【課題】 堆積された誘電体膜上の現像後のフォトレジスト形状を改善する方法を提供することである。
【解決手段】 堆積された誘電体膜上の現像後のフォトレジスト形状を改善するための方法と装置。この方法は、プラズマ増強化学蒸着プロセスを使用して基板上に、調整可能な光学的特性およびエッチング耐性特性を有するＴＥＲＡ膜を堆積させることと、プラズマプロセスを使用してＴＥＲＡ膜を後処理することとを包含する。この装置は、第１のＲＦ電源に結合された上部電極および第２のＲＦ電源に結合された基板ホルダを有するチャンバと、複数のプリカーサおよびプロセスガスを供給するシャワーヘッドとを含む。 （もっと読む）

化学蒸着及び原子層堆積などの方法により、窒化タンタル又は酸化タンタル材料を基板上に堆積させるのに有用なタンタル前駆体。前駆体は、銅金属化及び／又は強誘電性薄膜を特徴とするマイクロエレクトロニクス素子構造上にタンタルベースの拡散バリヤ層を形成するのに有用である。

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エッチング剤又はアッシング処理を受けた有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の表面に疎水性を回復するための方法。これらの膜は、これらの膜の低く安定な誘電特性を確保するために集積回路の製造で絶縁材料として使用されている。該方法は、これらの膜に応力誘起ボイドが形成されるのを防止する。有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜は、ビア及びトレンチを形成するためにエッチング剤又はアッシング試薬による処理を受けてパターン化されるが、その処理が以前に存在していた炭素含有部分の少なくとも一部を除去するようなものであるため、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性が削減される。ビア及びトレンチはその後金属で充填され、アニール処理を受ける。膜がエッチング剤又はアッシング試薬に当てられた後、アニール処理にかけられる前に、膜を強化剤組成物と接触させ、炭素含有部分の一部を回復し、有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性を増大させる。 （もっと読む）

基板上に形成する薄膜の再現性と面内均一性、組成均一性を改善する。 反応室１００に原料ガスを供給する原料ガス供給管５ｂに、バルブ３４、３５を設け、原料ガス供給管５ｂから分岐したバイパス配管１４ａにバルブ３３を設ける。バルブ３４、３５の間に不活性ガス供給配管２３を設ける。制御装置２５０は、バルブ３３〜３５を次のように制御する。成膜時と成膜停止時との間の成膜停止遷移時は、バルブ３４を閉じ、バルブ３３とバルブ３５を共に開き、原料ガスをバイパス配管１４ａからバイパスさせると共に、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内のバルブ３５よりも下流側デッドスペースの残留ガスを反応室から排気する。成膜停止時は、バルブ３５を閉じ、バルブ３４とバルブ３３をともに開き、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内の不活性ガス供給箇所よりも上流側デッドスペースの残留ガスを、原料ガスと共にバイパス配管１４ａから排気する。 （もっと読む）

流動性絶縁材料から残留炭素堆積物を除去する方法。流動性絶縁材料はケイ素、炭素および水素を含むもので、流動性酸化物材料またはスピンオン流動性酸化物材料である。残留炭素堆積物は、流動性絶縁材料をオゾンに曝露することによってその流動性絶縁材料から除去される。流動性絶縁材料は、半導体基板上に配置されたトレンチの中に絶縁層を形成するために使用される。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に透明電極を形成しても、ガラス基板が高い衝撃強度と優れた切断性を有する太陽電池基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン太陽電池に使用される透明電極を備えた太陽電池基板の製造方法において、４８０℃〜５７０℃の温度に加熱したガラス基板上に透明電極膜を製膜する製膜工程と、製膜した該基板を２０℃／分以下の冷却速度で該温度から少なくとも４５０℃まで冷却する冷却工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット３３が設けられた面２３を有する環状導波路１３を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路１３の中心Ｃ１に対してスロット３の中心Ｃ２、Ｃ５が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）