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【課題】安定してストリーマ放電を生成して均一なプラズマを生成することができ、しかも装置の大型化や高コスト化を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向する一対の電極1、1間に形成される対向領域2にプラズマ生成ガスGを供給する。大気圧又はその近傍の圧力下で上記電極1、1間に電圧を印加することにより対向領域2にストリーマ放電Sを形成すると共にこのストリーマ放電Sにより対向領域2でプラズマPを生成する。このプラズマPを被処理物Hに供給するプラズマ処理装置に関する。不均一な電界強度分布を対向領域2に発生させることにより上記ストリーマ放電Sを形成するためのストリーマ放電形成手段と、このストリーマ放電Sを対向領域2で分散させるためのストリーマ放電分散手段と、被処理物Hを上記対向領域2で搬送するための搬送手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】小型の装置で複数枚の板状基材に同時に良好な特性を持つDLC膜を生成する。
【解決手段】DLC膜量産装置10は、チャンバ12がアースに接地されている。このチャンバ12内に各板状基材60に対向する対向電極を配置することなく、複数枚の板状基材60を平行に等間隔に並べて配置する。そして、プラズマ放電によるスパッタリングクリーニングや下地密着層を各板状基材60に形成したあと、チャンバ12の内圧が0.1〜10Paになるようにチャンバ12内に炭素源ガスを導入すると共に各板状基材60に一斉にパルス半値幅が0.1〜3μsecの直流パルスの負電圧を印加することにより、プラズマを発生させて各板状基材60上にDLC膜を生成させる。 (もっと読む)


【課題】シランプラズマ中の発電性能を低下させるSiHラジカルの発生を減少させ、さらに成膜時の基板温度低下を防止させることで、優れた膜質を有する半導体薄膜を製造できるプラズマCVD装置を提供する。
【解決手段】プラズマCVD装置は、チャンバー1と、該チャンバー1内部を減圧下に保つ排気装置と、電力を供給されることで原料ガスにプラズマを発生させる複数の放電電極15a,15bと、隣り合う該放電電極15a,15bのそれぞれに極性の異なる交流又は高周波電圧を印加する電源と、隣り合う該放電電極15a,15bの間に原料ガスを導入する原料ガス供給管17と、該原料ガス供給管17の出口から、原料ガス流れ方向の延長線上であって、かつ被成膜基板10が置かれる位置までの間に設けられた障壁と、を有する構成をとるものである。 (もっと読む)


プラズマプロセス中に局所プラズマ密度を調節するための方法および装置。一実施形態は、非平面状の表面を有する導電性フェースプレートを備える電極アセンブリを提供する。非平面状の表面は、処理中に基板に面するように構成され、導電性フェースプレートは、電極を有する基板支持体に非平面状の表面が対向するように配置される。導電性フェースプレートおよび基板支持体は、プラズマ体積を形成する。非平面状の表面は、導電性フェースプレートと電極との間の距離を変えることによって、導電性フェースプレートと電極との間の電場を調節するように構成される。
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【課題】基材としての第二電極を用いることなく液中にプラズマを発生させることが可能な液中プラズマ成膜装置および液中プラズマ用電極を提供する。
【解決手段】基材Sと原料を含む液体Lとを収容可能な容器1と、容器1に配設される液中プラズマ用電極2と、液中プラズマ用電極2に電力を供給する電源装置3と、を有する液中プラズマ成膜装置において、液中プラズマ用電極2は、
放電端部22を有する主電極21と、放電端部22に対向するとともに、互いに対向する放電端部22と基材Sとの間に配設される副電極26と、
放電端部22の表面22aと表面22aに対向する副電極26の表面26aとで区画された空間をもち、主電極21に電力が供給されることで空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部29と、を備える。
プラズマ発生部29で発生したプラズマを基材Sに接触させて、基材Sの表面に原料の分解成分を堆積させる。 (もっと読む)


プラズマチャンバ内のプラズマ放電の強度および分布を制御する装置および方法が提供される。一実施形態では、径方向成分および軸方向成分を有する電界をチャンバ内部に得るために、成形された電極が基板サポート内に埋め込まれる。別の実施形態では、シャワーヘッドアセンブリのフェースプレート電極がアイソレータによって複数のゾーンに分割され、それによって、それぞれ異なる電圧が異なるゾーンに印加されることが可能になる。加えて、1つまたは複数の電極をチャンバ側壁内に埋め込むこともできる。
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【課題】プラズマを均一に発生させることができると共に、装置への装着が容易な構造の電極を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ200を収容する処理室201と、処理室201内に処理ガスを供給するガス供給系と、処理室201内の雰囲気を排気する排気系と、処理ガスを活性な状態とするための電極であって、可撓性の部材で構成された少なくとも1対の電極269,270と、電極269,270を挿抜可能に収容する保護管275と、保護菅275内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、コントローラ231と、を有し、電極269,270は、少なくとも一箇所が屈曲した状態で保護管275内に収容され、コントローラ231は、保護管275内に不活性ガスを供給するよう不活性ガス供給系を制御する。 (もっと読む)


【課題】膜質が良好な膜を連続的に形成することができ、しかも装置コストが低い成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺の基板を搬送する第1の搬送手段と、チャンバと、チャンバ内を所定の真空度にする真空排気部と、基板の搬送方向と直交する幅方向に回転軸を有し、第1の搬送手段により搬送された基板が表面の所定の領域に巻き掛けられる回転可能なドラムと、ドラムに巻き掛けられた基板を搬送する第2の搬送手段と、ドラムに対向して所定の距離離間して配置された成膜電極、成膜電極に高周波電圧を印加する高周波電源部、および膜を形成するための原料ガスをドラムと成膜電極との間に供給する原料ガス供給部を備える成膜部とを有する。成膜電極とドラムとの間の距離の値の分布は、成膜電極の全域に亘り20%以内である。 (もっと読む)


【要 約】
【課題】マイクロ波が漏出せず、寿命の長い真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置1は、導電性弾性部材(第一の弾性部材55)を有しており、第一の弾性部材55は弾性変形して接地電極膜34と真空槽12に密着するから、接触面積が高く、接地電極膜34が真空槽12に電気的に接続される。導電性シールド33は接地電極膜34と第一の弾性部材55とを介して真空槽12に電気的に接続される。従って、マイクロ波を放出する際、導電性シールド33と貫通孔9内壁面との間の隙間で異常放電が起こらない。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、膜欠陥や特性ムラの少ない良好な堆積膜を高速で成膜できるようにし、電子写真感光体を用いた画像形成における黒点の発生などの画像欠陥の発生を抑制して画像特性を向上させる。
【解決手段】本発明は、互いに離間して配置された第1導体20Aおよび第2導体20Bのそれぞれに堆積膜形成対象物10を支持させた状態で、堆積膜形成対象物10を反応室3に収容する第1ステップと、反応室3を反応ガス雰囲気とする第2ステップと、第1導体20Aと第2導体20Bとの間に、第1導20A体が第2導体20Bよりも高電位となる状態と、第2導体20Bが第1導体20Aよりも高電位となる状態とを交互に繰り返すようにパルス状の直流電圧を印加する第3ステップと、を含む、堆積膜形成方法に関する。 (もっと読む)


【課題】円筒状基材上に、膜均一性の高い薄膜を安定し、かつ高生産性で形成できる大気圧プラズマ処理装置の提供。
【解決手段】円筒状基材を回転させる、少なくとも1対の基材駆動ユニットと、少なくとも1対の電極と、電極に接続された高周波電源と、薄膜形成ガスを含有するガスを供給するガス供給部と、を有し、
基材駆動ユニットは対向した電極の対向面に沿って円筒状基材を移動させ、電極はガス供給部から供給されたガスを大気圧もしくはその近傍の圧力下で高周波電源による高周波電界により励起し、対向する少なくとも前記1対の基材駆動ユニットにより電極の対向面に沿って移動される円筒状基材を励起したガスに晒すことにより、同時に、少なくとも2つの円筒状基材に薄膜を形成することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。 (もっと読む)


【課題】面内の良好な電気的特性を備える膜を形成することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100は基板11が載置される陽極102と、陽極102との間でプラズマを発生させる陰極103と、ステージ104と、ステージ104内に設置された冷却部201と、を備える。冷却部201の冷却ヘッド部201aのステージ104と対向する面に、凹部201cが形成されることにより、冷却ヘッド部201aの周縁部のみがステージ104に当接する。これにより基板11は周辺領域から冷却され、基板の中心領域から周辺領域へと熱流を生じさせることができ、基板11内に温度勾配を生じさせることができる。 (もっと読む)


【課題】 分割電極の間隔変化による膜分布の悪化を防止することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】 基板が配置される対向電極と、対向電極に沿って延びるとともに、互いに第1所定間隔W1を空けて並んで配置された複数の棒状縦電極3Z、および、複数の棒状縦電極3Zの端部を接続する一対の棒状横電極3Yを有する複数の分割電極3と、が設けられ、複数の分割電極3は、第1所定間隔W1以上、第1所定間隔W1に少なくとも分割電極3における熱膨張長さを加えた間隔以下、の広さを有する第2所定間隔W2を空けて並んで配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】平面状被処理基体に対してプラズマ処理を行う装置であって、プラズマの利用効率及び均一性がよく、且つ生産性が高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、真空容器11と、真空容器11の内部空間111に突出するように設けられた1個又は複数個のアンテナ支持部(プラズマ生成手段支持部)12と、アンテナ支持部12のそれぞれに取り付けられた高周波アンテナ(プラズマ生成手段)13と、真空容器11内にアンテナ支持部12を挟んで設けられた、平面状被処理基体21を保持するための1対の基体保持部16と、を備える。 (もっと読む)


【課題】生成されたプラズマを効率よく利用することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置10は、真空容器11と、真空容器11の内部空間111に突出するように設けられたアンテナ(プラズマ生成手段)支持部12と、アンテナ支持部12に取り付けられた高周波アンテナ(プラズマ生成手段)13と、を備えることを特徴とする。これにより、高周波アンテナが取り付けられる部分の面積が小さくなり、プラズマの利用効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】製膜処理時に大面積の基板の変形を抑制し、均一で良質な半導体膜を製膜することができるプラズマCVD装置用電極、およびプラズマCVD装置を提供する。
【解決手段】本発明によるプラズマCVD装置用電極は、互いに略平行に配置された複数の第1電極棒50a、90と、互いに略平行に配置された一対の第2電極棒50bと、互いに略平行に配置された一対の冷却媒体供給棒55とを備える。一対の第2電極棒50bは複数の第1電極棒50a、90を挟むように配置される。一対の冷却媒体供給棒55は複数の第1電極棒50a、90を挟むように配置される。複数の第1電極棒50a、90と一対の冷却媒体供給棒55の内部に、冷却媒体57が流れる冷却媒体管56aが形成される。 (もっと読む)


本発明は、静止第1電極(3)及び第2可動性電極(18)を備えたコーティング装置のための電極構成を含み、コーティング中、これらの電極の主表面は互いに対向し、第2電極(18)は対向する主表面に平行な平面に沿って移動し、主表面を横断して走る電極の少なくとも1つの端面には電気シールド(12、19、13)が設置され、電気シールドは1つの電極の端面に対して少なくとも部分的に平行に延び、シールドの少なくとも一部分(14)は可動性に形成される。
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アノード(9)とカソード(7=との間の真空プラズマ放電を用いてワークピースまたは基板の表面を処理し、このような処理により、アノード材料の直流インピーダンス比よりも高い直流インピーダンス比を有する固体(19)がアノード表面(21)上に形成および堆積する場合、当該アノード表面の少なくともある部分を、遮蔽プラズマ(25)を当該部分に確立することにより、このような堆積物から遮蔽する。
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【課題】
高ガスバリア性を実現すると同時に柔軟性をも確保できるガスバリアフィルムを製造するための製造方法、製造装置、及び該製造方法又は該製造装置により得られるガスバリアフィルムを提供する
【解決手段】
製造方法を実行する反応室において、真空工程と、ガス供給工程と、電界発生工程と、フィルム搬送工程と、を備えてなり、電界発生工程が、給電電極と接地電極とを用いてなるものであり、接地電極が、フィルム搬送工程におけるプラスチックフィルム搬送方向に沿って搬送中のプラスチックフィルムの表面と接地電極の表面との間隔が変化するように、又は接地電極のインピーダンスがプラスチックフィルムの搬送方向に沿って変化するように、もしくは間隔とインピーダンスとが同時に変化するように、それらが設置されてなる構成を備えてなる、製造方法とした。 (もっと読む)


【課題】
高ガスバリア性を実現すると同時に柔軟性をも確保できるガスバリアフィルムを製造するための製造方法、製造装置、及び該製造方法又は該製造装置により得られるガスバリアフィルムを提供する
【解決手段】
製造方法を実行する反応室において、真空工程と、ガス供給工程と、電界発生工程と、フィルム搬送工程と、を備えてなり、電界発生工程が、給電電極と接地電極とを用いてなるものであり、接地電極が、フィルム搬送工程におけるプラスチックフィルム搬送方向に沿って搬送中のプラスチックフィルムの表面と接地電極の表面との間隔が変化するように、又は接地電極のインピーダンスがプラスチックフィルムの搬送方向に沿って変化するように、もしくは間隔とインピーダンスとが同時に変化するように、それらが設置されてなる構成を備えてなる、製造方法とした。 (もっと読む)


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