【課題】
本発明は、プラズマ・チャンバから構成された直線プラズマ放電開口部（９，２７，２８，３０）及びこの直線プラズマ放電開口部の領域内に多重極磁場装置を有するＥＣＲプラズマ源に関する。少なくとも２つの個々の分波器（３，４）が、中心にある分波器として存在する。これらの分波器（３，４）はそれぞれ、部分プラズマ・チャンバ（１，２，２１，２２，３２，２３）内に配置されている。直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）及び多重極磁場装置（１０，１１，３８，３９）が、各部分プラズマ・チャンバ（１，２，２１，２２，３２，２３）に沿って存在する。少なくとも２つの直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）が、ＥＣＲプラズマ源の少なくとも１つのプラズマ放電開口部（９，２７，２８，３０）を形成するように、これらの直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）は、向き合って配置されている。
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【課題】高品質のガラス膜を形成し、信頼性の高い光ファイバプリフォームを形成する方法および装置を提供する。添加物密度の均一な光ファイバプリフォームを提供する方法および装置を提供する。
【解決手段】ガラス管１００内に、プラズマ領域ＰＲを形成し、前記ガラス管を前記プラズマ領域に対して相対的に往復運動させることにより、プラズマ誘起ＣＶＤ法により、前記ガラス管内面にガラス膜を成膜する工程を含む光ファイバプリフォームの製造方法において、前記プラズマ領域に磁界を印加し、プラズマを封じこめつつ、成膜する。 （もっと読む）

【課題】 例えばプリヒ−トを行ってから成膜する場合に、プリヒ−ト時間を短縮すること。
【解決手段】 プリヒ−ト時と成膜時との間で主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７の電流値を変えることにより、得られる磁界の形状を変化させ、成膜時は均一性が大きいが磁束密度が小さい磁界、プリヒ−ト時は均一性は小さいが磁束密度が大きい磁界とする。この結果成膜時はウエハＷの面内においてほぼ均一なプラズマが発生するので均一な成膜処理を行うことができる。一方プリヒ−ト時は均一性は悪いもののプラズマ密度が成膜時よりも大きいプラズマが発生するのでウエハＷへの入熱量が成膜時よりも多くなり、プリヒ−ト時間を短縮することができる。 （もっと読む）