【課題】瞬時電力の設定値と比べて、マグネトロンにより照射されたマイクロ波の瞬時電力の正確さを改善し最適化する。
【解決手段】マグネトロンへの電力供給をマイクロ波の瞬時電力の設定値の関数として以下のように調整する。マグネトロンの電気効率の値を予め決めてメモリに記憶する。マイクロ波の平均電力の設定値を入力し、それを変換して電力信号の瞬時値の設定値を得る。マグネトロンに供給されたアノード電流と高電圧の瞬時値を測定してサンプリングする。サンプリング時におけるアノード電流の瞬時値に高電圧の瞬時値を乗算し、マグネトロンの電気効率の所定値を乗算して、サンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を得る。連続したサンプリング時において有効な所定の調整関係の関数として修正された、連続したサンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を決定する。それを修正されたマイクロ波の瞬時電力を表すアナログ信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_x膜、ＳｉＯＮ膜などのシリコン化合物薄膜の形成において、所望の屈折率と所望の希土類添加状態とが実現できるようにする。
【解決手段】まず、内部を所定の圧力に減圧した後、ガス導入部１０６からガスを導入し、プラズマ生成室１０１で第１プラズマを発生させる。また、ガス導入部１３３からＡｒなどのスパッタガスを導入しスパッタ室１０３内で第２プラズマを発生させる。このように２つのプラズマを生成した状態で、第１プラズマとソースガス導入部１０７から供給されるシリコンソースガスとにより、成膜室１０２内の設置されている基板１０５の表面にＰＥＣＶＤ法により薄膜を形成させる。同時に、スパッタ室１０３において、第２プラズマにより希土類元素ターゲット１２１をスパッタし、このことにより発生した元素を基板１０５に形成されている薄膜に添加させる。 （もっと読む）

プラズマから基板へ膜を蒸着するための装置について記載している。本装置は、容器と、前記容器内に配置されている複数のプラズマ生成要素と、基板を支持するための前記容器内にある手段とを備えている。各プラズマ生成要素がマイクロ波を放出する一端を有するマイクロ波アンテナと、前記アンテナ端の領域内に配置されて、分散型電子サイクロトロン共鳴を用いてその中でプラズマを生成できる電子サイクロトロン共鳴領域を画定する磁石と、膜用前駆ガスまたはプラズマガス用の排気口を有するガス進入要素とを備える。前記排気口が、前記マイクロ波アンテナから見て、前記磁石の先に位置する膜蒸着区域に向けてガスを方向付けるように配置されており、前記排気口が前記高温電子閉じ込めエンベロープの中または上に位置する。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板（１４）上に非晶質材料、例えば、アモルファスシリコンの膜を形成する方法を開示している。基板は定義された容量を有する容器内に配置して、前駆ガス、例えばシラン、を各管（２０）を通じて容器内に導入している。未反応および解離ガスを容器から出口（２２）を通じて抽出し、これにより容器内を低圧にする。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。前駆ガス流動速度を分散したプラズマソースの面積で割ったものとして定義している正規化した前駆ガスの流動速度は700sccm/m²以上であり、反応装置の容量を有効前駆ガスポンピング速度で割ったものとして定義しているガス滞留時間は30ms以下である。 （もっと読む）

例えばシリコン等の非晶質または微晶質材料の膜をプラズマから基板上に蒸着する方法を記載している。マイクロ波エネルギーを一連の不連続マイクロ波パルスとしてチャンバ内へ導入し、膜用前駆ガスを一連の不連続のガスパルスとしてチャンバ内へ導入し、水素原子を生成するガスを少なくとも各マイクロ波パルスの際にチャンバ内へ供給している。各マイクロ波パルスには前駆ガスパルスが重複しない形で続き、さらに各前駆ガスパルスには、マイクロ波パルスと前駆ガスパルスのいずれも無い期間が続く。 （もっと読む）

分散型電子サイクロトロン共鳴で形成されたプラズマから基板上に膜を蒸着するために使用するプラズマ励起装置について記載している。本装置は、マイクロ波を放出する一端を有するマイクロ波アンテナと、前記アンテナ端の領域内に配置されて、その中でプラズマを生成できる電子サイクロトロン共鳴領域を画定する磁石と、膜用前駆ガスまたはプラズマガス用の排気口を有するガス進入要素とを備えている。前記排気口が、前記マイクロ波アンテナから見て、前記磁石の先に位置する膜蒸着区域に向けてガスを方向付けるように配置されている。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板（１４）上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板（１４）を容器内に配置し、膜用前駆ガスを各管（２０）を通じて容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から各管（２２）を通じて抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴（DECR）により容器内のガスに所定の周波数と出力レベルの連続したパルスとしてマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく材料の蒸着中にパルスの周波数および／または出力レベルを変える。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板を容器内に配置し、前駆ガスを容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴（DECR）により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。前記蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく膜用前駆ガスの前記流動速度を材料の蒸着中に変える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構造でありながら、基板面内、面間の処理を均一化する。
【解決手段】複数の被処理基板をプラズマ処理する半導体製造装置であって、排気可能に構成された処理容器と、前記処理容器内に挿入される前記複数の被処理基板を多段に保持する基板保持具と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、前記処理容器に連通するプラズマを発生する前記プラズマ発生室と、前記プラズマ発生室から前記処理容器内の前記基板保持具に保持される被処理基板間に電子を照射するための電子供給装置と、前記処理容器内で前記基板保持具を回転させる回転装置とを備える。 （もっと読む）

本発明は、内部導体（２）と外部導体（３）を備えた同軸型マイクロ波供給部（１）から構成され、アンテナ（７）としての一端を備えた内部導体（２）が、プラズマ室（６）に対する壁面内の開口部を閉鎖する真空フランジ（５）を絶縁された形で貫通するＥＣＲプラズマ源に関する。多極磁石機器（８）が、マイクロ波供給部（１）と同軸に配備されており、その磁場が、真空フランジ（５）を貫通して、プラズマ室（６）内にアンテナ（７）と同軸にリングギャップ状磁場（１２）を形成している。アンテナ（７）が、プラズマ室（６）内に直に突き出るとともに、内部導体（２）に向かって半径方向に拡大して行くアンテナヘッド（１４）を有し、そのアンテナヘッドには、真空フランジ（５）に対して平行な下側（１５）が配設されており、真空フランジ（５）とその下側（１５）の間にリング状の隙間（１６）が形成されるとともに、プラズマ室（６）が、アンテナ（７）と同軸に、かつ半径方向に対してリングギャップ状磁場（１２）の外側において、シールド（１３）によって境界を画定されており、そのシールドの真空フランジと反対の正面側が、プラズマ放射開口部（２５）を規定している。
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【課題】 コールドプラズマを用いた殺菌及びバリア層の堆積により短時間でプラスチックボトルを処理する方法を提供すること。
【解決手段】 非殺菌性ガスによるコールドプラズマ殺菌のための操作、及び／又は拡散バリアの堆積の操作を含むポリマーボトルを処理する方法において、コールドプラズマが調整可能な非熱エネルギーをボトルの全内面に放出し、このコールドプラズマは、ボトル表面の直近において最大強度を有する非パルス状マイクロ波のボトルの内面への分布された伝播により、又はパルス状ＤＣ又はラジオ波電圧が供給される、ボトルに適合された中空カソードシステムにより発生することを特徴とするプラスチックボトルを処理する方法。 （もっと読む）

【課題】被処理体に付着する異物数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室にガスを供給する手段と、処理室を減圧する排気手段と、プラズマ生成用高周波電源と、磁場を生成するためのコイルと、被処理体を載置するための載置電極とを有する半導体製造装置において、被処理体への所定の処理を行っている時のプラズマ分布に比べて、プラズマ着火時または所定の処理終了後の被処理体面内のプラズマ分布が凸型になるように、磁場分布を変更することにより、被処理体直上の処理ガスの温度勾配を発生させ、熱泳動力によって異物粒子を前記被処理体の外周方向に輸送した。 （もっと読む）

【課題】導波管内の異常放電を抑止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法の提供。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置は、分岐部分ＢＰを有する導波管３０、複数のスロットを有するスロットアンテナ、誘電体窓および処理室を有している。導波管３０の内部には、分岐前の導波管３０を閉塞する第１の誘電体４３および分岐後の導波管３０を閉塞する第２の誘電体４４が備えられ、第１および第２の誘電体４３、４４により仕切られた分岐部分ＢＰを含む空間には、絶縁性の高いＳＦ_６が充填されおり、上記空間の耐電圧を上げ、分岐部分ＢＰの隙間Ｓにて電流を流れにくくする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣ系材料を用いた層間絶縁膜に埋込配線を設ける際、層間絶縁膜の誘電率をより低く抑えながらも、層間絶縁膜表面のウォーターマークの発生を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも最上層がＳｉＯＣ系材料からなる層間絶縁膜３を成膜し、層間絶縁膜３に溝パターン３ａを形成する。溝パターン３ａ内が埋め込まれるように層間絶縁膜３上に導電性材料膜７を成膜し、導電性材料膜７を表面側から研磨除去することにより溝パターン３ａ内のみに導電性材料膜７を残した埋込配線７ａを形成する。埋込配線７ａを形成した後、層間絶縁膜３にアルキル基を導入するための熱処理を行うことにより層間絶縁膜３を構成するＳｉＯＣ系材料を低誘電率化する。 （もっと読む）

本発明は、処理したい内表面を１つの方法ステップで、機能化するプラズマ（４）に曝し、かつ／または１つの別の方法ステップで、コーティングするプラズマ（７）に曝す、容器または対象物における表面処理する方法および装置を提案する。有利には、機能化するプラズマ（４）およびコーティングするプラズマ（７）を、容器または対象物（１）の内または外に配置されているプラズマ源（２）により発生させる。
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【課題】 低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とをプラズマＣＶＤ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
従来のＥＣＲプラズマ成膜装置における、成膜原材料として用いる炭化水素に起因する成膜室内における水素の発生およびそのＤＬＣ膜への混入を排除し、ＥＣＲプラズマ成膜法によるＤＬＣ膜の膜質を改善する。
【解決手段】
気化器２１内のフラーレンを気化ヒータ２２により加熱・気化し、導入路２３および導入路バルブ２４を経由してキャビティ２に導入し、気化カーボンと電磁コイル６で発生する磁界およびマイクロ波Ｍによりカーボンイオンおよび電離電子のみの純度の高いＥＣＲプラズマ７を発生させる。ＥＣＲプラズマ７中のカーボンイオンを基板９Ｎに向けて加速し、基板９Ｎの表面に堆積させＤＬＣ膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ単結晶膜等被膜の成膜時温度を低下し、腐食性ガスを用いないでＧａＮ単結晶膜等被膜を成膜する。
【解決手段】 大気圧以下の減圧状態に維持できる反応容器１０と、排気手段４０と、基板ホルダ７０と、基板加熱手段と、反応容器１０との間でガス拡散が可能なように反応容器１０に接続された第１プラズマ室２０および第２プラズマ室３０と、各プラズマ室に原料ガスを供給するガス供給手段と、を有し、各プラズマ室で生成された各プラズマが基板８０の表面を暴露しない距離にプラズマ室２０，３０を基板ホルダ７０から離間して配置し、基板８０の表面に形成する被膜の原料となる第１原料ガスおよび第２原料ガスの各々を第１プラズマ室２０および第２プラズマ室３０で生成した各プラズマＰ１，Ｐ２によって活性化する。 （もっと読む）

本発明は、容器（２）の内壁にバリヤ材料からなる薄膜をプラズマ蒸着する装置（１）に関する。この装置（１）は、電磁波発生器（３）と、電磁波発生器（３）に接続され、導電性材料で作られているキャビティ（５）と、キャビティ（５）内に配置され、電磁波発生器（３）からの電磁波を透過させる材料で作られているチャンバ（６）と、を有している。この装置（１）は、チャンバ（６）の冷却手段（１４、１５；１６）を備えていることを特徴としている。
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プラズマ除害デバイスは、デバイスによって処理されるべきガスを受け入れるためのガス入口と、ガス出口と、を有するガスチャンバを含み、ガスチャンバの内面の少なくとも一部が、ハロゲン化合物および水蒸気を含有するガスの処理中腐食に抵抗する導電性材料で形成され、あるいはコーティングされる。 （もっと読む）