【課題】 本発明は、被処理基体５０２への真空紫外光の照射を抑制して真空紫外光照射ダメージや表面異常拡散を低減し、高速に高品質処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、隔壁の一部を平板状マイクロ波透過窓で構成されたプラズマ処理室と、該プラズマ処理室内に設置された被処理基体支持手段と、該プラズマ処理室内への処理用ガス導入手段と、該プラズマ処理室内を真空排気する排気手段と、該マイクロ波透過窓を透して該プラズマ処理室へマイクロ波を導入する複数のスロットを有する平板状マイクロ波導入手段とで構成されるプラズマ処理装置であって、該マイクロ波透過窓と該基体支持手段の間に、該基体表面から貫通孔を通して該マイクロ波透過窓が見えないように、斜めに複数の貫通孔が形成された、真空紫外光を透過しない材料で造られた平板状遮光板を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高機能性薄膜を、生産性高く形成する薄膜形成方法であり、結晶性を有する非常に高品質な薄膜をプラスティック等の熱に弱い基材にも形成できる方法を提供することにある。
【解決手段】 大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電ガスおよび薄膜形成ガスを含有するガスを放電空間に供給し、前記放電空間に高周波電界を印加することにより前記ガスを励起し、基材を励起した前記ガスに晒すことにより前記基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法に於いて、前記放電ガスと前記薄膜形成ガスを含有するガスが、分離して前記放電空間に供給され、かつ、前記放電空間における、前記放電ガスと前記薄膜形成ガスを含む混合ガスの温度が、３００℃以上３０００℃以下であることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】サセプタへの堆積を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ＡｌＮなどの絶縁性セラミックスからなるサセプタ本体２２Ａには電極２２Ｂおよびヒータ２３が埋設されている。電極２２Ｂには高周波源２２Ｃより１３．５６ＭＨｚの高周波パワーが供給され、被処理基板に基板バイアスを形成する。本体２２Ａは平坦な表面を有し、さらに本体２２Ａ上には、石英ガラスカバー２２ａが装着されている。石英ガラスカバー２２ａは薄い外側領域２２ａ１と外側領域２２ａ１に囲まれ被処理基板を保持する厚い内側領域２２ａ２とよりなり、内側領域２２ａ１と外側領域２２ａ２との間には３〜１０ｍｍの段差ｄが形成されている。 （もっと読む）

誘電体基板（１００）は第１の真空蒸着ステーション（１０２）で、１０^−５Ωｃｍ≦ρ≦１０^−１Ωｃｍが抵抗率（ρ）について成り立つ材料の層でコーティングされ、しかも、結果として生じる面積抵抗率Ｒ_Ｓが０≦Ｒ_Ｓ≦１０^−４Ω_δの範囲内におさまるようにコーティングされる。次いで、コーティングされた誘電体基板（１０４）にステーション（１０５）で反応性高周波プラズマ処理工程が施される。
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本発明のプラズマ発生装置は、柱形状の電源極、電源極の周りを覆う誘電体膜、電源極に隣接して配置される補助プラズマ接地極、反応ガスを提供するためのガス流入部、及び電源極に印加されるＲＦ電源を制御する電源コントローラを含み、プラズマ発生装置が作動する間には、電源コントローラは、電源極と補助プラズマ接地極との間に補助プラズマを維持することを特徴とする。本発明のプラズマ発生装置は、大気圧下で低温プラズマを生成することができ、補助プラズマを利用することによって、安定したプラズマを提供することができる。特に、電源の供給が不安定である高周波電源を使用する場合にも、補助プラズマが安定的なプラズマソースとして機能するので、均一で且つ大面積に適用可能なグロープラズマを生成することができる。 （もっと読む）

大面積および／または高周波プラズマ反応器内の電圧および電界不均一性に対する真空処理装置および補償方法が示される。本方法は、例えば、ＬＣＤ、プラズマディスプレイおよび太陽電池の製造で用いられる長方形（または正方形）で大面積のプラズマ処理機器、または処理に電磁波（ＲＦ、ＶＨＦ）を用いる他のあらゆる反応器に対して広く適用可能である。本装置は、真空容器と、内部プロセス空間を画定する少なくとも２つの電極と、前記電極と接続可能な少なくとも１つの電源と、内部プロセス空間内で処理されることになる基板のための基板ホルダーと、ガス入力手段とを備え、前記電極のうちの少なくとも１つは第１断面に沿って凹状プロファイルを持ち、第２断面に沿って凸状プロファイルを持ち、第１断面は第２断面に平行である。
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