【課題】プロセス開始時における処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができると共に、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理ガスで所定の処理を行う処理装置において、載置台４４が内部に設けられた処理容器４２と、処理容器内の雰囲気を排気する真空ポンプ７０、７２と圧力制御弁６８とを有する排気系６４と、処理容器内へ処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段９８と、ガス噴射手段へ流量制御しつつ処理ガスを供給するガス供給手段１００と、装置全体を制御する制御手段１１４とを備え、制御手段は、処理を開始する時に処理容器内の雰囲気を排気している状態で所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、規定流量の処理ガスを供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】伝送線路を流れる信号を検出した際に含まれる信号遅延による位相差検出の誤差を解消する事が可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ中にプラズマを生成するためのアンテナ電極と、被処理材を保持する基板電極と、前記アンテナ電極に伝送線路とインピーダンスマッチング回路を介して電力を供給する第１の高周波電源と、前記基板電極に伝送線路とインピーダンスマッチング回路を介して電力を供給する第２の高周波電力源と、前記第１の高周波電源が供給する電力の位相を検出する第１の検出器１０８と、前記第２の高周波電源が供給する電力の位相を検出する第２の検出器１０９とを有し、前記第１及び第２の検出器のそれぞれは、入力された信号を２値化して出力する２値化回路２０６と、前記アンテナ電極あるいは前記基板電極から前記２値化回路２０６までの伝送線路上の信号遅延を調節する遅延回路２０５を備える。 （もっと読む）

【課題】１回のクリーニングに要する時間を比較的短くし、かつ確実にクリーニングすることができるプラズマ処理装置、およびプラズマ処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】反応容器内のクリーニングの際、反応容器の内壁面に沿って配置された、誘電体で表面が覆われた棒状の導体で構成したアンテナ素子を有して構成されたプラズマ処理装置によって、反応容器の壁面に沿った空間領域にプラズマを生成することで、反応容器の内壁面を高プラズマ領域に直接曝した状態でクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】ダメージの発生が抑制された状態で、プラズマを用いた原子層成長による成膜速度の向上が図れるようにする。
【解決手段】成膜室内にアミノシランからなる原料ガス１２１を導入するとともに、成膜室の内部のシリコン基板１０１の上方に配置された複数のモノポールアンテナに高周波電力を供給してプラズマを生成し、原料ガスを構成しているアミノシラン（有機化合物）が分解された状態とする。これらは例えば１秒間行う。このことにより、シリコン基板１０１の上に、堆積シリコン層１０２が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】成膜面積が大きい場合であっても、膜厚均一性が優れた膜を形成することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、第１原料ガスを放出するガス放射板と、ガス放射板に対向して配置された基板ステージと、ガス放射板と基板ステージとの間に設けられ、第１原料ガスのプラズマを生成するとともに第１原料ガスを励起して反応活性種を得るプラズマ生成部と、第１原料ガスに第２原料ガスを混合させる第２原料ガス放出配管と、第２原料ガス放出配管とともに、第１原料ガスの流れを整流する整流部材とが前記反応容器内にある。基板ステージの表面に垂直な方向から見た場合、第２原料ガス放出配管は整流部材とともに、基板ステージの表面の中心に対して点対称を有するとともに、中心を通る線に対して線対称を有し、第１原料ガスの流れを均一にする対称パターン形状をなす。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の高周波放電によって生成するプラズマの密度の空間的な分布を均一化ないし任意に制御してプロセスの面内均一性を向上させる。
【解決手段】下部電極のサセプタ１６には被処理基板Ｗが載置され、高周波電源３０よりプラズマ生成用の高周波が印加される。サセプタ１６の上方にこれと平行に対向して配置される上部電極３４は、チャンバ１０にリング状の絶縁体３５を介して電気的に浮いた状態で取り付けられている。上部電極３４の中心部にはサセプタ１６に向って突出する凸面部３７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】誘電体の表面に形成される凹凸の形状および配置を最適化すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は，導波管２２にマイクロ波を伝播させ，Ｔ字型のスロット２３ａから漏れ出したマイクロ波を誘電体２４に透過させ，マイクロ波の電界エネルギーにより処理ガスをプラズマ化させて，基板Ｗをプラズマ処理する。マイクロ波を透過させる誘電体２４には，処理容器１０の天上部に露出した表面にて一定のピッチでシリンダ形状の凹部２４ａが周期的に形成される。発明者らがシミュレーションした結果，電界の広がりを効果的に抑制するためには，ピッチを３０×ε^１／２以下にすればよいことがわかった。すなわち，上記ピッチで凹部２４ａを誘電体２４の下面に設けることにより，定在波の電界のバラツキを抑止して，プラズマをより均一に生成させることができる。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナを用いてプラズマを生成させる際、プラズマが均一となるように、インピーダンス整合を高精度に、さらに迅速かつ容易に行うことができる、簡易な装置構成のプラズマ生成装置及びそのようなプラズマ生成を実現するプラズマ生成方法を提供する。
【解決手段】インピーダンス整合のための特性パラメータが可変な基本素子と、同じく特性パラメータが可変な補助素子とを備えたインピーダンス整合器を用いてプラズマを生成する際、各アンテナ素子の基本素子の特性パラメータがそれぞれ固定されて、各アンテナ素子毎に補助素子の特性パラメータが調整されることで、各アンテナ素子毎のインピーダンス整合が調整された調整状態で、アンテナアレイの各アンテナ素子に高周波信号を給電してアンテナ素子から電磁波を放射してプラズマを生成させ、各アンテナ素子の基本素子の特性パラメータを、それぞれ同期させて調整して、アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低流量の水素ガスで微結晶シリコンの形成が可能なＰＣＶＤ法を提供し、より廉価な微結晶シリコン太陽電池を提供することを目的とする。
【解決手段】微結晶シリコンをＰＣＶＤ法により形成する方法において、真空室内に、両端部がそれぞれ高周波電源とアースとに接続されたアンテナを複数、一平面内に配列してアレイアンテナ構造として配置し、基板を該アレイアンテナに対向して配置し、該基板の温度を１５０〜２５０℃とし、水素ガスとシランガスとを含む混合ガスを導入し、前記複数のアンテナに高周波電力を供給してプラズマを発生させ、水素ガス／シランガス流量比を１〜１０の範囲で調節して、前記基板上に結晶シリコンに起因する５２０ｃｍ^−１付近のラマン散乱強度Ｉｃと非晶質シリコンに起因する４８０ｃｍ^−１付近のラマン散乱強度Ｉａとの比Ｉｃ／Ｉａが２〜６となる微結晶シリコン膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性を向上させる。
【解決手段】ボート４３の保持柱４６に孔空き電極板５１と板状電極板５２と誘電体５３とを備えた電極体５０を各段のウエハ１に対応して架設する。孔空き電極板５１と板状電極板５２とは所定の間隔を置いた状態で誘電体５３によって包囲する。電極体５０は板状電極板５２がウエハ１のアクティブエリア側を向くように配置する。電極体５０の孔空き電極板５１と板状電極板５２との間には交流電力を印加する交流電源６１を整合器６２を介して並列に接続し、交流電力を供給する経路の途中には絶縁トランス６３を介設する。電極体５０のウエハのアクティブエリア側に沿面放電による均一で平坦なプラズマ５４を生成し、ウエハ１のアクティブエリア側の主面に均一なプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】プラズマサイズより広い範囲に均一な成膜を行うことが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板５が配置されるチャンバ１０と、チャンバ１０に接続され、基板５と対向するようにチャンバ１０内に開口する開口部１８を備えた管状部材２０と、管状部材２０の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置２４と、管状部材２０に原料ガスを供給する原料ガス供給装置２２とを有し、管状部材２０の開口部１８の内径ｄは、基板５の外径Ｄより小さく形成されている。 （もっと読む）

【課題】アーク放電を確実に抑制するプラズマ処理装置の電極構造と、これを備えたプラズマ処理装置とを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の互いに対向する上部電極部１０ａと下部電極部１０ｂのそれぞれは、板状金属からなる電極本体１１、電極本体１１を収容する誘電体ケース１２、その誘電体ケース１２を塞ぐ誘電体蓋１３、グランド電極被覆誘電体１４およびグランド電極金属棒を備えて構成される。電極本体１１を収納した空間に、プラズマ処理を施すための処理ガスに含まれる希釈ガスよりも放電開始電圧の高い所定の充填ガスが充填される。 （もっと読む）

【課題】スループットおよび歩留りを高める。
【解決手段】ウエハ１を載置するサセプタ電極５０を複数段、処理室３２内に所定の間隔を置いて配置し、各段のサセプタ電極５０に電力をそれぞれ供給してプラズマを生成し、各段のサセプタ電極５０に載置したウエハ１をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置１０において、ウエハ１を搬送するツィーザ２５に中央が長く両脇が短い３本の支持バー２６、２７、２８を設け、３本の支持バーはウエハ１の外周縁部下面の３点を支持するように構成する。各段のサセプタ電極５０には３本の支持バーが挿通する三つの挿通部５２、５３、５４を開設する。複数段のサセプタ電極に複数枚のウエハを同時に移載できるので、スループットを向上できる。ツィーザが挿通部に接触するのを防止することで、パーティクルを発生させるのを防止できるので、歩留りを向上できる。
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【課題】成膜速度の高速化と製造された膜の高品質化との両立を実現するプラズマプロセス装置の提供。
【解決手段】処理室５と、処理室５内にプラズマ処理用のガスを供給するガス供給部１３と、互いに対向するカソード電極２ａ及びアノード電極２ｂを有し、カソード電極２ａとアノード電極２ｂとの間にプラズマ１１を発生させるプラズマ放電発生部１５と、カソード電極２ａとアノード電極２ｂとの間に被処理基板４を保持する基板ホルダー９とを備え、カソード電極２ａにおける被処理基板４と対向する面に、誘電性材料からなる誘電部３が、カソード電極２ａの少なくとも一部が露出するように設けられている。これにより、カソード電極２ａとアノード電極２ｂとの間に、局所電界を発生させる。 （もっと読む）

【課題】コイルに印加される電力を下げることなく、当該コイルに印加される電圧を、従来に比べてより低減することができるプラズマ反応装置を提供する。
【解決手段】被処理対象物Ｋを収容する容器２，６と、被処理対象物Ｋが載置される支持台１１と、支持台１１より上方位置で、容器６の周囲に、これを巻回するように配設された、無端環状のコイル１５と、コイル１５に高周波電力を供給する電力供給手段２０と、容器６に接続され、処理ガスを容器６内に供給するガス供給手段３０とを備える。電力供給手段２０は、少なくともコイル１５に接続される第１及び第２の２つの接続端子２４，２５を備える。第１及び第２の接続端子２４，２５は、コイル１５の全長を２等分する位置ａ，ｂにそれぞれ接続され、第１の接続端子２４とアース（接地端子２６）との間と、第２の接続端子２５とアース（接地端子２６）との間とに、それぞれ大きさが等しく、相互に位相が逆となる電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】放電電極と対向電極との間に形成される高周波プラズマを容易に均一にすることが可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】製膜室６と放電電極３と対向電極２と高周波電源６０と整合器１３と電極インピーダンス調整部４０とを具備する薄膜製造装置を用いる。放電電極３は製膜室６内に設けられている。対向電極２は放電電極３に対向するように接地されて設けられ、基板８を保持可能である。高周波電源６０は放電電極の給電点５３、５４に伝送線路１２、１４を介して高周波電力を供給する。整合器１３は伝送線路１２、１４の途中に接続され、高周波電源６０と放電電極３とのインピーダンスを整合する。電極インピーダンス調整部４０は放電電極３に電気的に接続され、放電電極３のインピーダンスを調整する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成および作業でコイルを用いた磁界や電磁波によるプラズマ発生の範囲、内外周でのアンバランスの調整がきめ細かくできるようにする。
【解決手段】真空容器１内にガス６を供給しながら排気し、コイル３からの磁界を直接またはコイル３から誘電体２を介し電磁波を真空容器１内に働かせてプラズマを発生させ、被処理物５を処理するのに、コイル３の外端３ａまたはおよび内端３ｂを移動させて巻き域を拡縮しプラズマ発生域を調整することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生の性能を高く維持しつつ、電源設備に要する価格を低減すること。
【解決手段】真空チャンバ２内に一対の電極１０，１２が対向配置され両電極１０，１２間にプラズマ発生用電圧が印加されて両電極１０，１２の対向空間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置であって、両電極１０，１２が軸方向に所定長さに延び、かつ、両電極１０，１２の電極面１０ａ，１２ａで囲む空間（プラズマ閉じ込め空間）１６の形状が軸方向柱状になっており、両電極１０，１２間に印加するプラズマ発生用電圧電源が低周波の交流電源２０である。 （もっと読む）

【課題】放電プラズマの電子密度を向上させ、電子温度を低減させるような放電プラズマ発生方法を提供すること。
【解決手段】ガス供給孔２から原料ガスをチャンバー１に導入する。電極４，５間に静電誘導サイリスタ素子を用いた電源３からパルス電圧を印加することによって放電プラズマを発生させる。パルス電圧のデューティー比（％）＝（パルスのオン時間の和／パルス周期）Ｘ１００を０．００１％以上、８．０％以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ全面に均一に成膜でき、パーティクルの発生の少ない半導体製造用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体に形成された高周波発生用電極回路の形状が円形であり、その直径が搭載するウェハの直径の９０％以上とすれば、厚み分布の均一な成膜ができるウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。あるいは、前記高周波発生用電極回路の外周部とウェハ保持体の外周部までの距離を、該電極回路とウェハ搭載面との距離よりも長くすれば、パーティクルの発生の少ないウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。 （もっと読む）