【課題】 ライン状に発生したプラズマのプラズマ密度の均一性を改善し、高均一なプラズマ処理が出来るプラズマ発生装置を提供すること。
【解決手段】 ライン状に発生させたプラズマの拡散領域にプラズマ密度の均一性を調整する容器１７が設けられる。容器１７はライン状プラズマの長さ方向に設けられており、長さ方向のプラズマ濃度を調整する第１の調整機構２１、幅方向のプラズマ濃度を調整する第２の調整機構２２、微調整のための第３の調整機構２３を有している。第１の調整機構２１はライン状プラズマの長さ方向の複数位置において幅が異なる開口を持ち、第２の調整機構はライン状プラズマの長さ方向に渡り均一な幅の開口を有している。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上に基板の上方の処理領域の周囲にマイクロ波により前記基板の径方向に概略平行な電界を形成し、更にガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に用いる誘電体窓の温度を制御して良好なプラズマ処理特性を実現するとともに、装置全体を効率よく温度制御しながら、安全に作業することができる温度調節機構および温度調節機構を用いるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、誘電体窓３を冷却する冷却流路２１と、外部機構１０を冷却する外部冷却流路２７を備える。チラー２０は、外部機構１０を冷却する熱媒体の温度に設定しておく。熱媒体はチラー２０から往路２７ａへ供給され、外部冷却流路２７を介して外部機構１０の熱を奪い、復路２７ｂを通りチラー２０に戻される。同時に熱媒体はチラー２０から往路２１ａへ供給され、ヒータ２５で所定の温度に加熱され、冷却流路２１を介して誘電体窓３の熱を奪い、復路２１ｂを通りチラー２０に戻される。復路２１ｂと往路２１ａの間、復路２７ｂと往路２１ａの間に、熱交換器２６ａ、２６ｂを備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】切削工具等のコーティング材料として必要な硬度を有するアモルファス炭化ケイ素（ａ−ＳｉＣ_ｘ：Ｈ）膜を、簡単な工程で効率良く低コストで形成する方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によりケイ素化合物を含む原料ガスを用いて基板上にアモルファス炭化ケイ素膜を形成する際に、基板に負の高周波バイアス電圧（−Ｖ_ＲＦ）を連続的に印加する。マイクロ波の出力は５０−１２０Ｗで、負の高周波バイアス電圧（−Ｖ_ＲＦ）は６０Ｖ＜−Ｖ_ＲＦ＜１２０Ｖとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐熱性と熱伝導性に加えて、電気的絶縁性も具えることによって、室温付近（絶対温度〜３００Ｋ）のみならず、２００〜７００Ｋの広い温度範囲で、電子デバイスを絶縁保護しながら機能させるための熱伝導性プレート部品を提供する。
【解決手段】人工ダイヤモンド層２と結晶珪素を含む基材３とが積層された積層構造を有してなる熱伝導性プレート部品１。また、前記人工ダイヤモンド層２及び基材３の厚さｔ１，ｔ２が夫々２０μｍ以上であって、かつプレートの反りが１０μｍ/ｍｍ以下である熱伝導性プレート部品１。 （もっと読む）

【課題】どのようなプロセス条件に対しても均一で、かつ再現性がよいプラズマを発生させることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の導波管５は外側導体５ａと内側導体５ｂからなる軸管の部分と、軸管の上部にある矩形導波部５ｃとを備える。ねじ送り機構２０は、矩形導波部５ｃ上に内側導体５ｂを囲うように等間隔に４つ設けられ、平面上のどの方向にも内側導体５ｂを移動させることができる。ねじ送り機構２０は、押さえ板２１、固定ネジ２２、調整ネジ２３、ストッパ２４を備える。直接に内側導体５ｂを押さえ板２１で支持することができ、押さえ板２１に備えた固定ネジ２２を締めることで、内側導体５ｂの位置を固定する。調整ネジ２３により、内側導体５ｂを、外側導体５ａに触れない範囲内で移動させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】アンテナと誘電体窓の密着性を向上させ、異常放電を防止し、かつ、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１でのプラズマ処理時と同じ圧力条件下で、チャンバ２の内部に向けて凸状の撓みを発生させる。誘電体窓３の撓みを維持させながら、チャンバ２の外側に向かう面を平坦に研磨する。そのため、プラズマ処理時に、誘電体窓３の撓みが発生した場合であっても、アンテナ４に接する面は平坦とすることができ、誘電体窓３とアンテナ４の密着性を向上させることができ、異常放電を防止することができる。また、アンテナ４と冷却ジャケット７の密着性を保つことで冷却効率を維持し、温度影響が少なく、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体用途に利用できる高品質な単結晶ダイヤモンドを提供し、かかるダイヤモンド単結晶基板を、従来よりも短時間で作製しかつコストを低廉化させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板であって窒素原子含有量の異なる少なくとも二以上の層から形成されており、窒素原子を含有した第一層と、該第一層に比較して窒素原子の含有量が低い第二層とを有し、これらの層が気相合成法によって形成されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板である。好ましくは前記第一層における窒素含有量が２０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であり、前記第二層の窒素含有量が５ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ未満であるダイヤモンド単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】ステージに対する電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して、基板Ｇを処理するプラズマ処理装置１において、温度調節機構２０，２１を備えたステージ本体１３と、ステージ本体１３の上面に配置された回転部材３１と、回転部材３１を介してステージ本体１３の上面と一定間隔に保持するように配置された、基板Ｇを載置する均熱板１４と、均熱板１４を回転させる回転機構３６とを備える。ステージ本体１３の上方において均熱板１４のみが回転し、基板Ｇに対する均一なプラズマ処理が行われる。固定されたステージ本体１３に対して、電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】水分を十分に除去した状態で成膜を行うことが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置１００は、クライオポンプ６３を含む第１排気手段６０と、ＭＢＰまたはＴＭＰを含む第２排気手段７０と、第１排気手段６０と第２排気手段７０とを切換えるバルブ切換部８２とを備えている。当該装置は、第１排気手段６０による水分除去が終わった後で、バルブ切換部８２によって第１排気手段６０から第２排気手段７０に切換えることにより、十分な水分除去と、成膜時におけるガスの排気とを両立させている。 （もっと読む）

【課題】
チャンバー部品を介してプロセス流体を処理システムに導入する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】
チャンバー部品はチャンバー素子を有し、チャンバー素子は、その供給側の第１表面と、その処理側の第２表面とを有する。処理側は供給側の反対側である。さらに、チャンバー部品は、供給側から処理側までチャンバー素子を貫通して延在する流路を有し、この流路は、プロセス流体を受け入れるように構成された流入口と、このプロセス流体を分配するように構成された流出口とを有する。 （もっと読む）

【課題】多分岐部分にて特性インピーダンスを調整するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波によりガスを励起させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置は、処理容器と、マイクロ波源９００と、マイクロ波を伝送する伝送線路９００ａと、処理容器の内壁に設けられ、マイクロ波を処理容器内に放出する複数の誘電体板３０５と、複数の誘電体板３０５に隣接し、マイクロ波を複数の誘電体板３０５に伝送する複数の第１の同軸管６１０と、伝送線路９００ａを伝送したマイクロ波を複数の第１の同軸管６１０に分配して伝送する１段又は２段以上の同軸管分配器７００とを有する。同軸管分配器７００は、入力部Ｉｎを有する第２の同軸管６２０と第２の同軸管６２０に概ね垂直に連結された３本以上の第３の同軸管６３０とを含み、各第３の同軸管６３０は、インピーダンス変換機構を有する。 （もっと読む）

【課題】主ガス流路と複数の枝ガス流路とのガスコンダクタンスの比を大きくしても、均一な処理が行えなえるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器１００と、所望のガスを供給するガス供給源９０５と、ガス供給源９０５から供給されたガスを分流させる主ガス流路３３０と、主ガス流路３３０の下流側に接続される複数の枝ガス流路（螺子３２５）と、複数の枝ガス流路（螺子３２５）に設けられ、枝ガス流路を狭める複数の絞り部（細管３３５）と、複数の枝ガス流路（螺子３２５）に設けられた複数の絞り部（細管３３５）を通過したガスを処理容器１００の内部に放出する、枝ガス流路あたり１または２以上のガス放出穴３４５とを有する。 （もっと読む）

【課題】気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶種基板からの気相成長により得られたダイヤモンド単結晶基板であって、励起光の集光スポット径が２μｍの顕微ラマン分光法で、種基板層と気相成長層の界面に顕微焦点を設定して測定したダイヤモンド固有ラマンシフトが、界面の、０％より大きく２５％以下の領域（領域Ｃ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−１．０ｃｍ^−１以上−０．２ｃｍ^−１未満のシフト量であり、界面の領域Ｃ以外の領域（領域Ｄ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−０．２ｃｍ^−１以上＋０．２ｃｍ^−１以下のシフト量である。 （もっと読む）

【課題】ＳＰ２結合とＳＰ３結合との比率を制御することが可能であり、構造が異なる炭素質膜の形成が容易な成膜装置を実現できるようにする。
【解決手段】成膜装置は、成膜室１１と、成膜室１１内に設けられた第１の電極２１と第２の電極２２とを有するプラズマ発生部と、成膜室１１の中に設けられ、成膜室１１内を運動する中性粒子が感ずる電子エネルギー分布関数を変化させるエネルギー分布関数可変部とを備えている。エネルギー分布関数可変部は、第１の電極２１と第２の電極２２との間に配置され、グリッド電極２３と、成膜室１１内においてグリッド電極２３を移動させる移動機構３０とを有している。 （もっと読む）

【課題】 高密度のプラズマを安定的に供給可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 内部を減圧可能な真空容器１０と、真空容器１０に設けられた誘電体２０とを備え、誘電体２０を介して真空容器１０内に電磁波を導入することによりプラズマを生成するプラズマ発生装置１であって、誘電体２０は、環状に形成され、真空容器１０の内壁に埋設される外周側の埋設部２０ａと、真空容器１０内に露出する内周側の露出部２０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】搬送アーム表面の異物を除去する手段を有する基板処理装置であって、装置構成を簡素化すると共に異物除去によって装置のスループットが低下しない基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１１は、半導体ウェハＷに処理を施す少なくとも１つの処理室２１と、処理室２１に隣接する搬送室１４と、搬送室１４の内部を減圧する真空ポンプ１６と、搬送室１４および処理室２１の間で半導体ウェハＷを搬送する搬送装置１５と、搬送装置１５に付着した異物を、搬送室１４内で除去する異物除去手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】配管等に十分な長さを有する環状部材や複雑な内部形状を有する部材の内面だけに成膜処理を行うことのできるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びこの方法で処理された被処理体を提供することを課題とする。
【解決手段】
電磁波を発生する電磁波発生源と、前記電磁波をプラズマ点火領域に誘導する電磁波誘導部と、前記プラズマ点火領域に誘導される電磁波により、内部空間内で電磁波励起プラズマが点火される誘電体製の真空容器と、前記真空容器に真空的に接続される内部空間を有する被処理体と、前記被処理体の内面にシースを形成するための所定電圧を前記被処理体に印加する電圧印加手段とを含み、前記被処理体の内面に形成されるシースによって前記被処理体の内部に誘導される電磁波励起プラズマを用いて前記被処理体の内面を処理する。 （もっと読む）

【課題】高密度で、かつ、均一なプラズマを生成してプラズマ処理することができるアンテナアレイ、および、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、反応ガスが供給される成膜容器１２と、成膜容器１２内に配設された、基板４２が載置される基板ステージ３２と、導電体のアンテナ本体が誘電体で被覆された棒状の複数のアンテナ素子２６を平行に配列して構成されたアンテナアレイ２８とを備えている。隣接する２本のアンテナ素子２６同士が接触しない間隔であり、かつ、アンテナ本体の半径ａと隣接する２本のアンテナ素子２６の中心間の間隔ｒとの比率ｒ／ａ≦１１．６である。 （もっと読む）