シリコン系薄膜太陽電池のための可動堆積ボックス（０２）は、可動チャンバに設けられた少なくとも１群のカソード板（２０３）および１枚のアノード板（２０８）からなる電極アレイを含み、給電ソケット（２０３−１）がカソード板（２０３）の裏側の中心領域の円または半円凹部表面に位置付けられ、平坦な中間部分を有する給電要素（２０１）の円または半円端面（２０１−１）が信号給電ソケット（２０３−１）に接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電し、アノード板（２０８）が接地され、カソード板のシールドカバー（２０４）がスルーホール（２０４−１）を有し、カソード板（２０３）から絶縁される。
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【課題】形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、プラズマ源と成膜室を隔壁板により隔離したプラズマＣＶＤ装置により多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成する。本方法によれば、磁気特性の劣化をもたらすことなく保護層を成膜でき、かつ、１５０℃未満の低温成膜も可能である。これにより、レジストを残留させたまま保護層の成膜が可能であり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減も可能である。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シラン混入の少ない高品質なアモルファスシリコン薄膜を大面積で得るために、広い面積に渡り陰極凹部（ホロー）にプラズマを発生できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空容器２と、該真空容器内を減圧下に保持するための排気系６と、被成膜基板を置くための接地電極１１と、複数の凹部４を備えた陰極３と、接地電極１１と前記陰極３との間に、前記凹部４と相対向するように複数の貫通孔９が形成され、電位を一定に保つことができる電位シールド板８と前記陰極３に高周波電力を印加する高周波電源１５とを備えたプラズマＣＶＤ装置１において、前記電位シールド板８と前記接地電極１１との間に、点火補助板１０を設置する。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理室２内に配設された第１の電極３と、第１の電極３に対向し、基板１０を保持できる第２の電極４と、処理室２内から排気を行なう排気手段と、処理室２内にガスを供給するガス供給手段と、を備え、第１の電極３は、第２の電極４に対向する側に凸部４１を有し、凸部４１の先端部にガス供給口４２が形成されたものであって、複数の凸部４１（４１ａ〜４１ｅ）の先端部の幅が、第１の電極３の中央部に比べ、外周部の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】緻密な基板処理をしつつ、スループットを向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記処理室のガスを排気する排気部と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜中のストリーマの発生を抑制して、ストリーマ発生に起因する膜中へのパーティクルの混入を減少させ、抵抗率の劣化を好適に防止した低い抵抗率および良好な光学特性を有し、しかも、成膜面に適正な凹凸が無い場合でも、表面に好適なテクスチャ（凹凸）が形成された透明導電膜を、高い生産性で成膜することができる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】電極対２２にプラズマ生成用電力を供給する電源回路として、単一周波数の正弦波を発振する電源、および、パルス制御素子３６を有する電源回路を用いる。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理室２内に配設された第１の電極４と、第１の電極４に対向し、基板１０を保持できる第２の電極３と、処理室２内から排気を行なう排気手段６と、処理室２内にガスを供給するガス供給手段７と、を備え、第１の電極４は、第２の電極３に対向する複数の凸部４１ａ〜４１ｅを有し、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部にガス供給口４２が形成されたものであって、複数の凸部４１ａ〜４１ｅの先端部となる面が面一に形成され、凸部間に形成される凹部４２ａ〜４２ｄの深さが、第１の電極４の中央部に比べ、外周部の方が深い。 （もっと読む）

【課題】特殊材料ガスを用いることなく、放電効率の低下を回避して大面積基板にＳｉなどを成膜できる大気圧プラズマ成膜装置及び方法を得ること。
【解決手段】貫通孔４を備えた略平板状であり、固体誘電体で形成された第一の電極１と、貫通孔５を備えた略平板状であり、固体シリコンで形成され、第一の電極１と略平行に設置された第二の電極２と、第一の電極１と第二の電極２との間に、貫通孔４を介して反応ガス９を供給する反応ガス供給装置９１と、第一の電極１と第二の電極２との間に電圧を印加して、第二の電極２から発生したシリコンと反応ガス９との化合物を含んだプラズマガスを第一の電極１と第二の電極２との間に発生させる電源８と、成膜対象の基板３を載置可能であり、貫通孔５を介してプラズマガスが供給される基板ステージ１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電極間に一様な電界分布を発生させる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、非接地電極に設けられた複数の給電点と、複数の給電点から非接地電極に高周波電力を供給するための電力供給手段とを備え、非接地電極と接地電極に挟まれたプラズマ生成領域でプラズマを発生させる高周波プラズマ発生装置において、非接地電極は方形の形状を有し、複数の給電点は非接地電極の対称面に対して互いに対称な位置となるような非接地電極の端部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】均質素材の電極を用いてプラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御する。
【解決手段】内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間にプラズマ空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかに接続され、処理容器１００内に高周波電力を出力する高周波電源１５０と、を有するプラズマ処理装置であって、上部電極１０５には、所望の誘電体から形成された上部基材１０５ａに、シースの厚さの２倍以下の直径を有する中空の細孔Ａが複数形成されているプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一対の電極とを有する基板処理装置において、該電極間を通過する処理ガスのプラズマ励起効率を向上させ、成膜速度を向上させることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、複数の基板を積層して収容し、前記複数の基板に対し処理を行う処理室２０３と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に設けられ、電力が印加されることにより前記処理ガス供給部から供給される処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極２６９，２７０とを有し、前記一対の電極は、それぞれ基板の中心位置から異なる距離に配置されることを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】誘電体被覆電極及びプラズマ放電処理装置を提供する。
【解決手段】導電性母材（中空のステンレスパイプ）３６ｂ，３６Ｂを誘電体３６ａ，３６Ａで被覆した角柱型の誘電体被覆電極３６ｃ，３６Ｃであって、誘電体３６ａ，３６Ａの空隙率が１０体積％以下である。具体的には、セラミックスの溶射を空隙率１０体積％以下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無機質の材料にて封孔処理を行う。ここでゾルゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いて基板に薄膜を形成するとき、プラズマの発生密度を向上させて薄膜の形成を短時間で済ませる。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記成膜空間において、前記薄膜用原料ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有する。プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れる板部材であって、前記板部材の第１の主面が前記成膜空間に向くように配置され、前記第１の主面と対向する第２の主面には、電流方向と直交する方向に沿って延びる凹凸部が設けられている電極板を、プラズマ生成用電極として備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いて基板に薄膜を形成するとき、プラズマの発生密度を向上させて薄膜の形成を短時間で済ませる。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記成膜空間の前記薄膜用原料ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ電極部と、を有する。プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れる板部材であって、前記板部材の第１の主面が前記成膜空間に向き、前記第１の主面に、電流の流れる方向に沿って延びる溝状の凹部が複数設けられている電極板をプラズマ生成用電極として備える。 （もっと読む）

基板表面上への層堆積の方法。当該方法は、基板に接触させるための前駆体供給部から堆積空洞の中への気体前駆体の注入と、注入された気体前駆体の一部の堆積空洞からの排出と、基板表面に沿った、堆積空洞および基板の互いに相対的な位置付けとを含む。当該方法は、さらに、第１の電極および第２の電極の提供と、第１の電極および第２の電極の互いに対応する位置付けと、第１の電極および第２の電極の間に生じる高電圧差による基板に接触するための基板近くでのプラズマ放電の発生とを含む。当該方法は、プラズマによる表面のパターニングのため、選択的なプラズマ放電の発生を含む。気体前駆体に接触した基板の部分が、プラズマに接触した基板の部分に、選択的に重複する。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためのプラズマ放電を基板の近くで発生させる装置であって、第１放電部を有する第１電極と、第２放電部を有する第２電極と、第１および第２電極間に高電圧差を発生させるための高電圧源と、第１電極を基板に対して位置決めするための位置決め手段とを備えた装置。本装置は、使用時に、基板に対する第１電極の位置決めを許容したまま、第１電極と基板との間に配置される中間構造をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置１において、基材Ｗの端部の波状変形や異常なアーク放電を防止する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバと、真空チャンバ内に配備されると共に電源の両極が接続され且つ成膜対象であるシート状の基材Ｗが巻き掛けられる真空チャンバから絶縁された成膜ロール２と、基材Ｗが巻き掛けられていない成膜ロール２の端部２ａ、２ｂを成膜ロール２近傍に発生したプラズマ５から遮蔽する遮蔽部材４と、を備え、成膜ロール２の軸方向の端部２ａ、２ｂは中央部２ｃより小径に形成されていて、端部２ａ、２ｂの外周面と中央部２ｃの外周面との間には段差面２ｄが設けられており、遮蔽部材４がその外周面が成膜ロール２の中央部２ｃの外周面と面一になるように成膜ロール２の端部を覆っており、遮蔽部材４と段差面２ｄとの間には成膜ロール２の軸方向に基材Ｗが成膜ロール２に当接しない間隙が備えられている。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、下部電極１１０に接続され、処理容器１００内に高周波電力を出力する第１の高周波電源１５０とを有する。上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかは、板状の金属から形成された基材と、内部に金属のプレート電極を埋設した状態で前記基材に嵌め込まれ、一部が前記基材から露出した誘電体と、を含む。 （もっと読む）