及び周波数安定電力供給源を使用する；安定高周波電圧を前記変圧器の二次回路に発生する、但し、前記電圧は、少なくとも二つの電極（１０，１１０，２１０）の間にフィラメント状プラズマ（１２，１１２，２１２）を発生するようなものである；少なくとも二つの電極を含む回路の固有インダクタと並列に配置された調整可能なインダクタ（Ｌ）を使用して、前記変圧器の二次側に発生される電圧と電流の間の位相シフトを減少する；混合物（８，１０８，２０８）を反応室（６，１０６，２０６）内に導入する、但し、前記混合物の組成は、プラズマと接触すると、それが分解し、支持体上に膜として蒸着されることができる種を生成するようなものである；安定電力供給源によって送出される電圧及び／又は周波数、及び／又は少なくとも二つの電極を含む回路と並列に配置された調整可能なインダクタ（Ｌ）のインダクタンスを、有効電力／無効電力の比を高めるように方法の開始時又は方法の間に適合する；発電機回路によって送出される電圧及び／又は周波数、及び／又はインダクタ（Ｌ）のインダクタンスを、放電を維持するための電圧より大きい電圧を持つ時間、結果として電極間に電流が流れる時間を延ばす高調波の生成を促進するように適合する；及び支持体（２）を、前記支持体の少なくとも一つの側上に所望の厚さの膜を得るのに十分な時間の間、室内に保持する。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する方法を、高品質かつ信頼性の高い提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する製造方法は、下部電極を準備し、準備した下部電極を被覆するように、ＮおよびＣからなる群より選択される元素を含む半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を堆積する。次いでアニール処理することにより、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの０．０１〜１．０の範囲の減衰係数（ｋ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。他の態様では、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの１．８〜３．０の範囲の屈折率（ｎ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。 （もっと読む）

【課題】 本発明における課題は、高熱処理の工程下で好適に用いられる高度なガスバリア性を有するガスバリアフィルムを提供することである。
【解決手段】 本発明のガスバリアフィルムは、基材の両面上に酸化珪素膜を有するガスバリアフィルムであって、温度２９６Ｋと４７３Ｋの温度間における前記基材の平均の線熱膨張係数が、−１０ｐｐｍ／Ｋ以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする。また、温度２９６Ｋ及び４７３Ｋにおける前記基材と酸化珪素膜の間の熱応力の差σ_ｄの絶対値が０．２ＧＰａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスによる、幅の狭い高アスペクト比のギャップを充填するための方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバは、シーズン前駆体流を該処理チャンバに提供することによってシーズニングされる。高密度プラズマが、該処理チャンバの上部にソース電力の７０％を超えて分布された少なくとも７５００Ｗのソース電力を印加することによって該シーズン前駆体から形成される。少なくとも５０００Åの厚さを有するシーズン層が該高密度プラズマを使用してあるポイントに堆積される。複数の基板の各々が該処理チャンバに順次移送されて、エッチングを含むプロセスを実行する。該処理チャンバは、該基板の順次移送の間に洗浄される。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって、高い成膜レートで成膜を行なうことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板の搬送経路を反対方向に折り返し、この折り返し前後の基板を挟むように電極を配置し、かつ、折り返した基板の間に反応ガスを供給して、基板にプラズマＣＶＤによる成膜を行なうと共に、基板の間に反応ガスを供給するガス供給部が、プラズマ生成領域内に基板搬送方向に配列して２以上のガス供給口を有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

移動する基材の側面をコーティングするためのシステム。このシステムは、プラズマ供給源のアレイ、このアレイの上流に位置する第１複数のオリフィスおよびこのアレイの下流に位置する第２複数のオリフィスを含む。コーティング反応物を各オリフィスからそのオリフィスに関連するプラズマ供給源から出るプラズマジェットの中へ噴射する。制御装置がこの基材の輪郭およびこのアレイに対する基材の位置に従ってこのコーティング反応物の流れおよびこれらのオリフィスへのフラッシュガスの流れを調節する。この基材の反対の側面をコーティングするために追加のプラズマアレイおよびオリフィスの組を使ってもよい。
（もっと読む）

【課題】ＩＶ特性において格段に優れた炭素膜を得ること。
【解決手段】本炭素膜の構造は基板１０上に複数の炭素膜集合単位１２が形成されている。炭素膜集合単位１２は、細長い針状に成膜されている幹状炭素膜１４と、この幹状炭素膜１４の膜中途から膜下部にかけて当該幹状炭素膜１４を囲むように成膜されている枝状炭素膜群１６とを備える。幹状炭素膜１４は、先端近傍の外周面に当該先端に向けて螺旋状の筋状段差部１８を有する半径が先端に向かうにつれて小さくなる形状を備える細長い針状である。 （もっと読む）

【課題】 基板の両面に成膜可能な成膜装置であって、設置面積が小さいと共に成膜工程が短く、しかも異常放電が生じない成膜装置の提供。
【解決手段】ガス導入手段及び排気手段を有した成膜チャンバー５と、基板Ｓを保持する基板ホルダー１０１と、基板ホルダー１０１を搬送する搬送手段と、前記基板ホルダー１０１を反転させる反転手段とを備えた縦型化学気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】基板を確実に保持でき、且つ、低い照射角で加工用ガスを照射する場合であっても基板の両面を全面に亘って均一に平坦化できる基板保持装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板保持装置は、円板状の基板１２の外周部１４を係止するための凹部１６が先端１８に形成され、該先端１８が基板１２の中心の方向に突出して基板１２を外周部１４における複数の位置において支持するように設置される複数の係止器２０を有してなり、係止器２０は、基板１２の厚さ方向の幅が先端１８の方向に該先端１８まで単調に小さくなるように厚さ方向の両側の側面２２が基板１２の表面に対して少なくとも先端１８の近傍において基板１２の中心を臨む方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン薄膜の光劣化と関連する拡散長の短い核種をより一層排除することができ、また、大面積製膜も可能なプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】反応容器１と、その容器内に反応ガスを導入するガス導入管６と、容器外へ排ガスを排出するガス排気管４と、容器内に収容した第一電極２及び第二電極３からなる放電用平行電極と、前記電極に電力を供給する電源９とを有してなるプラズマプロセス装置において、第一電極２には、ガス導入管６に連通するガス導入用穴１１及び前記ガス排気管６に連通する排ガス用穴１２の双方を設ける。好ましくは、第一電極２の第二電極３に対向する表面に、多数の凹部を所定パターンで設ける。 （もっと読む）

【課題】フィールドエミッション型ランプに用いる陰極の量産性を向上すること。
【解決手段】常圧のチャンバ１２内に、筒状体１４を配置し、筒状体１４内に導体ワイヤ２８（被成膜基板）を配置し、導体ワイヤ２８に第１直流負バイアスを印加しかつ筒状体１４をフローティング状態とし、筒状体１４内に炭化水素ガスと酸素含有ガスとを導入して筒状体１４内で炭化水素ガスと酸素含有ガスとを反応させて燃焼炎３８を発生させる。この燃焼炎３８の発生中に筒状体１４に第２直流負バイアスを印加することにより該筒状体１４内に燃焼炎３８をプラズマ発生トリガとして直流プラズマ４０を発生させる。直流プラズマ４０により炭化水素ガスを分解するとともに筒状体に対するスパッタリングで発生した金属を触媒金属として導体ワイヤ２８に炭素膜４２を成膜する。 （もっと読む）

【課題】導体ワイヤの表面全周に膜厚均一に成膜することができるようにすること。
【解決手段】本直流プラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ２の内部に直流電圧の正電極側ないしは接地電極側が接続される第１平板電極１０と直流電圧の負電極側が接続される第２平板電極１２とを対向配置してなり、真空チャンバ２内部に炭素膜生成用のガスを導入しかつ両平板電極１０，１２間に直流電圧を印加することにより第１、第２平板電極１０，１２の対向電極面間にプラズマを発生させて第１平板電極１０上に配置した導体ワイヤ２６の表面に電界電子放出用炭素膜を成膜する直流プラズマＣＶＤ装置であって、導体ワイヤを回転駆動する支持／駆動手段２８を具備した構成。 （もっと読む）

【課題】フィールドエミッション型ランプに用いる陰極の量産性を向上すること。
【解決手段】内圧が常圧であるチャンバ１２内に導体ワイヤ（被成膜基板）１４を配置し、導体ワイヤ１４に直流負バイアスを印加し、チャンバ１２内に炭化水素ガスと有機金属ガスと酸素含有ガスとを導入し、チャンバ１２内の炭化水素ガスと酸素含有ガスとを反応させて燃焼炎２８を発生させ、この燃焼炎２８により炭化水素ガスと有機金属ガスとを分解して導体ワイヤ１４表面上に有機金属を触媒として炭素膜３０を成膜する。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性に優れた電極を製造するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０内の陽極１１ａの載置面に基板１が載置される。陽極に対向する陰極１３には流路１３ａが形成され、冷却水が通される。陽極１１ａと陰極１３とに電圧を印加して、プラズマにより基板１上に、カーボンナノウォールの層を形成し、その後、陽極１１ａを冷却部材１２で冷却して基板１を所定の温度に急冷する。 （もっと読む）

【課題】均一かつ細密に充填したＳＡＭを大面積の基板に形成することを可能とする装置及び方法を提供する。
【解決手段】自己組織化分子を含有する液体原料を気化し、基板上に自己組織化単分子膜を形成する装置であって、前記基板を内部に保持する成膜室と、前記液体原料を前記成膜室内に直接噴射する噴射弁を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ−ＣＶＤを用いて、小型で、任意の場所、形状で微小電磁誘導装置を作製することができる微小電磁装置の作製方法及びそれによって作製される微小電磁装置を提供する。
【解決手段】 微小電磁装置の作製方法において、三次元ＣＡＤを用いて設計した微小電磁装置の三次元構造モデルに基づいた描画データから、原料ガスに集束イオンビームを照射するＦＩＢ−ＣＶＤ装置の集束イオンビームの照射位置とビームの強度、照射時間、照射間隔、照射方向を制御し、ガラスキャピラリー３１の先端面に鉄芯３５とＤＬＣコイル３６とからなる微小電磁装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 より低温での、回路上への熱損傷を与えることなく、任意の位置においてその場でシリコンナノワイヤーの架橋構造を形成することのできる新しい技術手段を提供する。
【解決手段】 基板表面上の所定位置に触媒金属ドットパターンを配設し、ポリシランガスの３００℃以下の温度でのＣＶＤによって所定の触媒金属ドット間にシリコンナノワイヤーを架橋成長させる。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一な薄膜を安定して形成できるＣＶＤ成膜法による成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ３内に、隔壁５、７により成膜室８、第１、第２排気室９、１１が設けられるとともに、基材１６を成膜室８に送り出す第１基材搬送室１５および成膜後の基材１６を回収する第２基材搬送室１９が設けられる。成膜室８内において基材１６は直状のフリースパン部で成膜される。成膜室８内には、基材１６の両面に成膜可能なように、ガス供給部２１および電極ユニット２７が設置され、基材１６の上下両面に対してガス供給部２１から成膜ガスが噴射される。基材の上下両側に電極５５を有する電極ユニット２７が設置され、電源２９により電力を供給してプラズマ２８を発生し、基材１６の両面に薄膜を形成する。 （もっと読む）

半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層を堆積させる方法が提供される。半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層は、単一基板化学気相堆積チャンバ内で堆積される。半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層は、半導体デバイスにおいて電極層として用いることができる。一態様において、二ステップ堆積プロセスは、粗さが減少したナノ結晶粒サイズのポリシリコン層を形成するために提供される。 （もっと読む）

【課題】排気時間を短縮することで成膜速度が向上できるようにする。
【解決手段】原料ガスの供給を停止し、排気機構１０４及び成膜室排気機構１１０を動作させた状態で、ガス供給機構１０８により例えばＡｒや窒素などのパージガスが成膜部１０２の内部に供給された状態とする。このことにより、成膜部１０２の内部と、この外部の真空チャンバー１０１内との間に大きな圧力差を発生させ、成膜部１０２の内部の圧力が外部の圧力より大きい状態とし、蓋１０５より成膜部１０２が離間して成膜部１０２の内部が真空チャンバー１０１の内部と連通した状態とする。 （もっと読む）