【課題】プラズマ生成室に連通した成膜室で形成される膜の重金属汚染を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＲプラズマを生成するプラズマ生成室１と、このプラズマ生成室１にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段２と、プラズマ生成室１に連通した成膜室３とを備えたプラズマ処理装置において、プラズマ生成室１に対するマイクロ波供給手段２の接続部に、たとえばそのマイクロ波整流板１９に、プラズマ生成室１との連通開口たる角穴１９ａに臨んだ金属内壁を覆う耐プラズマ性の保護部材２１を設ける。これによりプラズマ生成室１外まで広がるプラズマによって金属内壁がスパッタされるのを抑止することができ、成膜室３への金属元素の飛来、それによる膜汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】新規な窒化チタンコーティングなどの窒化物コーティング法を提供する。
【解決手段】コーティングする基材を金属チタン粉末などの窒化物形成能を有する物質の粉末中に埋め込み、マイクロ波を照射して交番電界中に曝すことにより、該金属チタン粉末などの窒化物形成能を有する物質の粉末を固相の状態で大気中の窒素成分と反応させ窒化させると同時に、基材表面に生成した窒化チタンなどの窒化物をコーティングすることができる。大気にはチタンなどの自己燃焼反応を起こさない範囲で窒素を富化してもよい。 （もっと読む）

【課題】現在、一般的に検討されているＳｉＣやＳｉＣＮは比誘電率が４．５から５程度、ＳｉＯＣは２．８から３．０程度である。デバイスの縮小化により、配線サイズと配線間隔の微細化が更に進むと、比誘電率の更なる低減が求められている。また、ＳｉＯＣとＳｉＣＮ及び、ＳｉＣとのエッチング選択比がちいさいために、エッチングストッパ膜として、ＳｉＣＮ及びＳｉＣを用いた場合、金属配線層の表面が、フォトレジストを除去する際に酸化し、接続抵抗が高くなるという問題がある。
【解決手段】少なくともＣ／Ｓｉ比が５以上で、且つ、分子量が１００以上の有機シランを原料として形成された、ＳｉＯＣＨ、ＳｉＣＮＨ及び、ＳｉＣＨからなる有機絶縁膜、及び、該有機絶縁膜を用いた半導体装置、特に、溝構造を有する半導体装置に関するものである。 （もっと読む）

【課題】 酸化亜鉛（ZnO）を主成分とする酸化物を半導体薄膜層(活性層)として有する薄膜トランジスタにおいて、製造工程を大幅に低温化するとともに、半導体薄膜層と、該半導体薄膜層上に形成した界面制御型ゲート絶縁膜との界面の清浄化を達成することによって、プラスティック基板上に形成した液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス素子（OLED）への応用を可能とした高性能薄膜トランジスタの製法の提供。
【解決手段】 酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物からなる半導体薄膜と、シリコン系絶縁膜からなり該半導体薄膜に接するゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタの製法において、前記半導体薄膜の形成と前記ゲート絶縁膜の形成が真空中にて連続した工程で行われ、前記ゲート絶縁膜が、誘導結合方式プラズマ化学気相成長（ICP−CVD）法又は電子サイクロトロン共鳴化学気相成長（ECR−CVD）法により形成され、全製造工程が200℃以下の温度条件下にて行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。 （もっと読む）

例えば加工面に材料を蒸着させるため、加工面用のプラズマを発生させるための装置を提供する。本装置は、イオン化ガスを収容する収容部と、マイクロ波を第１端から第２端まで移動させ、当該第２端からガス内にマイクロ波を放射できるように各々が構成された複数のプラズマ励起デバイスと、ガス内に磁場を発生させるための手段とを含む。マイクロ波源が、励起デバイスの第１端にマイクロ波を供給する。使用の際に、マイクロ波の電界ベクトルの方向が磁力線と平行でない領域が前記ガス内に存在し、磁場の磁束密度をＢとし、マイクロ波の周波数をｆとしたときに、Ｂ＝πｍｆ／ｅの関係を実質的に満たし、ここで、ｍは電子の質量であり、ｅは電子の電荷である。
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プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップと、前記処理チャンバ内に第１の処理材料を導入するステップと、前記処理チャンバ内に第２の処理材料を導入するステップとを有する。さらに当該方法は、前記基板の表面での前記第１および第２の処理材料の間の還元反応を助長させるプラズマを発生させるため、前記第２の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに電磁力を結合するステップを有する。前記処理チャンバ内に、反応性ガスが導入され、該反応性ガスは、前記処理チャンバ内で汚染物質と化学的に反応して、処理チャンバ構成部材または前記基板のうちの少なくとも一つから、前記汚染物質を放出する。
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【課題】 大規模で高価な設備を必要とせずに、基板上に硬度が高く表面が平滑で均質な硬質窒化炭素膜を効率良く形成する方法を提供する。
【解決手段】 シアン化合物を含む原料ガスをプラズマ化することにより活性化し基板上に窒化炭素膜を形成する際に、基板にパルス周期が０．１〜１０００００秒の高周波パルスをｏｎ／ｏｆｆ比５０／５０〜８０／２０で印加することを特徴とする硬質窒化炭素膜の形成方法である。印加する高周波パルスのバイアス電圧は−５０〜−２００Vとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 緻密な膜を形成して、機械的強度を上げた窒化ホウ素膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 ガスノズル１１、１２により、成膜室２内にジボランガスとアンモニアガスを導入し、高周波アンテナ７により、成膜室内にプラズマ１０を発生させて、ジボランガスとアンモニアガスとを反応させ、更に、スパッタエッチング作用が発生可能な電力を下限とし、実質的な成膜がスパッタエッチング作用により停止されない電力を上限として、成膜室２内に配置された基板６に対して、低周波電源１５によりバイアス電力を印加して、基板６に窒化ホウ素膜の薄膜５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー波反射装置を具えたチャンバ装置の提供。
【解決手段】 エネルギー波反射装置を具えたチャンバ装置はエネルギー波発生装置とチャンバ曲線球面が組み合わされてなり、エネルギー波はマイクロ波或いは光とされてエネルギーを提供し、該チャンバ曲線球面は少なくとも一つのフレネル反射装置で組成された曲線球面であり、該エネルギー波を反射してそれをプラットフォームに投射し、該チャンバ曲線球面はフレネル反射装置と部分曲線球面で組成されるか、或いは全てフレネル反射装置で組成される。本発明のチャンバ装置は大幅に投射エリアのエネルギー密度、面積を増しエネルギーを均一化し、且つチャンバ内に多くの高エネルギーエリアを有し、設備空間、設備及び製造コストの節約を達成する。 （もっと読む）

【課題】窓を通してプロセスチャンバ内で電界を生成するアンテナ構成を提供する。
【解決手段】一般に、このアンテナ構成は、アンテナ軸の周りに配置された第１外側ループターンを備える外側ループ、アンテナ軸の周りに配置された第１内側ループターンを備える内側ループを備え、内側ループターンは、それぞれの方位角方向において第１外側ループターンよりもアンテナ軸により近く、このアンテナ構成は外側ループを内側ループに半径方向に電気的に接続する半径方向コネクタを備え、半径方向コネクタは窓から大きな距離をあけて配置される。
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【解決課題】プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法を提供する。
【解決手段】本方法はプラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供するステップを含んでおり、堆積バリアはプラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置されるように設計されており、プラズマがプラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を堆積バリアに付着させ、プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の温度分布の均一性を向上させることができる規則的微細構造を有するサセプターと、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のサセプターは、表面は同一形状に設計された凹部が規則的に配列した形状であり、且つ、前記凹部の形状が半球状であることを特徴とし、さらには前記規則的に配列した半球状の凹部が互いに連結していることを特徴とする。そしてこのサセプターは、基板２０１上に第一の材料からなる微粒子２０２を規則的に２次元配列させる工程と、基板２０１と微粒子２０２によって形成された空隙に第二の材料からなる物質２０３を充填し必要に応じ硬化させる工程と、前記微粒子２０２を除去する工程により形成したことを特徴とする。また、必要に応じて、第二の材料からなる物質２０３の表面に、第三の材料からなる膜２０５を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質の多層硬質炭素膜を被処理物体の表面に形成する。
【解決手段】被処理物体の表面に中間層を形成する第１工程と、炭化水素と水素とを真空槽に導入して中間層上にナノダイヤモンド層を形成する第２工程と、水素を真空槽に導入し、ナノダイヤモンド層をダイヤモンド層に成長させる第３工程と、ダイヤモンド層上にダイヤモンドライクカーボン層を形成する第４工程とを繰り返し実行する。 （もっと読む）

基板上の積層複合材料であって、前記積層複合材料の少なくとも１つの単一層が立方晶窒化ホウ素を含有し、かつ堆積を通じて製造されている。課題は、改善された接着強さを有するそのような積層複合材料を提案することである。前記課題は、立方晶窒化ホウ素が堆積の間に添加される酸素を含有することにより解決される。
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【課題】電子デバイスの製造において好適に使用可能な、より選択性の高い（プラズマエネルギーが比較的に低い）プラズマを与えることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置を、被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室と、該プラズマ処理のためのマイクロ波を案内するスロット電極と、該プラズマを着火させるためのプラズマ源とで構成する。 （もっと読む）

【課題】３％を越える高い比屈折率差Δにおいても吸収損失の小さくかつ屈折率制御性が高く緻密な高品質のＳｉＯＮ膜をコアとする、光導波路型の光素子が提供できるようにする。
【解決手段】基板１０１の表面を熱酸化することで膜厚１０μｍ程度の酸化シリコン膜を形成することで、基板１０１の上に下部クラッド層１０２が形成された状態とする。次に、下部クラッド層１０２の上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により膜厚３μｍのＳｉＯＮ膜を堆積する。ついで、堆積形成したＳｉＯＮ膜を公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより微細加工することで、下部クラッド層１０２の上にコア１０３が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】 磁気発生手段が小型であって安価になり低価格のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 永久磁石装置６が与える磁場の元で媒質ガスを励起してプラズマ化し、このプラズマを被処理体の表面処理に用いるプラズマ処理装置であって、永久磁石装置６は、一方の永久磁石１５を磁性体製の一方の磁石保持ケース１３に吸着収容した一方の磁気ユニット１１と、他方の永久磁石１５―１を磁性体製の他方の磁石保持ケース１３に吸着収容した他方の磁気ユニット１２とを有し、一方の磁石保持ケース１３と他方の磁石保持ケース１３とを、それぞれの合せ目１３ａにおいて磁気保持回路（磁気誘導回路）を構成するように磁気吸着させて枠体Ａを構成し、一方の永久磁石１５と他方の永久磁石１５―１との磁極間において磁界を発生することで磁場を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】サセプタへの堆積を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ＡｌＮなどの絶縁性セラミックスからなるサセプタ本体２２Ａには電極２２Ｂおよびヒータ２３が埋設されている。電極２２Ｂには高周波源２２Ｃより１３．５６ＭＨｚの高周波パワーが供給され、被処理基板に基板バイアスを形成する。本体２２Ａは平坦な表面を有し、さらに本体２２Ａ上には、石英ガラスカバー２２ａが装着されている。石英ガラスカバー２２ａは薄い外側領域２２ａ１と外側領域２２ａ１に囲まれ被処理基板を保持する厚い内側領域２２ａ２とよりなり、内側領域２２ａ１と外側領域２２ａ２との間には３〜１０ｍｍの段差ｄが形成されている。 （もっと読む）

ワークピース（４０、１２０、１４２）の表面をコーティングする装置（１０）であって、ワークピースを通る内部通路（４４、４６、４８）内に圧力勾配を形成するものであり、これにより内部通路内のコーティングが平滑さや硬度に関連する特徴などの意図する特徴を呈するものである。上記装置は協働するシステムを含んでおり、これにはプラズマ発生システム（１２）、操作可能なワークピース支持システム（３４、９０、１２２）、ワークピース内または周囲のイオン化を増加するイオン化励起システム（６６、１１６）、選択された電圧パターンをワークピースに印加するバイアスシステム（５２）および２房室システム（９６、９８）があり、２房室システムはプラズマ発生を第１の選択された圧力で起こさせかつ第２の選択された圧力で堆積を起こさせるものである。
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