【課題】プラズマ・イオン・エネルギーおよびプラズマ密度に対する所望の独立した制御ができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１０にガスを結合するためのポート、真空チャンバ１０内のガスに電界を印加するための第１の電極１８、第１の電極１８から間隔を隔てたＤＣ基準電位にある第２の電極２６を有し、電極１８，２６間の体積を含む領域でガスをプラズマに励起させるようになされた真空チャンバ１０と、第１の電極１８に異なる周波数を有する電界を同時に前記プラズマに供給させるための回路７０とを備えたプラズマ処理装置であって、真空チャンバ１０が、前記異なる周波数の電力に前記領域を通る実質的に異なる経路を取らせるようになされた構造を備える。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極をシールドする金属製支持枠と枠体との間のインダクタンス成分を低減する。
【解決手段】電圧印加電極８の背面に金属製支持枠２１を配置するとともに、電圧印加電極８の前方に突き出すようにして電圧印加電極８の周囲に枠体２２を配置し、枠体２２の外周面を覆うように配置された金属板２７にて金属製支持枠２１と枠体２２とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス性を向上させるとともに、プラズマ処理の均一性および処理能力を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置１では、上部電極１０は、複数のガス噴出孔１３ａを有する複数のシャワー電極１３と、シャワー電極１３の下面上に配置される平板１４とを含む。平板１４は、複数のシャワー電極１３同士の間に形成された隙間Ｓ２の下側（下部電極２０側）を覆うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ワークに対して異常放電が生じるのを防止しつつ、効率よくプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１０の上方に設けられた電極ユニット２と、通電手段３と、処理ガス供給手段４と、冷却手段５とを有している。電極ユニット２は、長手形状の柱状体で構成された電極本体２１１と、この電極本体２１１の内部に、長手方向に沿って設けられた貫通孔２１２とを備えるアース電極２１と、貫通孔２１２に挿通された電極棒２２１を備える印加電極２２とを有する。貫通孔２１２と電極棒２２１との間には隙間が形成されており、この隙間がプラズマ生成空間２７として機能する。また、アース電極２１には、プラズマ生成空間２７を外部に開放するスリット２８が形成されている。このスリット２８からプラズマＰを噴出することにより、ワーク１０にプラズマ処理が施される。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いる場合に問題となる電極やチャンバー壁面の汚染によるアーキング等のロングランの安定性、大面積化、ロール・ツー・ロール化の困難さを解決し、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、ガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧下の成膜チャンバー内に、基材を搬送する機構と、電極に電圧を印加することでプラズマ化した成膜ガスを該基材表面に噴出させる成膜手段とを少なくとも具備する成膜装置で、該電極は、成膜ガスをプラズマ化する内部空間１８と、該内部空間１８へ成膜ガスを導入するガス導入路１７と、該内部空間１８から該基材表面へプラズマ化した成膜ガスを噴出させる穴部１５とを少なくとも具備し、該電極は、一対で成膜チャンバー内に設置され、該一対の電極は、電気的に接続され、カソード又はアノードに交互に切り替わる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度ないしプラズマ処理特性の面内均一性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、内部にてウエハＷにプラズマ処理が施される処理容器１００と、高周波を出力する第１の高周波電源１４０と、処理容器１００の外部にて、外側コイル、内側コイル及びその間に設けられたｎ個（ｎは１以上の整数）の中間コイルが中心軸に対して同心状に巻かれた高周波アンテナ１２０と、処理容器１００の壁面の一部を構成し、高周波アンテナ１２０から発生する電磁界のエネルギーを処理容器１００内に導入する誘電体窓１０５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光起電力（ＰＶ）電力のワット当たりの費用を下げる。
【解決手段】本発明は、電気・電子的用途のためのナノワイヤの作製に関する。アルミナを形成するアルミニウムが、ＶＬＳ（ＣＶＤ）プロセスにおいてシリコンナノワイヤを成長させるための触媒としても、半導体ドーパントとしても用いられるような、アルミナテンプレートを用いてシリコンナノワイヤを成長させる方法が開示されている。さらに、デバイス層間の電気的遮蔽を維持するためにアルミニウム及びアルミナの一部のマスキングを除去する様々な技術が開示されている。 （もっと読む）

【課題】地絡を防止しつつ、大型の放電電極を安定して保持することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】製膜処理が施される基板に沿って延びるとともに基板と対向して配置され、かつ、高周波電流が供給される放電電極６と、基板とともに放電電極６を挟む位置に配置されるとともに、放電電極６に沿って延び、かつ、共通電位に接地された電極支持部３１と、電極支持部３１から放電電極６に向かって延びるとともに放電電極６を保持し、かつ、放電電極６および電極支持部３１と電気的に接続された導電性を有する突出部４１と、が設けられ、突出部４１は、放電電極６および電極支持部３１との間で所定のインダクタンスを有する回路を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ区画壁の内壁面がエッチングされることを防止してパーティクルや金属汚染の発生を抑制し且つ、電極面積を増大させてラジカルの発生量を増加させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、被処理体を保持して処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、ガスを供給するガス供給手段３８、４０、４２と、ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、活性化手段は、処理容器の外側へ突出された状態で処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁７２により区画形成されたプラズマ形成ボックス６４と、プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極６６と、電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】反応室内のプラズマ密度を均一にすることができる半導体製造装置を提供する
【解決手段】基板が処理される処理室５２と、この処理室５２内に設けられ、プラズマを生成するプラズマ室７６と、処理室５２の外側に設けられた複数の高周波アンテナ８４と、プラズマ室７６と複数の高周波アンテナ８４に挟まれる位置に、所定の間隔を隔てて配置され、高周波アンテナ８４により発生する電場を遮断するシールド９０と、を有し、複数の高周波アンテナ８４の接近部（位置Ｐ）に向けて、シールド９０の間隔が狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】電極間距離の微調整を容易かつ効率的に行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバーＭ１と、チャンバーＭ１内に配置されてプラズマ放電を発生させる平板形の第１電極１１ｅおよび第２電極１２ｅと、第１電極１１ｅと第２電極１２ｅを平行に対向してそれぞれ支持する第１支持部１３および第２支持部１４と、第１および第２支持部１３、１４にて支持された第１電極１１ｅと第２電極１２ｅを相対的にねじで移動させて電極間距離Ｌ１を微調整する微調整機構Ａとを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】電極の加熱による湾曲変形や電極支持部材の破損を防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して被処理物９に接触させ、被処理物９を表面処理する装置であって、複数の電極３１を電極３１の長手方向と直交する方向に並べる。これら電極３１の長手方向の両端にそれぞれ絶縁体からなる一対の電極端支持部材３５を配置する。各電極端支持部材３５にて、各電極３１の端部を長手方向への変位を許容しつつ支持する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高周波電極に電圧を印加した場合において、基板上の電流が不均一になるのを防止することが可能な薄膜形成装置を提供することである。
【解決手段】本発明では、基板２を挟むように配置された２つの箱形状の成膜室壁体３Ａ，３Ｂからなる成膜室３と、一方の成膜室壁体３Ａに配置された高周波電極４と、他方の成膜室壁体３Ｂに配置された接地電極５とを備えた薄膜形成装置１において、一方の成膜室壁体３Ａが、ブロック部７と、ブロック部７に対して基板２側に配置されたチャンバ部８と、チャンバ部８に対して基板２側に配置された枠体９とを備え、チャンバ部８は、高周波電極４を内部に有しており、枠体９は、高周波電極４の外周囲を囲んでおり、枠体９とブロック部７とが導電部材１３で接続されている。 （もっと読む）

【課題】平行平板電極間に電圧を印加してプラズマを発生させるＣＶＤ装置の提供。
【解決手段】基板の非成膜面側に接地電極を配設するとともに、その他方の面に接地電極に対向して高周波電極を配設するプラズマＣＶＤ装置において、前記高周波電極１０を、表面平板電極１０ａと裏面平板電極１０ｂで構成し、これら表面平板電極１０ａと裏面平板電極１０ｂの相互間の周囲に中間平板電極１０ｃを配設して、前記表面平板電極１０ａと裏面平板電極１０ｂ相互間に空気溜まり部１１を形成し、前記表面平板電極１０ａに形成された噴出孔からガスを噴出させて前記基板２の主面に薄膜を成膜させるとともに、前記表面平板電極１０ａを前記中間平板電極１０ｃに締結する締結部材を通す締結部材取付孔を前記表面平板電極の周囲に形成するとともに、該締結部材取付孔６２内周面に柔軟保持材７０を介在させて前記締結部材５１を弾性的に保持した装置。 （もっと読む）

【課題】電極に反りが生じることを抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置は、真空容器１００、カソード電極２００、アノード電極３００、及び電極板２２０を備える。カソード電極２００は真空容器１００内に配置されており、交流電力が入力される。アノード電極３００は、真空容器１００内に、カソード電極２００に対向して配置されており、基板５０が配置される。電極板２２０は、カソード電極２００及びアノード電極３００の少なくとも一方の表面に配置されている。電極板２２０は、平面視において基板５０と重なる領域に、第１溝及び第２溝を備える。第１溝は、電極板２２０のうち基板５０に対向する第１面に形成されている。第２溝は、第１面とは逆の面である第２面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を伝送させる同軸管分配器に異なる分岐構造を含むプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、マイクロ波によりガスを励起させて基板Ｇをプラズマ処理するための処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を伝送する伝送線路と、処理容器１００の内面に設けられ、マイクロ波を処理容器１００内に放出する複数の誘電体板３０５と、複数の誘電体板３０５に隣接し、マイクロ波を複数の誘電体板３０５に伝送する複数の第１の同軸管６１０と、伝送線路を伝送したマイクロ波を複数の第１の同軸管６１０に分配して伝送する同軸管分配器６００と、を有する。同軸管分配器６００は、入力部Ｉｎを有する第２の同軸管６２０と、複数の第１の同軸管６１０に連結される異なる構成の分岐構造Ｂ１，Ｂ２とを含む。 （もっと読む）

【課題】大面積の機能性堆積膜を均一に安定して形成することが可能な堆積膜形成装置を提供する。特に、帯電特性の優れた高品質な電子写真感光体を安価に生産性よく製造する堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】高周波電極が側壁を兼ねた反応容器１０１の中に、原料ガスと放電エネルギーを印加して、基体の表面に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置１００において、排気系に接続された排気部１０９が、反応容器１０１の側壁の一部に設けられ、排気部１０９が基体から死角となるように高周波電極と同電位の衝立部材１１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】対向するカソード／アノードの放電空間を複数有するプラズマ処理装置において、配線とカソードとの間に異常放電を発生させず、基板面内のプラズマ処理の均一化を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は、チャンバ３と、カソード１と、複数のアノード２とを備える。複数のアノード２は、カソード放電面に対してアノード放電面が対向するように配置されている。カソード１は、カソード端面に給電部５を有し、カソード放電面およびアノード放電面は、共通する一定の対称軸に関して線対称な形状である。カソード放電面およびアノード放電面の前記対称軸方向の最大幅は、前記対称軸に垂直な方向の最大幅よりも小さい。給電部５は、前記対称軸を含みカソード放電面に対して垂直な面である基準面とカソード端面との交差線上にある。アノード２は、前記基準面に対し面対称な位置に、接地部４３を有している。 （もっと読む）

誘導結合型プラズマ生成電極及びこれを備える基板処理装置が開示される。本発明によれば、基板処理に用いられる誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を発生させるプラズマ生成電極３６０であって、被処理基板１０の主面の上側に配置される第１の電極部３６１と、基板１０の主面の下側に配置される第２の電極部３６３と、前記第１及び第２の電極部の各一端を互いに連結する折曲部３６２とを含むプラズマ生成電極３６０が提供される。本発明によれば、被処理基板の表面の全領域にわたって均一なプラズマ密度が得られると共に、ＲＦ信号の減衰を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を生産性良くさらに低コスト形成することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基体ホルダに保持された円筒状基体に対向して配置された電極部材に高周波電力を印加して円筒状基体と電極部材との間にプラズマを生起し円筒状基体の表面に堆積膜を形成するＣＶＤ装置であって、電極部材は円筒状基体の円筒面に正対している部分と正対していない部分を有し、正対していない部分の一部の直径が正対している部分の直径よりも小さく、かつ正対していない部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離が正対している部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離よりも小さい。 （もっと読む）