【課題】 本発明は、処理する基板に与えるダメージを抑制し、高速な処理を可能とする大気圧プラズマ処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明において、コイル２に高周波電力を供給することで直接形成される磁場の向き（磁力線の向き）は、平板状絶縁体１ａ又は基板８の表面に対して略垂直な法線方向を向くため、反応容器１内に形成される誘導電場の向きは基板８の表面に対して、略平行な方向となる。このため、反応容器１内において、反応容器１内で微小な火花放電が発生した場合においても、火花放電の発生がアーク放電の発生などに直結して基板８にダメージを与えることが、抑制される。 （もっと読む）

【課題】高速原子層堆積装置及び使用方法
【解決手段】処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。前記ガス注入装置（１４０）は、前記第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを、前記処理チャンバ（１００）の第１の位置及び第２の位置から導入するように構成されており、前記第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスの少なくとも一方は、前記第１の位置と第２の位置とから、交互にかつ連続に導入される。 （もっと読む）

【課題】 不純物を抑制して膜質を向上させると共に、基板に対する密着性を向上させ、更には比誘電率、金属拡散防止機能及び機械的強度の特性について、高いレベルでバランスをとった窒化ホウ素膜を成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜室内において、ホウ素源ガスと窒素源ガスとのプラズマを発生させて、これらのガスを反応させて窒化ホウ素膜を成膜する方法において、原料ガスの流量に対して、不活性ガスを同じ流量以下で、又は同じ流量以上で、又は略同じ流量で供給する。 （もっと読む）

【課題】サセプタへの堆積を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ＡｌＮなどの絶縁性セラミックスからなるサセプタ本体２２Ａには電極２２Ｂおよびヒータ２３が埋設されている。電極２２Ｂには高周波源２２Ｃより１３．５６ＭＨｚの高周波パワーが供給され、被処理基板に基板バイアスを形成する。本体２２Ａは平坦な表面を有し、さらに本体２２Ａ上には、石英ガラスカバー２２ａが装着されている。石英ガラスカバー２２ａは薄い外側領域２２ａ１と外側領域２２ａ１に囲まれ被処理基板を保持する厚い内側領域２２ａ２とよりなり、内側領域２２ａ１と外側領域２２ａ２との間には３〜１０ｍｍの段差ｄが形成されている。 （もっと読む）

プロセスガスをプロセスチャンバに流し且つ流動性ガスをプロセスチャンバに流すことによって基板の上に膜が堆積される。プロセスガスは、シリコン含有ガスと酸素含有ガスを含んでいる。流動性ガスは、ヘリウム流と分子水素流を含み、分子水素流は、ヘリウムの流量の２０％未満の流量で供給される。プラズマは、１０^１１イオン/ｃｍ^３を超える密度でプロセスチャンバ内に形成される。プラズマにより基板の上に膜が堆積される。 （もっと読む）

プラズマ発生室（１０）及び室（１０）内に設置された高周波アンテナ（１）を備え、室（１０）内ガスにアンテナ（１）から高周波電力を印加して誘導結合プラズマを発生させるプラズマ発生装置。アンテナ（１）は、室（１０）外から室（１０）内へ延びる第１部分（１１）と、第１部分（１１）の室内側端部（１１ｅ）から電気的に並列に分岐し、終端（１２ｅ）が接地された室（１０）の内壁に直接的に接続された複数本の第２部分（１２）とからなる低インダクタンスアンテナである。アンテナ（１）の表面は電気絶縁性材科で被覆されている。アンテナに印加される高周波電力の周波数は４０ＭＨｚ〜数１００ＭＨｚ程度の高いものでもよく、異常放電、マッチング不良等の不都合を抑制して所望のプラズマを発生させることができる。膜形成のような処理を実施できるように構成することもできる。 （もっと読む）

外側支持面と、冷却要素と、支持面に隣接し、この支持面と冷却要素との間に位置されている加熱要素と、この加熱要素と冷却要素との間に位置され、第１の内側面と第２の内側面とにより形成される連絡空間とを有する、基板を支持するための基板ホルダ。連絡空間に流体が入れられると、前記加熱要素と冷却要素との間の熱伝導率は、増加される。

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半導体基板中の間隙の充填方法、及び蒸着速度均一度の改善方法を提供する。反応室内へ基板及び少なくとも１種の重水素化合物を含むガス混合物を供する。ガス混合物が反応し、層への蒸着及びエッチングが同時に行われて基板上へ所定材料から成る層が形成される。間隙内は所定材料層によって、間隙内の該材料が実質的に空隙のない状態となるように充填される。また、所定材料を、Ｄ_２、ＨＤ、ＤＴ、Ｔ_２及びＴＨから選択される少なくとも１種のガスの存在下で表面上へ蒸着する。蒸着処理中の正味蒸着速度は表面全体においてある程度不均一であるが、この不均一の程度は、実質的に同一な条件下においてＨ２を用いる蒸着中に生ずる不均一の程度よりも明らかに改善される。

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【要約書】
プラズマを形成するための反応空間を有した反応チャンバの上部に配置されかつ外部のＲＦ電源からＲＦ（高周波）電力を供給されて反応空間内に電場を形成する適応型プラズマソースが提供される。この適応型プラズマソースは、１つの導電性ブッシングと少なくとも２個の単位コイルを具備する。ブッシングはＲＦ電源に連結されかつ反応チャンバの上部中心部に配置されている。少なくとも２個の単位コイルは、ブッシングから分枝され、ブッシングを螺旋状に取り巻き、そしてａ×（ｂ／ｍ）に等しい巻回数を有しており、ただし、ａ及びｂは正の整数、ｍは単位コイルの個数である。 （もっと読む）

熱プラズマを生成するプラズマ生成装置（３１６）と、プラズマ生成装置（３１６）から熱プラズマを受け取り且つプラズマ処理チャンバ（３１８）内で熱プラズマを膨張させるためにプラズマ生成中にプラズマ生成装置（３１６）よりも低い圧力をプラズマ処理チャンバ（３１８）に維持するプラズマ生成装置（３１６）の外部のプラズマ処理チャンバ（３１８）と、熱プラズマを誘導結合する誘導子システム（３３０、３３２、３３３）とを含むプラズマ生成システム（３００）が提供される。 （もっと読む）

半導体ウェーハ処理装置（１０）のチャンバ（１６）と、清掃されるべき表面にバイアス電圧を掛けることなくガス混合物中に高密度プラズマを生成するためのみのＩＣＰ電源と、に供給される、水素及び不活性ガスから成る清掃ガス混合物、例えば、水素含有量が体積で２０％から８０％の間にある混合物を使用する清掃方法が提供される。本発明の実施形態では、Ｓｉ及びＳｉＯ_２汚染物質又はＣＦｘ汚染物質は引き続く金属被着に先立ってシリコン・コンタクト（４６）から清掃される。本発明の別の実施形態では、基準酸化物エッチング速度を回復するために酸化物をエッチングする以前にシリコン残留物は内部チャンバ表面から清掃される。

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【課題】 凹部への埋め込み性が良好で、長期に亘り安定した良好な電気的特性を得ることができ、さらに作製工程を可及的に低減し得る配線構造を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ板と基板３との温度及び温度差を所定通りに制御しつつ、原料ガスであるＣｌ₂ ガスのプラズマによりＣｕ板をエッチングすることによりＣｕ成分とＣｌ₂ ガスとの前駆体であるＣｕＣｌを形成し、この前駆体が基板３に吸着され、その後Ｃｕ成分を析出させることによりＣｕの薄膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成されたＣｕ膜をＣｌ₂ ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、前記成膜反応の速度が前記エッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより前記凹部３ａにその底部から順にＣｕ膜を積層してこの凹部３ａにＣｕを埋め込んだ。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドに匹敵する広い電位窓を有するホウ素炭素窒素系薄膜を用いたセンサーおよび電気化学装置を提供すること
【解決手段】ホウ素、炭素、窒素の少なくとも２原子からなる材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）