【課題】Ａｌ_２Ｏ_３膜とＨｆＯ_２膜等の２種類の膜を同一処理室内で形成する際に、ガス供給ノズル内でのパーティクルの発生を防止または抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＴＭＡ（Ａｌ（ＣＨ_３）_３、トリメチルアルミニウム）ガスとＯ_３（オゾン）とを交互に処理室に供給してウエハ２００上にＡｌ２Ｏ３膜を形成する工程と、ＴＥＭＡＨ（テトラキス（Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ）ハフニウム）ガスとＯ_３とを交互に処理室内に供給してウエハ２００基板上にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、を同一の処理室にて実行可能な基板処理装置であって、ＴＭＡを処理室内に供給するガス供給ノズル２３３と、ＴＥＭＡＨを処理室内に供給するガス供給ノズル２３４とを備え、Ｏ_３は、ガス供給ノズル２３３から処理室内に供給する。 （もっと読む）

半導体処理の構成材は基材および基材の上にある層を含む。層は組成物ＲｅＡ_ｙＯ_{１．５＋２ｙ}を有す、ここで、ＲｅはＹ、Ｌａ、ランタノイド族元素、またはそれらの組み合わせ、Ａは（Ｓｉ_１−ａＧｅ_ａ）、０．２５≦ｙ≦１．２且つ０≦ａ≦ｌである。
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ガスを処理チャンバ内に分配するためのガス分配プレートの実施形態が提供される。一実施形態において、プラズマ処理チャンバのためのガス拡散器プレートアセンブリは、上流と下流側面との間を通るガス通路を備えた拡散器プレートと、ガス通路の下流側面での中空カソード空洞を含む。拡散器プレートの下流側面は、ＰＥＣＶＤにより堆積された薄膜、特にＳｉＮ及びアモルファスシリコンフィルムの厚さ均一性及びフィルム特性の均一性を改善するための湾曲を有する。湾曲は、好ましくは円又は楕円の弧により描かれ、それらの頂点は拡散器プレートの中心点に位置する。一様態において、拡散器の中空カソード空洞体積密度、表面領域密度、又は空洞密度は、中心から外部縁部へ増加する。そのような拡散器プレートを製造する方法も提供される。

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処理領域で基板に化学気相堆積を行うチャンバのための方法及び装置は、ガス入口通路を含む加熱蓋を有するガスボックスと、加熱蓋に接続され、加熱ガスボックスから基板処理領域へガスを導通するように位置されたフェースプレートとを備えている。また、化学気相堆積チャンバに熱を与える方法は、ガスボックスの蓋に熱を供給するステップと、ガスボックスに接続されたフェースプレートを、蓋からの熱伝達により加熱するステップとを備えている。 （もっと読む）

【課題】 気密において、ボンベ内のガスを有効に利用することができるようにする。
【解決手段】被試験配管５２とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２２と、供給用配管２２に設けられたバルブ４と、被試験配管５４とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２３と、供給用配管２３に設けられたバルブ５と、被試験配管５２とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２２ａと、供給用配管２２ａに設けられたバルブ４ａと、被試験配管５４とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２３ａと、供給用配管２３ａに設けられたバルブ５ａと、ガス供給ボンベ１の残圧を検出する残圧検出部３と、ガス供給ボンベ１ａの残圧を検出する残圧検出部３ａと、残圧検出部３，３ａそれぞれが検出した残圧に基づいて、バルブ４，４ａ，５，５ａを制御することにより、ガス供給ボンベ１，１ａの一方を被試験配管５２に接続し、他方を被試験配管５４に接続する制御部３０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスが処理基板に到達する前に反応することを防止し、処理基板からの輻射熱の影響を最小化し、さらに、反応室におけるガスの挙動を結晶成膜にとってより良好とすることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】加熱状態の処理基板５の表面に、複数の原料ガスを反応させて成膜を行う成膜装置であって、上記処理室１が加熱室１ａと反応室１ｂに区分され、反応室１ｂに露出している処理基板５と対向するところに、原料ガスの排気管７が反応室１ｂに連続した状態で設けられ、処理基板５の表面に対して各原料ガスをそれぞれ独立した状態で供給する供給口１１，１２が、排気管７よりも外方に位置するように配置されている。こうすることにより、処理基板５の直近で原料ガスを反応させて良好な結晶成膜が処理基板５上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 活性化前の原料が基材に付着することを防止して、良質な薄膜形成を可能とする。
【解決手段】この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置され、放電空間内に高周波電界を発生させる一対の電極と、放電空間内で少なくとも一方の電極に沿うように、基材を電極に密着させて保持する保持機構とが設けられている。また、薄膜形成装置には、薄膜形成ガスを含有するガスが高周波電界によって活性化されるように放電空間にガスを供給し、活性化されたガスで基材を晒すことで、基材の表面上に薄膜を形成するためのガス供給部が設けられている。ガス供給部は、活性化以前のガスが基材に接しないように、ガスを放電空間まで案内する案内手段を有している。 （もっと読む）

【課題】 薄手の基材に対するヤラレを防止して、薄手の基材であっても安定した薄膜形成を可能とする。
【解決手段】 この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置された一対の電極と、基材を支持する支持体とが備えられている。また、薄膜形成装置には、基材が放電空間内で一対の電極のうち、少なくとも一方の電極に沿うように、支持体を電極に密着させて保持する保持機構と、薄膜形成ガスを含有するガスが高周波電界によって活性化されるように前記放電空間に前記ガスを供給し、活性化された前記ガスで前記基材を晒すことで基材の表面上に薄膜を形成するためのガス供給部とが備えられている。そして、基材及び支持体は、再剥離性を有する粘着剤によって密着している。 （もっと読む）

【課題】 ガス供給ノズル内の反応生成物の堆積レートを遅くして、ガス供給ノズルのメンテナンスサイクルを、処理室内の他の構成部材と同程度に延ばすことができるようにする。
【解決手段】 反応管（処理室）を構成するインナチューブ２０４の内側に沿ってロングノズル（ガス供給ノズル）２３２が延在される。Ｌ字型のロングノズル２３２は、立上り部分内に圧力差が生じない程度に、立上り部分に十分大きな口径を持ち、それにより立上り部分内の圧力が処理室内の圧力と略同等となるように構成される。例えば、立上り部分の口径（φ）が４ｍｍと小さいと、その部分のノズル２３２内の圧力差が大きく、その部分のノズル内の圧力は処理室内の圧力と略同等とならないが、立上り部分の口径がφ１２ないしφ１６ｍｍと大きくなると、その部分のノズル内の圧力差が小さく、ノズル内の圧力は処理室内の圧力と略同等となる。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの流れを制御しつつ、パーティクルの低減も同時に図れるプラズマ処理装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１０１に、反応ガス供給と真空排気の手段を備えたシャワーヘッド１０４、排気分配手段１０６、不活性ガス導入口１０７、分岐配管１０９を備え、通常の放電加工停止と同時に１０７より不活性ガスを導入し、１０６を動作させ、シャワーヘッド１０４、分岐配管１０９、排気分配手段１０６からなる排気経路を設ける。チャンバー１０１からの不活性ガスの排出に伴って基板１０２の上方に存在するパーティクルがシャワーヘッド１０４から排出され基板に付着するパーティクルを低減する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック容器内面に膜質が良好で、さらに均一厚さのバリヤ膜をコーティングすることが可能で、メンテナンスを軽減し、装置の機械的な必要精度が低くて済むことが可能なプラスチック容器の内面へのバリヤ膜形成装置を提供する。
【解決手段】被処理物であるプラスチック容器が挿入された時にその容器を取り囲む外部電極と、前記容器の口部が位置する側の前記外部電極の端面に絶縁部材を介して取り付けられ、接地された排気管と、前記外部電極内に挿入されたプラスチック容器の内のガスを前記排気管を通して排気するための排気手段と、前記外部電極内に挿入されたプラスチック容器に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記外部電極に接続される高周波電源とを具備し、ガス流通穴を有する導電性部材は、前記排気管内にこの排気管内面に接触して設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】０．１気圧〜１００気圧という比較的高い圧力下で高速な処理を実現できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１電極１と第２電極２が平行に配置され、第２電極２上に被処理物３が配置される。第１電極１は裏板４を介して接地されている。第１ガス供給装置５から第１配管６を介して第１ガス溜まり７に不活性ガスとしてのヘリウムガスが供給され、第２ガス供給装置８から第２配管９を介して第２ガス溜まり１０に反応性ガスとしてのＳＦ₆ガスが供給される。ヘリウムガスを、第１ガス噴出口１２から噴出させるとともに、ＳＦ₆ガスを、第２ガス噴出口１３から噴出させつつ、高周波電源１１を操作して第１電極と第２電極間に電圧を印加すると、第１電極１と被処理物３の間に面状のプラズマが発生し、被処理物の表面を高速でエッチングすることができた。 （もっと読む）

本発明は、容器（１２）を処理するための機械（１０）であって、容器のための少なくとも１つの処理ステーション（１１）を有し、各処理ステーションは、カバー（３２）を有し、このカバーは、この容器を外部から捉えるための把持手段（２６）が備えられ、この容器の内部とこのカバーの中に配置されている真空ポンプチャンバ（３１）との間に漏れが生じない接続手段（２８）が備えられている、ニップル（２２）が設けられているタイプで、漏れが生じない接続手段は、このカバーの中に取り付けられているカートリッジ（１０４）を有しているタイプである、機械において、このカートリッジが、接続部（１０６）と称され、ポンプチャンバの内側を延び、径方向の複数のポート（１０８）が設けられている、軸方向部分を有し、また、このポンプチャンバは、これら径方向のポートを介してカートリッジの内部と連通していることを特徴とする機械に関する。
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成膜装置は、２２０ｃｍ²以上の面積を有する下地（１）上にＣＶＤによって透明導電膜を堆積するための成膜室（３）と、有機金属蒸気を含む第１のガスを輸送する第１のガス管と、酸化剤蒸気を含む第２のガスを輸送する第２のガス管と、第１と第２のガス管を結合させて第１と第２のガスを混合するためのガス混合空間（１２）と、そのガス混合空間おいて混合された反応ガスを成膜室内へ導入するガス導入手段（１０）と、成膜室から排ガスを排出するための排気装置（６）とを含む。 （もっと読む）

本発明は、天井（２）と基板（４）を載せるための垂直に反対側の加熱された床（３）を有する反応チャンバー（１）中の少なくとも１の特に結晶基板の上に、特に結晶層を堆積するための装置に関するものである。垂直に重ねられたガス入口域（６、７）を形成するガス入口部材（５）は、少なくとも１の第一および１の第二ガス状出発物質を分離して導入し、前記出発物質は、キャリヤガスとともに前記反応チャンバー（１）を通過して水平方向に流れる。前記ガスの流れは、前記ガス入口部材（５）に直接隣接した入口域（ＥＺ）で均質化し、前記出発物質は少なくとも一部分解され、前記入口域（EZ）に隣接した成長域（GZ）中の基板（４）上に堆積される分解物を生成し、ガスの流れは連続的に使い尽くされる。前記入口域（EZ）の水平方向の広がりを減少させるためには、ガス入口部材（５）の追加ガス入口域（８）は、２つの出発物質のうちの一方に必須である。
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窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成でき、良質な薄膜を高速で製膜できる薄膜形成方法を提供し、これにより良質で緻密な薄膜を有する基材を安価に提供できる。前記薄膜形成方法として、大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に窒素元素を有するガスを含有するガスを供給し、前記放電空間に第１の高周波電界および第２の高周波電界を重畳した高周波電界を印加することにより基材上に窒化膜を形成する薄膜形成方法であって、前記第１の高周波電界の周波数ω_１より前記第２の高周波電界の周波数ω_２が高く、前記第１の高周波電界の強さＶ_１、前記第２の高周波電界の強さＶ_２及び放電開始電界の強さＩＶとの関係が、Ｖ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２又はＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が、１Ｗ／ｃｍ^２以上である薄膜形成方法である。 （もっと読む）

ナノサイズヒータ付きノズルは、原料ガスを基板Ｗに向けて局所的に供給するためのノズルと、ノズルの側面に設けられた一対の電極と、カーボンナノチューブ等からなるナノサイズヒータなどで構成され、ナノサイズヒータは、ノズルの開口部を横切るように各電極にそれぞれ接続され、通電によって原料ガスを加熱する。
こうした構成によって、基板上の限定された領域において、局所的な成膜を容易に実現できる。 （もっと読む）

【課題】 接触なしで原料を蒸発させて、単元又は多元の層及びスタック層を堆積する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、プロセスチャンバー（２）内で少なくとも１層を少なくとも１つの基板上に堆積する装置であって、複数の成分からなり、絶縁性、パッシベーション性、又は導電性を有する層と、インジェクタユニット（５）を用いて液状又は液体に溶解した原料（３）を温度制御された蒸発チャンバ（４）に不連続に射ち込むことによって成分が蒸発され、これらの蒸気がキャリアガス（７）によってプロセスチャンバーに供給される装置に関する。各インジェクターユニット（５）を通る流量の時間プロファイルを決定する、射出圧、射出周波数、及びデューティ比、並びにオン／オフの他のインジェクターユニットのオン／オフに対する位相関係等の流量パラメータが個別に設定又は変更されることが基本である。 （もっと読む）

本発明は、薄膜蒸着方法を提供する。ウェーハブロック上に基板をローディングする基板ローディングステップと、基板ローディング後に第１反応ガス及び熱的に活性化された第２反応ガスを、第１噴射孔及び第２噴射孔を介して基板上に噴射することによって薄膜を蒸着する薄膜蒸着ステップと、薄膜蒸着ステップ以後、水素原子を含む熱処理ガスを流して、薄膜内に含まれた不純物の含量を減らす後処理ステップと、後処理ステップ以後、薄膜が蒸着された基板をウェーハブロックでアンローディングするアンローディングステップと、を含み、ここで、第２反応ガスは、ガス加熱流路部を経る前にＴ_１の温度を、そして、そのガス加熱流路部を経た後にＴ_２の温度を有するとき、Ｔ_２が前記Ｔ_１より大きく、熱処理ガスは、ガス加熱流路部を経る前のＴ_１の温度を、そして、そのガス加熱流路部を経た後にＴ_３の温度を有するとき、Ｔ_３がＴ_１と同じであるか、または大きいことを特徴とする。
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【課題】ウエハに形成される薄膜の特性が向上するとともに、特性のバラツキが抑制できる薄膜形成装置を得る。
【解決手段】反応室３にはウエハ５が設置された石英ボート４が配置されている。ガス導入孔８とガス排気孔９が石英チューブ２の内側の管にそれぞれ対向して配置されているので、反応室３内のガスの流れは、図中矢印７で示すように、ウエハ表面と平行な方向に面内均一に形成することができ、Ｓｉウエハ面内の特性バラツキを防ぐことができる。 （もっと読む）