【課題】層間接着性に優れるとともに、燃料や冷媒等に対する低透過性にも優れた燃料・冷媒用低透過部材およびその製法を提供する。
【解決手段】ポリフェニレンサルファイドおよびフッ素系樹脂の少なくとも一方からなる内層１の外側面に、無機系酸化膜を備えた中間層２が形成され、その外側に、高アミノ価のポリアミド系樹脂または下記の（Ａ）〜（Ｄ）を必須成分とするゴム組成物からなる外層３が形成されてなる燃料・冷媒用低透過部材であって、上記内層１の外側面がプラズマ処理により改質され、その改質面上に、化学的蒸着法（ＣＶＤ）または物理的蒸着法（ＰＶＤ）により、上記無機系酸化膜が成膜されている。
（Ａ）エチレン−プロピレン−ジエン三元共重合体およびエチレン−プロピレン共重合体の少なくとも一方。
（Ｂ）過酸化物加硫剤。
（Ｃ）レゾルシノール系化合物。
（Ｄ）メラミン樹脂。 （もっと読む）

【課題】膜の移動度を高め高周波電力をサセプタに印加する際、誘導磁場の発生をキャンセルする。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、処理容器内に設けられ、基板Ｇを載置するサセプタ１０５と、サセプタ１０５の同一円周上に設けられた３つの位置Ｐ１〜Ｐ３にてサセプタに接触する３本の給電線Ｂ１〜Ｂ３と、３本の給電線Ｂ１〜Ｂ３に接続され、３本の給電線Ｂ１〜Ｂ３を介して３以上の位置Ｐ１〜Ｐ３からサセプタ１０５に高周波電力を供給する高周波電源１３０とを含む。サセプタ１０５の同一円周上の３つの位置Ｐにてサセプタ１０５に３本の給電線Ｂ１〜Ｂ３を接触させる。３本の給電線Ｂ１〜Ｂ３に高周波電源１３０を接続し、高周波電源１３０から出力された高周波電力を３本の給電線Ｂを介して３つの位置Ｐ１〜Ｐ３からサセプタ１０５に供給する。 （もっと読む）

【課題】内外圧差によって容易に変形が生じてしまう非耐圧性プラスチック容器であって、内面の実質上全体にわたってマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって成膜された蒸着膜を有する容器を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入チャンバー内にプラスチック容器を配置し、該プラスチック容器内に反応ガスを導入しながら該チャンバー内にマイクロ波を導入することにより、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって容器内面に蒸着膜が形成されている非耐圧性プラスチック容器。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、大面積・高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】複数個から構成されるダイヤモンド単結晶基板のうち１つを除く基板１の主たる面の面方位は、｛１００｝面からのずれが１度未満であり、残る１つの基板２の主たる面の面方位は、｛１００｝面からのずれが１度以上８度以下であり、ダイヤモンド単結晶基板を並べて配置する際にこの１つの基板２を最も外周部に配置し、かつ、この１つの基板２の主たる面における＜１００＞方向が、配置基板の外周方向を向く方向に配置し、しかる後に気相合成法によりダイヤモンド単結晶７，８を成長させ、この１つの基板２から成長したダイヤモンド単結晶８が、他の基板１上に成長したダイヤモンド単結晶７上に覆い被さって全面一体化したダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、高いＨ_２パッシベーション効果を得る。
【解決手段】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、基板の受光面側に、膜質を異にする窒化シリコン膜を表面波プラズマを用いて積層して、多層の反射防止膜とするものである。積層する窒化シリコン膜の内で、基板側の第１の層をＳｉ−Ｈ基が高い膜質とし、外側の第２の層を膜密度が高い膜質とする。第１の層の窒化シリコン膜のＳｉ−Ｈ基の含有の程度を高めることによってＨ_２が窒化シリコン膜から脱離し難くし、また、第２の層の窒化シリコン膜の膜密度を高くすることによってＨ_２の外部への放出を防ぐＣＡＰ効果を高めることによって、窒化シリコン膜の反射防止膜のＨ_２パッシベーションを高める。 （もっと読む）

【課題】最表面の硬度が高く耐磨耗性に優れると共に、反射率が低い反射防止膜、及び透光部材、並びに反射防止膜の形成方法を提供する。
【解決手段】反射防止膜は、可視光が透過可能な部材の表面に形成された反射防止膜であって、反射防止膜の最表面を構成する膜が、Ｈを添加したＤＬＣであるＨ−ＤＬＣ膜である。反射防止膜の形成方法は、可視光が透過する部材の表面に反射防止膜を形成する反射防止膜の形成方法であって、反射防止膜の最表面を構成する膜として、Ｈを添加したＤＬＣであるＨ−ＤＬＣ膜を形成する最表面形成工程を有し、当該最表面形成工程において、Ｈ−ＤＬＣ膜を、ＥＣＲプラズマ励起方式を用いたＥＣＲプラズマＣＶＤによって形成する。 （もっと読む）

この方法は、少なくとも一つの部品（１）が、個々のソース（２）の少なくとも一つの固定された線形行に関する少なくとも一つの回転運動を受けることよりなり、前記線形行または個々のソース（２）の行は、前記回転軸または前記部品の軸に平行となるように配置されている。
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【課題】核生成速度が速く、粒子密度が高いダイヤモンド膜を得ることができる導電性ダイヤモンド膜が形成された基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に対する前処理として、銅、アルミニウム、ガラスのいずれかからなる基板上に、ダイヤモンドナノ粒子の含有量が、ダイヤモンドナノ粒子分散溶液全体に対して０．００１〜０．１質量％であるダイヤモンドナノ粒子分散溶液を塗布した後、基板温度を２５０℃以上として、化学気相成長法により、前記基板上に導電性ダイヤモンド膜を合成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の表面にアルミナ系の絶縁膜を比較的に短時間で形成可能な技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板に絶縁膜を形成する方法は、半導体基板を真空チャンバ内に載置する第１工程と、前記真空チャンバ内に窒素と酸素とアルミニウムアルコキシドを供給する第２工程と、前記真空チャンバ内に供給した窒素と酸素とアルミニウムアルコキシドの混合気をプラズマ化する第３工程を備えている。この方法によると、半導体基板の表面に、酸窒化アルミニウム膜を比較的に短時間で形成することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、自己バイアス電圧を制御する。
【解決手段】マイクロ波の電界と磁界とによってプラズマを生成し、プラズマによるプラズマポテンシャルによって基板に正イオンを入射させるプラズマ処理において、プラズマ内において基板を電気的にフローティングした状態で支持する基板支持機構を通して基板からアースに向かってリーク電流を流し、このリーク電流による電圧降下によってプラズマポテンシャルで生じる基板の自己バイアス電圧を抑制する。電圧降下による自己バイアス電圧の制御は、基板支持機構とアースとの間に抵抗を設定することで行う。抵抗の設定は、基板の自己バイアス電圧を検出し、得られた電圧値をフィードバックして自己バイアス電圧が所定値となるように抵抗の大きさを増減させる。 （もっと読む）

【課題】基板の成膜面を略鉛直下向きに保持して成膜を行う装置において、基板の昇降動作の信頼性を向上させる。
【解決手段】 基板Ｓを固定した基板アダプタ２の一部を把持し昇降するクランプブロック３１の昇降部の内壁３５ａを単一の部材によって構成する。その結果、昇降部の内壁３５ａに構成部材の接合による段差が生じなくなり、昇降部の内壁３５ａとクランプブロック３１の隙間を小さくしても、クランプブロック３１やクランプブロックに把持された基板アダプタ２の一部が引っかかることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】保護層の機能を維持しつつ、反射損失と再結合損失を同時に低減して発電効率を高めた光起電力素子を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成され、受光面に保護膜兼反射防止膜として窒化珪素膜を備えた光電変換素子において、
窒化珪素膜の半導体基板との界面領域において、それ以外の部位よりも、Ｓｉ−Ｈ_２／Ｓｉ−Ｈの結合比を増加させ、かつ、水素またはハロゲンの含有量を減少またはＳｉ含有量／Ｎ含有量の比率を増加させたことにより、上記界面領域における屈折率をそれ以外の部位と同等に維持した。 （もっと読む）

【課題】 従来無電極放電装置で用いられていた誘電体窓は、装置内部を減圧した状態で破損を引き起こした場合、誘電体窓の損失のみならず、処理装置全体に悪影響が及んでいた。本発明はかかる問題を解決し、誘電体窓が破壊されても処理装置全体に及ぼす影響を低減することが可能な誘電体窓を提供する。
【解決手段】 前記誘電体窓１０９は、２つ以上の誘電体板１１０、１１１と、各誘電体板の間に挟み込まれた樹脂層１１２とを張り合わせ、積層された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】大面積において均一な高密度プラズマを励起し、原料ガス供給の均一化および反応副生成物ガスの高速除去ができるプラズマ装置を提供する。
【解決手段】４４０６は真空容器、４４０７は電極Ｉ、４４０８は基体、４４１０はシャワープレート、４４１１は電極ＩＩ、４４１２はガス導入口、４４１３は磁場の印加ロ手段、４４１４は真空ポンプ。磁場の印加手段４４１３として、複数の永久磁石を環状に並べたダイポールリングマグネットが用いられている。ガス導入口４４１２から導入されたガスは、シャワープレート４４１０の多数の小孔からプロセス空間に放出される。この導入ガス、及び基体表面から放出された反応生成ガスは、基体側部の磁場の印加手段４４１３ａ及び４４１３ｂに挟まれた空間を通り、複数の真空ポンプ４４１４から外部へ排気される。真空ポンプ４４１４の上部には、ガスのコンダクタンスを低下させないよう比較的広い空間が設けてある。 （もっと読む）

【課題】ガラス管などの管状体の内壁に膜を形成するための成膜装置および成膜方法を提供することにある。
【解決手段】本発明にかかる成膜装置１０００は、化学的気相成長法によって管状体１００の内壁に膜を形成する成膜装置であって、原料収容部１０と、前記原料収容部１０から供給された原料を含む処理ガスを形成する処理ガス生成部２０と、前記管状体１００の内壁に膜を形成する成膜部３０と、前記管状体１００と接続され、前記処理ガス生成部２０から前記管状体１００内に処理ガスを供給する処理ガス供給管４６と、前記管状体１００と接続され、前記管状体１００を通過した処理ガスを排出する処理ガス排出管４８と、を含み、前記成膜部３０は、前記管状体１００を保持する保持部３２を有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマ処理装置において、プラズマ励起のためのガス導入経路での放電を防止する。
【解決手段】被処理基板を処理するプラズマ処理装置において、プラズマを励起するための空間と、プラズマを励起するためのプラズマガス導入経路を多孔質媒体、たとえば多孔質セラミック材料で分離することにより、前記プラズマガス導入経路でのプラズマの励起を防止して、所望のプラズマ励起空間において高密度かつ均一なプラズマを励起させることが可能とする。 （もっと読む）

【課題】ラジアルラインスロットアンテナを使ったマイクロ波プラズマ処理装置において、アンテナ中の遅波板とマイクロ波放射面を構成するスロット板との間の密着性を向上させ、異常放電を防止する。
【解決手段】スロット板１６を、遅波板１８と熱膨張率が近い材料により形成する。あるいはスロット板１６を、遅波板１８を構成する誘電体板上に、金属を付着させることにより形成する。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる積層膜形成システム、そのような積層膜形成システムで使用されるスパッタ装置、および、上記の積層膜形成システムで実行される積層膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にスパッタ法によって磁性膜を形成するスパッタ装置と、この磁性膜の表面にカーボン保護膜を形成するＣＶＤ装置とを有し、基板上に磁性膜とカーボン保護膜とからなる積層膜を形成する積層膜形成システムにおいて、スパッタ装置が、磁性膜の形成に際して基板保持具２２０と磁性物質ターゲット２３０との間に位置し、基板保持具２２０において基板Ｐを囲む枠２２１のうち、この基板保持具２２０が立てられるときに基板Ｐの上に位置する部分を除いた部分に限って、磁性物質ターゲット２３０からの磁性物質を遮るシールド２４０を備えた。 （もっと読む）

体積の大きな構成部品にプラズマ支援によるコーティングおよび表面処理を施す装置および方法を提示する。本装置には、１つまたは複数のポンプを有する真空チャンバ（３、２０、３２）、第１の高周波発生器（５、１７、２８、４０）を有する第１の発振回路、前記第１の発振回路の調整可能なキャパシタンスおよび調整可能なインダクタンス、前記第１の発振回路内へ前記構成部品（１、２１、３１、３９）を組み込むための第１の端子、第２の高周波発生器（１８、２９、４０）を有する少なくとも１つの第２の発振回路、前記第２の発振回路内へ前記構成部品（１、２１、３１、３９）を組み込むための第２の端子、および、前記第２の発振回路の調整可能なキャパシタンスおよび調整可能なインダクタンスが装備されている。本方法では、前記第１および第２の発振回路のインダクタンスおよび／またはキャパシタンスが、前記構成部品（１、２１、３１、３９）に合わせて調節される。
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本発明は、第１の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第１の表面の上のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層とを有するダイヤモンド材料において、前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料に関する。
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