【課題】本発明の目的は、成膜時の熱により高周波分割電極に伸び等が生じた場合でも、反応ガスのリークを防止することが可能な薄膜形成装置を提供することである。
【解決手段】本発明では、成膜室２内の基板３の一方の表面側に配置された高周波電極４と、高周波電極４と対向するように配置された接地電極５とを備え、高周波電極４と接地電極５との間にプラズマ放電を行うことにより基板２上に薄膜が形成されるように構成された薄膜形成装置１において、表面電極部は、４分割された分割表面電極部４１から構成され、分割表面電極部４１は、分割表面電極部４１と互いに隣接する内側端部４１ａ，４１ｂに重ね合わせ部４６を有するとともに電極本体部４２上に配置される外側端部４１ｃ，４１ｄに段差部５０を有しており、分割表面電極部４１は、重ね合わせ部４６を互いに固定するとともに段差部５０を電極本体部４２上に移動可能に配置している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第１の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第１の可動導電体を有している。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性および着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７−１〜７−４、７’−１〜７’−４）設け、それぞれのアンテナの組の高周波誘導アンテナ素子７−１〜７−４、７’−１〜７’−４に供給する電流の位相を、対応する素子で同位相に制御して、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】 触媒体を把持する把持部材への膜付着を防止し、触媒体の長期的繰り返し使用を可能とする触媒化学気相成長装置の触媒体支持構造を提供する。
【解決手段】 防着ユニット１は、触媒体４の軸付近を境目として触媒体４の軸と略垂直方向において上側部材１ａと下側部材１ｂに各々分割することで、触媒体４に非接触の状態で把持部材２０と防着ユニット１が触媒化学気相成長装置の支柱１３０に着脱自在に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】放電電極の面調整を短時間に、かつ、人的要因によるバラツキを抑制できる放電電極の面調整方法及び電極面位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極面１７に沿ったＺ方向の両端側の位置が電極面１７に交差する厚さ方向に移動可能に取り付けられた放電電極３における電極面１７のレベルを略一定となるように調整する放電電極３の面調整方法であって、複数の変位計６１が直線状に配置された計測部材４２を、変位計６１が電極面１７に対向するとともにＺ方向と直交するＹ方向に沿った位置に配置されるように設置する設置工程と、各変位計６１によって電極面１７のレベルを計測する計測工程と、計測工程で計測された結果に基づいて放電電極３の両端側の位置を調整する位置調整工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の均一化を効率的に達成できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極３８の主面に配設された誘電体９０は、処理容器内に配置される基板と同心状になるように前記電極３８の中心に形成され、前記基板の口径の１／１０以上の第１の直径および第１一定厚さを有する平坦な第１部分と、前記第１部分よりも外側に形成され且つ前記第１の直径よりも大きい第２の直径および前記第１一定厚さよりも小さい第２一定厚さを有する平坦な第２の部分とを含み、前記被処理基板に対する均一な処理を得るための理想的な膜厚プロファイルに擬した膜厚プロファイルを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極２に設置した基板８との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｊを備え、前記放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊは、前記対向電極２で保持し得る基板８の最大幅よりも外側に位置するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】帯状フィルムに給電側電極及び接地側電極間のプラズマ放電によって薄膜を成膜する場合に、帯状フィルムの搬送方向における電界の集中をなくすことで、帯状フィルムに良好な成膜状態を施すことができる容量結合型プラズマ装置を提供する。
【解決手段】減圧可能な容器２内に所定間隔を保って配設された一対の給電側電極３及び接地側電極４間のプラズマ放電によって帯状フィルム５に薄膜を成膜する容量結合型プラズマＣＶＤ装置１であって、前記帯状フィルム５を巻装した送出ロール９から引き出した前記帯状フィルム５を前記給電側電極３及び接地側電極４間を通って巻取ロール１４に巻き取る搬送機構６を備え、前記給電側電極３の前記接地側電極４との対向面における前記帯状フィルム５の搬送方向と交差するエッジ部のみをロゴスキ形状又は近似ロゴスキ形状に形成している。 （もっと読む）

【課題】製膜されたシリコン膜に発生する膜質分布を抑制し、製品の性能向上をはかり得るとともに放電電極の構造を簡素化しコストを低減し得る真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板側面３３に原料ガスを放出する複数のガス供給孔３５を有するとともに接地されている接地電極５と、それぞれ高周波電力が供給される複数の分割電極３ａ〜３ｈが接地電極５の基板側面３３に対向するように並列されて形成され、接地電極５に対向する表面に基板８を保持する放電電極３と、分割電極３ａ〜３ｈの裏面側に取り付けられ、分割電極３ａ〜３ｈをインダクタンス成分を介して接地させるアースバー６と、が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平行平板方式と同程度の規模の搬送装置を設けた成膜装置で、可撓性基板のしわを防止し、可撓性基板裏面への傷を防止しながら、連続搬送が可能な搬送装置を設けた成膜装置を提供する。
【解決手段】一方の端から他方の端に、可撓性基板６０１を連続して搬送させる手段を備えた搬送装置を設けた成膜装置において、成膜装置の電極の一方が弧に沿って配列された複数の円筒形ローラー６０２を有し、他方の電極がその弧に沿った曲面を有している。 （もっと読む）

【課題】反応ガスのガス圧力が高い条件においても半導体や導電性などの抵抗値の低い被処理部材に対して均一に成膜等のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を得ること。
【解決手段】第１電極および接地された第２電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、第１電極に電力を印可する電源と、第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、電源により第１電極に電力を印加した状態で第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを流通させることにより反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、プラズマ流のプラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、第１電極と被処理面との間隙の最小間隙寸法が、プラズマ発生器においてプラズマ流を噴出する噴出部近傍における第１電極と第２電極との間隙の最小間隙寸法より大である。 （もっと読む）

本発明のＶＨＦプラズマ電極は、有利には角柱状に構成された縦長の電極体を有しており、この電極体は、電力を供給するための少なくとも２つの接続素子に接続されているかまたは接続可能である電極面を有している。少なくとも１つの第１の接続素子は、上記の電極体の第１の端面に接続されているかまたはこの第１の端面の近くに接続されており、また少なくとも１つの第２の接続素子は、電極体の第２の端面に接続されているかまたはこの第２の端面の近くに接続されており、また有利には上記の電極は、電極面を露出させかつ誘電体材料からなる複数の埋込コンポーネントのうちの１つの埋込コンポーネントに配置されており、また有利には上記の電極面を露出させるシールド素子が設けられており、このシールド素子は、上記の電極と上記の埋込コンポーネントと共に包囲する。このＶＨＦプラズマ装置の特徴は、上記の接続素子のうちの少なくとも１つの接続素子は、ＶＨＦ真空フィードスルー素子として構成されていることである。
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【課題】基板と接地電極の密着性を向上させ、又、基板処理において、プラズマを安定に発生させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の電極棒が梯子状に組み立てられた構成を有する放電電極１７と、放電電極１７と対向するように配置された接地電極１３と、放電電極１７の接地電極１３と反対側に放電電極１７を覆うように配置された防着板１８と、防着板１８から接地電極１３の方向へ延びるように形成された基板押さえ棒５０とを具備し、基板１６は、放電電極１７に対向するように接地電極１３により支持され、基板押さえ棒５０は、基板１６の端部を接地電極１３に押さえ付け、放電電極１７と接地電極１３の間の領域にプラズマを発生させることにより基板１６に半導体膜を蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】真空装置等の複雑な装置を必要としない、稼働開始時から均一な品質の薄膜を形成可能な薄膜形成装置及び、薄膜形成方法の提供。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍でプラズマを発生させ薄膜を基材上に形成する薄膜形成装置において、
放電ガスを供給する放電ガス供給手段と、原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、
１対の電極と、１対の電極間に高周波電界を発生させる高周波電源と、
前記放電ガス供給手段による放電ガスの供給開始と、前記原料ガス供給手段による原料ガスの供給開始と、前記高周波電源による電極への高周波電圧の印加開始とを、同時に行なわせる制御手段とを、有することを特徴とする薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】各電極体への電力供給を安定化させ、プラズマ密度の均一性を基板間で向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で複数枚の基板２００を水平姿勢で多段に積層した状態で保持する基板保持具２１７と、各基板２００の表面から所定の距離にそれぞれ配置される電極体３０１ａ，ｂが多段に積層してなり、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ電力が供給されることで隣接する基板２００間にプラズマを発生させる電極体群と、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ接続される導電性部材３０２ａ，ｂが基板２００の積層方向に沿って多段に連結してなる電力供給機構と、処理室の壁面を貫通するように電力供給機構に接続され、電力供給機構を介して各電極体にそれぞれ電力を供給する電力導入部４１０ａ，ｂと、を備え、隣接する導電性部材３０２ａ，ｂは、基板の積層方向に沿って直線上に並ばないように連結されている。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスは、第１の放電部分を含む第１の電極および第２の放電部分を含む第２の電極と、第１および第２の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、第１の電極を基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、位置決め手段は、第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を助長するのに十分に小さい第１の位置、および第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第２の位置に、第１の電極を第２の電極に対して選択的に位置決めするように構成される。
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【課題】堆積膜形成面内における膜厚や膜特性の均一性に優れ、欠陥の少ない堆積膜を、生産性良く形成できる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置の反応容器は、基体ホルダ１０７の長手方向に移動または伸縮可能な導電性棒状体１２３を備えている。基体が装着された基体ホルダ１０７の長手方向一端側を基体ホルダ保持手段１１５が保持すると、導電性棒状体１２３が移動または伸縮して、基体ホルダ保持手段１１５と逆側となる基体ホルダ１０７の他端側に位置する反応容器に接触し、電気的に接続される。更に導電性棒状体１２３は、基体ホルダ保持手段１１５と逆側となる基体ホルダ１０７の他端側にも接触しており、基体ホルダ１０７の長手方向両端は反応容器と電気的に接続状態となる。また、基体ホルダ１０７の搬入、搬出時には導電性棒状体は格納されるため、基体搬送機構による自動搬送が可能である。 （もっと読む）

基板の周縁部全域に亘って及び周縁部を超えて均一なプラズマを生成するための装置は、そこに埋設された上部電極及び環状電極をもつ誘電体を有する。上部電極の外周部は、環状電極の内周部と重なっている。一実施形態において、上部電極及び環状電極はモリブデンビアによって電気的に結合される。一実施形態において、上部電極は基板をチャッキングするための静電気力を提供するためにＤＣ電源に結合される。一実施形態において、上部電極は１以上の処理ガスを基板処理のためのプラズマに励起させるためにＲＦ電源に結合される。
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【課題】フィラメントを使用せずに薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置されたリング状のＩＣＰ電極１７，１８と、前記ＩＣＰ電極に電気的に接続された第１の高周波電源７，８と、前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、前記チャンバー内を排気する排気機構と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向するように配置されたディスク基板２と、前記ディスク基板に接続された第２の高周波電源６と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向し且つ前記ディスク基板とは逆側に配置されたアース電極と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極と前記ディスク基板との間の空間を囲むように設けられたプラズマウォール２４，２５と、を具備し、前記プラズマウォールがフロート電位とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハに面内均一性の良い膜を長期的に成膜する。
【解決手段】ウェハ５がセットされるボート２及びそれを支持するキャップ３を覆う炉芯管４に、ウェハセット領域５ａの側方に配置されるように保護管７を配置する。保護管７は、その一端を炉芯管４の上部側に引き出し、その一端からプラズマ電極６を挿入する。この保護管７に近接して原料ガス導入用のシャワーノズルを配置し、シャワーノズルから放出される原料ガスを、保護管７内のプラズマ電極６の放電によってプラズマ化し、ボート２側に供給する。プラズマ電極６を保護管７の引き出し口から挿入してウェハセット領域５ａの側方に配置するため、成膜時の加熱等によるプラズマ電極６の自重による縮みの発生が抑えられ、ボート２の上部から下部にわたるウェハ５に対し、略均一な条件で長期的に成膜を行うことが可能になる。 （もっと読む）