【課題】ルテニウム含有膜を含む配線構造の低抵抗化を可能にさせた薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、ＲｕチャンバＦ１で形成するＲｕ膜を酸化チャンバＦ２に搬送し、酸化性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し酸化処理を施す（ステップＳ１４）。また、薄膜形成装置は、酸化処理の施されたＲｕ膜を還元チャンバＦ３に搬送し、還元性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し還元処理を施す（ステップＳ１５）。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に緻密なダイヤモンド薄膜を形成させるためのシリコン基板及びその製造方法であって、１０００℃以上の高温でも孔形態が変化せず、核発生密度も維持でき、熱膨張係数差に伴う応力の緩和機構も備えたダイヤモンド薄膜形成用シリコン基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 （もっと読む）

【課題】抵抗発熱体の熱膨張収縮時の支持体と抵抗発熱体との間の摩擦抵抗を低減して抵抗発熱体の残留応力による永久歪の発生を抑制し、耐久性の向上を図る。
【解決手段】被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を囲繞する筒状の断熱材４と、該断熱材４の内周面に沿って配置される螺旋状の抵抗発熱体５と、上記断熱材４の内周面に軸方向に沿って設けられ抵抗発熱体５を所定ピッチで支持する支持体１３と、上記抵抗発熱体５の外側に軸方向に適宜間隔で配置され断熱材４を径方向に貫通して外部に延出された複数の端子板１４とを備えた熱処理炉において、上記支持体１３は断熱材４に一端が埋め込まれ、他端が径方向内方へ突出された複数本の管状部材５１から成り、該管状部材５１の曲面状の上面部に上記抵抗発熱体５が支持され、上下に隣り合う上記管状部材５１の先端部間には、上記抵抗発熱体５の脱落を防止するための線状部材５５が掛け渡され、該線状部材５５の両端部５５ａが上下の上記管状部材５１の軸孔を通り断熱材４中に埋設されて固定されている。 （もっと読む）

【課題】回折格子を被測定体に設けることによって、金属汚染を生ずることなく、温度の測定精度を大幅に向上させることが可能な温度測定装置を提供する。
【解決手段】被測定体４２の温度を測定する温度測定装置５０において、被測定体に形成した回折格子６８と、温度測定用の測定光Ｌ１を発生する発光部７５と、測定光を回折格子まで導く第１の光導波路７０Ａ−１（７０）と、回折格子からの回折光を導く第２の光導波路７０Ａ−２（７０）と、第２の光導波路により導かれた回折光を受けて周波数を分析する周波数分析部７８と、周波数分析部の出力に基づいて被測定体の温度を求める温度分析部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン形成された導電性金属層、およびパターン形成された障壁誘電体層との間に改善された接着性を与えるものである。
【解決手段】本発明は、パターン形成された導電性金属層、通常は銅層、およびパターン形成された障壁誘電体層との間の改善された接着に関する。
改善された接着性を有するこの構造は、パターン形成された障壁誘電体層とパターン形成された導電性金属層との間に接着層を含んでいる。この接着層は、銅のバルク電気抵抗率を増加することなしに、金属層と障壁層との間の接着力を、向上させる。改善された接着性を有する構造を作る方法は、パターン形成された導電性金属層を有機金属前駆体に熱的に暴露させ、少なくとも、パターン形成された導電性金属層の表面上に、接着層を堆積させる工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハを載置する際の滑りを防止して、サセプタの定位置にウェーハを載置することができる気相成長装置用サセプタを提供する。
【解決手段】底面１０４の最外周に一列、サセプタ１０の表面に向かって拡開する傾斜面１０５ａを有する環状溝１０５が形成され、この環状溝に、サセプタの裏面に貫通する、断面積が２．０〜３．０ｍｍ^２、開口率が０．２５〜０．５％であるガス抜き孔が形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属ブロック同士の間に形成される流路にろう材をはみ出させずに、複数の金属ブロックを密着させて接合させることにより、高品質のガス供給部材を製造する。
【解決手段】複数の金属ブロック６０〜６２同士の接合面において、接合面の外縁よりも内側に離れた領域にろうペースト７５を塗布し、複数の金属ブロック６０〜６２同士を圧接させ、加熱することにより、複数の金属ブロック６０〜６２同士をろう付けさせてガス供給部材４０を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法によるＲｕ膜の成膜の際のインキュベーション時間を短縮し、膜質を向上させる。
【解決手段】Ｒｕ膜の成膜方法は、（Ａ）前記被処理基板表面にＲｕの有機金属錯体を不活性キャリアガスとともに供給し、プラズマを励起して前記Ｒｕの有機金属錯体を分解させることにより、前記被処理基板表面にＲｕ膜を堆積する工程と、（Ｂ）前記被処理基板表面から前記Ｒｕの有機金属錯体をパージする工程と、（Ｃ）前記Ｒｕ膜を、窒素あるいは水素を含む雰囲気により改質する工程と、（Ｄ）前記被処理基板表面から、前記窒素あるいは水素を含む雰囲気をパージする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体製造時における原料ガスの供給量を安定させる。
【解決手段】流量制御されたキャリアガスを原料容器１に導入し、原料容器１から反応室２に繋がるガスライン５の圧力を測定する圧力測定器７と、ガスライン５下流に圧力制御バルブ３を備え、ガスライン５の圧力測定値を圧力制御バルブ３の開閉度にフィードバックして、ガスライン５の圧力を自動制御する構成にし、さらに、圧力制御バルブ３の開閉度を任意に制御する機構を備え、かつ一連の半導体層を成長する途中でガスライン５の圧力を自動制御する状態と、圧力制御バルブ３の開閉度を任意に制御する状態とを任意に切り替え可能にする。 （もっと読む）

【課題】 ＴＥＯＳ／Ｏ_３を使用した絶縁膜の被成膜面に対して安定した酸化処理を行う方法を提供する。
【解決手段】 オゾン及びテトラエチルオルソシリケートを含んだ反応ガスを用いた化学気相成長法によって形成される絶縁膜の、被成膜面を有する下地層の改質方法であって、ベース酸化剤と過酸化水素水を混合させて処理液を作製する工程と、処理液を加熱して昇温させる工程と、被成膜面に処理液を接触させることにより被成膜面の改質を行う工程と、被成膜面を洗浄する工程と、を備えることを特徴とする被成膜面の改質方法。 （もっと読む）

【課題】載置台の中心部にクールスポットが発生することを阻止して、この載置台自体が破損することを防止することができると共に、被処理体に対する熱処理の面内均一性を高めることができる載置台構造を提供する。
【解決手段】熱処理装置の処理容器２２内に設けられて、熱処理すべき被処理体である半導体ウエハＷを載置するための載置台構造において、前記被処理体を載置するための載置台５２と、前記載置台の下面の中心部に連結されて前記載置台を支持する筒体状の支柱５４と、前記支柱内の上部に、前記載置台の下面に接近させて設けた熱反射部５６とを備える。これにより、載置台の中心部にクールスポットが発生することを阻止する。 （もっと読む）

【課題】基板保持部材をサセプタから取り外しても転動部材が落下することを防止するとともに、原料ガスや反応生成物がサセプタの裏面側に極力流れないようにした気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１３の外周部に設けられた複数の収容孔２０の内周下部に内フランジ２０ａを周設する。基板保持部材１４の外周上部に内フランジ２０ａに対向する外フランジ１４ｂを周設し、内フランジ２０ａの内周側に外フランジ方向に突出するリング状の上向き突片２０ｂを設ける。外フランジ１４ｂの外周側に内フランジ方向に突出するリング状の下向き突片１４ｄを設ける。内フランジ２０ａ、外フランジ１４ｂ、上向き突片２０ｂ及び下向き突片１４ｄに囲まれた部分に、転動部材２１を回転可能に配設する。 （もっと読む）

【課題】処理室内のドライクリーニング直後の薄膜形成工程における成膜速度の低下を抑制しつつ、処理室内の金属汚染や石英部材の破損を抑制すると共に、装置稼働率を向上させる。
【解決手段】第１の温度に加熱された処理室２０１内にクリーニングガスとして、フッ素ガスを単独で、もしくは不活性ガスで希釈されたフッ素ガスを単独で供給し、処理室２０１内に堆積した薄膜を除去する工程と、第２の温度に加熱された処理室２０１内にクリーニングガスとして、フッ素ガスを単独で、もしくは不活性ガスで希釈されたフッ素ガスを単独で供給し、薄膜の除去後に処理室２０１内に残留した付着物を取り除く工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】通常困難であるとされている真空装置中の水成分を除去し、真空装置中の清浄度およびベース真空度を格段に向上させる手段、方法を実現する。
【解決手段】開閉可能な真空容器２と、真空容器２内に設けられたプラズマ発生装置と、排気装置５を備え、プラズマ発生装置は、アノード電極６と、電力投入電極７と、アノード電極と電力投入電極間に高周波電圧を印加する高周波電源８と、アノード電極６を加熱する加熱装置とを備え、加熱装置は、アノード電極６を加熱することにより、真空容器２内の水成分を抽出し、前記排気装置５により真空容器２外に除去可能とし、アノード電極の加熱温度は、１００℃以上である。 （もっと読む）

【目的】コンタクトプラグ材料の基板への拡散を抑制する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、半導体基板２００と導通するコンタクトプラグとなるＣｕ膜２６０と、Ｃｕ膜２６０の少なくとも底面側に、半導体基板２００と接触して配置された柱状結晶構造をもつＴｉＮ膜２４２と、Ｃｕ膜２６０の少なくとも底面側に、ＴｉＮ膜２４２と接触して配置された、ＴｉＮのアモルファス膜２４４と、Ｃｕ膜２６０の底面側と側面側に、少なくとも一部がアモルファス膜２４４とＣｕ膜２６０とに接触して配置された、ＴｉＮ膜２４２材と同じ材料で柱状結晶構造をもつＴｉＮ膜２４６と、Ｃｕ膜２６０の側面側に配置されたＳｉＯ_２膜２２０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置および方法において、成膜速度、ソースガス利用効率を向上させ、高い生産性の提供。
【解決手段】ウェーハwが導入され成膜処理される反応室11と、該ウェーハwを保持するホルダー13を上部に備え、ウェーハwを加熱するヒータ15a，15bが内部に設置され回転駆動機構17を有する回転体12と、反応室11上方よりプロセスガスを供給するガス供給機構18と、反応室11よりガスを排出し、所定の圧力に制御するガス排出機構19と、該プロセスガスを整流してホルダー13に保持されたウェーハw上に供給する整流板20と、整流板20下部に設置され、上端の内径より下端の内径が大きく、ウェーハw上から外周方向に排出されるガスを下方に整流する環状の整流フィン22と、整流板20とウェーハwとの垂直距離、整流フィン22と回転体12上面との垂直距離が、それぞれ所定の距離となるように制御する距離制御機構23を備える。 （もっと読む）

【課題】電力損失にともなう発熱の問題を生じさせずに、かつ簡易に電力合成することができる電力合成器を提供すること。
【解決手段】電力合成器１００は、筒状をなす本体容器１と、本体容器１の側面に設けられた電力を電磁波として導入する複数の電力導入ポート２と、複数の電力導入ポート２にそれぞれ設けられた複数の給電アンテナ６と、複数の給電アンテナ６から本体容器１内に放射された電磁波を空間合成する合成部１０と、合成部１０で合成された電磁波を出力する出力ポート１１とを具備し、給電アンテナ６は、電力導入ポート２から電磁波が供給される第１の極２１および供給された電磁波を放射する第２の極２２を有するアンテナ本体２３と、アンテナ本体２３から側方へ突出するように設けられた、電磁波を反射させる反射部２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】気化器の気化効率低下を防止し、また気化器の閉塞を防止する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】気化器３１は２ノードのペリトロコイド曲線のまゆ型であり、内部に３葉の内包絡線で形成された三角おむすび型の回転子４０を有している。回転子４０は芯のずれた軸に取り付けられて気化器３１内で回転する。気化器３１には、気化器３１にキャリアガス４２を供給する配管３７と、気化器３１に液体ソース４３を供給する配管３６と、反応室１１に反応ガス４４を供給する配管３８とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に、ＡｌＮ及びＧａＮを成長させるにあたり、Ｓｉ基板の抵抗値の低下を抑制する。
【解決手段】成長装置内にシリコン基板を導入して、成長装置内でシリコン基板を水素雰囲気中でクリーニングする。次に、成長装置内を不活性ガス雰囲気にした後、成長装置内を減圧し、さらに、シリコン基板の温度を成長温度まで昇温する。次に、成長装置内に原料ガスを導入して、シリコン基板上に有機金属気相成長法によりバッファ層として窒化アルミニウム層を形成する。 （もっと読む）

【課題】載置面上において均一にプラズマを生成できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る上部電極２０は、載置面１０Ａに対向する対向面２２Ａを有する対向部２２と、対向面２２Ａの外周に繋がる平坦面２４Ａを有する外周部２４と、対向面２２Ａ上に形成された複数の凸部２６とを含む。載置面１０Ａに略平行な投影面上において、対向部２２の外周は、下部電極１０の外周と重なり、外周部２４の外周は、対向部２２の外周を取り囲む。 （もっと読む）