【課題】本発明は、持続的に真空アーク放電を保持することができる真空アーク放電発生装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、真空中でアーク電源を介して接続される陰極と陽極との間にアーク放電を発生させ、前記陰極と前記陽極と前記アーク電源とが真空アークプラズマを介して主閉回路を形成する真空アーク放電発生装置において、装置内に副陽極を配置し、少なくとも前記陰極と前記副陽極と前記アーク電源とが真空アークプラズマを介した副閉回路を形成し、前記副閉回路に副陽極を介してアーク放電の状態を計測するモニター装置を配設することを特徴とする真空アーク放電発生装置である。 （もっと読む）

【課題】健全で均一な厚さを有すると共に、表面に微細な凹凸形状を備え、大幅な摩擦低減が可能なＤＬＣ膜と、このようなＤＬＣ膜を備えたＤＬＣコーティング部材、さらにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】望ましくはＨｖ１００〜８００の硬さを有し、中心線平均粗さＲａが０．０１μｍ未満の平滑面を備えた基材の表面上にＤＬＣ膜をコーティングしたのち、このＤＬＣ膜の表面に、好ましくはセラミックス材料から成る粒径１００μｍ以下の微細粒子を高速投射して衝突させ、その表面に中心線平均粗さＲａが０．０１〜０．２μｍの微細凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】チッピングなどの欠陥を生じることなく、高い耐磨耗性を示し、しかも切削抵抗が低いＤＬＣ被覆工具を提供する。
【解決手段】基材上に実質的に水素を含まないＤＬＣ膜を形成したＤＬＣ被覆工具において、上記ＤＬＣ膜が、波長６３２．８ｎｍのレーザを用いたラマン分光スペクトルにおいて、１０００〜１２００ｃｍ^−１の間にピークを有する特性バンドとしてＳバンドを持ち、ＤバンドとＧバンドの面積強度比Ｓｄ／Ｓｇが０．８以下であり、ＳバンドとＤバンドのピーク強度比Ｉｓ／Ｉｄ及び面積強度比Ｓｓ／Ｓｄがいずれも０．１５以上であると共に、上記ＤＬＣ膜表面における直径０．１μｍ以上の凸部の個数Ｎｐ（個／ｍｍ^２）と膜厚ｔ（ｍｍ）の比Ｎｐ／ｔを１．５×１０^８以下、直径０．１μｍ以上の凹部の個数Ｎｈとの膜厚ｔの比Ｎｈ／ｔを１．０×１０^８以下のものとする。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ又はＣｕなどの非鉄金属、これらの合金、有機材料、硬質粒子を含有する材料、プリント回路基板、鉄系材料と軟質金属との混合部材などを切削加工するに際して、チッピングなどの欠陥を生じることなく、高い耐磨耗性を示し、しかも切削抵抗が低いＤＬＣ被覆工具を提供する。
【解決手段】基材上に実質的に水素を含まないＤＬＣ膜を形成したＤＬＣ被覆工具において、上記ＤＬＣ膜の密度が３．０〜３．４ｇ／ｃｍ^３、ナノインデンテーション硬さが４０〜１００ＧＰａ以下、針先端曲率半径２μｍの触針式表面形状測定器による測定送り０．０１ｍｍの表面走査検出において、上記基材の成膜前の算術平均粗さに対するＤＬＣ膜面の算術平均粗さの絶対値変化量とＤＬＣ膜の膜厚との比ΔＲａ／ｔが０．０５以下、且つ異物粒子の付着や脱離に起因するＤＬＣ膜面の凸凹の占有面積率ｓと膜厚ｔとの比ｓ／ｔが０．０１（％／ｎｍ）以下のものとする。 （もっと読む）

【課題】従来の摺動部材に較べてさらに摩擦係数が低く、耐摩耗性に優れ、相手部材の摩耗量をも大幅に低減可能な低摩擦摺動部材を提供する。
【解決手段】基材上に、実質的に水素を含有しないＤＬＣ膜として、ｔａ−Ｃから成るＤＬＣ膜を形成し、このＤＬＣ膜を潤滑材の存在下において相手部材と相対的に摺動させるに際して、ＤＬＣ膜の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以下とすると共に、ＤＬＣ膜の表面における異物粒子の付着及び／又は脱離に起因する凹凸の射影面積率が０．４％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】高温耐久性を始めとする保護膜として要求される種々の特性、特に耐熱性や耐融着性、表面平滑性に優れたＤＬＣ膜と、このようなＤＬＣ膜を備えたＤＬＣコート金型を提供すること。
【解決手段】ＤＬＣ膜をｔａ−Ｃ、つまり、ｓｐ^３／（ｓｐ^２＋ｓｐ^３）構造比が０．５〜０．９、水素含有量が０〜５原子％、ナノインデンテーション硬さが４０〜１００ＧＰａ、密度が２．７〜３．４ｇ／ｃｍ^３であるＤＬＣから成るものとし、基材上に成膜された表面に対する針先端曲率半径２μmの触針式表面形状測定器による測定送り０．０１ｍｍの表面走査検出において、基材の成膜前における被成膜面の算術平均粗さＲａ（Ｓ）に対するＤＬＣ膜面の算術平均粗さＲａ（Ｄ）の絶対値変化量ΔＲａ（＝｜Ｒａ（Ｓ）−Ｒａ（Ｄ）｜）が０．７５ｎｍ以下、且つ当該ＤＬＣ膜面における高さ又は深さが２０ｎｍ以上の凹凸の数が単位走査距離及び単位膜厚あたり０．０１個／単位走査距離（ｍｍ）／単位膜厚（ｎｍ）以下のものとする。 （もっと読む）

【目的】平坦面や曲面で構成された形状だけでなく、中空状等、被加工物がどのような形状であっても、均一な膜形成を行え、プラズマ処理膜の品質向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【構成】プラズマ処理部Ａ１内には、孔又は溝を有したワークが配置され、プラズマ導入路Ａ２２からのプラズマＰ１は、孔又は溝の深さ方向がプラズマ直進方向ＤＰに対応するように導入される。ワーク物体の中空軸がプラズマＰ１の直進方向ＤＰの中心軸に略対応してワークＷ１が設置されている。ワークＷ１への上記プラズマＰ１の直進導入構成と、５ｅＶ以上の高イオンエネルギーを持つイオンを含んだ真空アークプラズマを使用して、孔又は溝の内面に均一な膜形成を高精度に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】所定の組成比の膜を成膜して高靱性、耐摩耗性と密着力向上とを両立させる。
【解決手段】Ｎ2 ガスの導入手段を有する真空槽１１と、Ｍ（Ｍは、Ｔi またはＣr ）用、Ａl 用のハース３１、３１と、ホローカソード形の電子銃２０、２０と、電子ビーム電源と、ワークＷ、Ｗ…用のバイアス電源と、質量分析計５０と、組成比制御系とを設ける。 （もっと読む）

【目的】一部に真空アークプラズマを用いて、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に単一膜、混合膜及び積層膜を成膜するプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びこれらを用いて処理された目的物を提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマであり、第１と第２プラズマ導入路２２、２３を介して共通輸送ダクト１０に導入される。このとき、第１及び第２プラズマ１６、１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。各プラズマ導入路のプラズマ導入角度は共通輸送ダクト１０の輸送方向に対して鋭角に設定されている。 （もっと読む）

【目的】例えばＤＬＣ膜とバッファ膜といった多層膜を、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に積層形成することのできるプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びそのプラズマ処理装置によって表面処理された被処理物の提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマである。各プラズマ発生に伴って生じるドロップレット２３を分離、除去して、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０を経由してプラズマ処理部１に誘導する。このとき、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。 （もっと読む）